本文主要研究内容
作者郭龙凤（2019）在《基于高密度电阻率成像法的海水入侵运移规律试验研究》一文中研究指出：海水入侵是全世界都存在的主要资源与环境问题之一,掌握海水入侵的规律和特征对于沿海地区地下水资源的管理保护以及环境的改善具有重要的理论意义和实际价值。海水入侵的发生和发展受多种因素的影响,准确监测和客观评价一个区域的海水入侵需要系统、长期的监测数据支持。海水入侵室内物理试验可以相对灵活地揭露不同水文地质条件或水动力条件下的海水入侵运移规律,目前已成为一项重要的海水入侵研究手段。本文在分析海水入侵领域国内外研究现状的基础上,通过物理模型以无损伤的高密度电阻率成像技术为主要数据获取方法,从电阻率这一综合电特性参数的角度分析研究了米级尺度上海水入侵的规律和特征,取得了如下的主要研究成果和认识:(1)未发生海水入侵时,在获得的电阻率图像上含水层的电阻率值约在60-320Ω·m。受电极布设及含水层密实性因素影响,电性结构整体在0.1m以上区域呈低阻值特征,在0.1m以下区域为高阻值特征。相对上部低阻值区域,下部高阻值区电性结构空间分布均匀。(2)海水的入侵致使入侵区含水层中的地下水矿化度升高、电阻率降低,整体上电阻率与矿化度呈负相关关系。在以矿化度1000mg/L作为划分咸淡水的标准时,试验中确定了电阻率值小于24Ω·m的区域为海水入侵区。(3)在海水与淡水水头相同条件下,受密度差和浓度差的控制,海水逐渐向淡水含水层入侵。在电阻率图像上,相对于入侵前的电阻率特征,在海水入侵区存在一明显的空间上连续的楔形体状低电阻率区,该低阻区是海水入侵驱替淡水所致。不同时刻的电阻率图像中的低阻区特征清晰地反映了海水入侵的过程和规律,24Ω·m等值线(面)较好地对应了入侵中咸淡水的分界面。二维和三维高密度电阻率成像法推断的咸淡水分界面基本呈下凹抛物线型逐渐入侵淡水区。海水入侵范围逐渐扩大,最终趋于稳定。(4)地下水的开采,加剧了海水入侵的程度。不同维度的电阻率图像上反映的海水楔形体的形态和运移规律具有一致性。其中,开采压强最先重点作用于含水层中下部,诱发海水楔形体中部的升锥现象及含水层底部的回退现象,而后着重作用于含水层表面,加剧表面的海水入侵范围,最终海水楔形体不同位置处的咸淡水分界面呈一垂向锋面,稳定在距抽水井水平距离0.1m位置处。
Abstract
hai shui ru qin shi quan shi jie dou cun zai de zhu yao zi yuan yu huan jing wen ti zhi yi ,zhang wo hai shui ru qin de gui lv he te zheng dui yu yan hai de ou de xia shui zi yuan de guan li bao hu yi ji huan jing de gai shan ju you chong yao de li lun yi yi he shi ji jia zhi 。hai shui ru qin de fa sheng he fa zhan shou duo chong yin su de ying xiang ,zhun que jian ce he ke guan ping jia yi ge ou yu de hai shui ru qin xu yao ji tong 、chang ji de jian ce shu ju zhi chi 。hai shui ru qin shi nei wu li shi yan ke yi xiang dui ling huo de jie lou bu tong shui wen de zhi tiao jian huo shui dong li tiao jian xia de hai shui ru qin yun yi gui lv ,mu qian yi cheng wei yi xiang chong yao de hai shui ru qin yan jiu shou duan 。ben wen zai fen xi hai shui ru qin ling yu guo nei wai yan jiu xian zhuang de ji chu shang ,tong guo wu li mo xing yi mo sun shang de gao mi du dian zu lv cheng xiang ji shu wei zhu yao shu ju huo qu fang fa ,cong dian zu lv zhe yi zeng ge dian te xing can shu de jiao du fen xi yan jiu le mi ji che du shang hai shui ru qin de gui lv he te zheng ,qu de le ru xia de zhu yao yan jiu cheng guo he ren shi :(1)wei fa sheng hai shui ru qin shi ,zai huo de de dian zu lv tu xiang shang han shui ceng de dian zu lv zhi yao zai 60-320Ω·m。shou dian ji bu she ji han shui ceng mi shi xing yin su ying xiang ,dian xing jie gou zheng ti zai 0.1myi shang ou yu cheng di zu zhi te zheng ,zai 0.1myi xia ou yu wei gao zu zhi te zheng 。xiang dui shang bu di zu zhi ou yu ,xia bu gao zu zhi ou dian xing jie gou kong jian fen bu jun yun 。(2)hai shui de ru qin zhi shi ru qin ou han shui ceng zhong de de xia shui kuang hua du sheng gao 、dian zu lv jiang di ,zheng ti shang dian zu lv yu kuang hua du cheng fu xiang guan guan ji 。zai yi kuang hua du 1000mg/Lzuo wei hua fen xian dan shui de biao zhun shi ,shi yan zhong que ding le dian zu lv zhi xiao yu 24Ω·mde ou yu wei hai shui ru qin ou 。(3)zai hai shui yu dan shui shui tou xiang tong tiao jian xia ,shou mi du cha he nong du cha de kong zhi ,hai shui zhu jian xiang dan shui han shui ceng ru qin 。zai dian zu lv tu xiang shang ,xiang dui yu ru qin qian de dian zu lv te zheng ,zai hai shui ru qin ou cun zai yi ming xian de kong jian shang lian xu de xie xing ti zhuang di dian zu lv ou ,gai di zu ou shi hai shui ru qin qu ti dan shui suo zhi 。bu tong shi ke de dian zu lv tu xiang zhong de di zu ou te zheng qing xi de fan ying le hai shui ru qin de guo cheng he gui lv ,24Ω·mdeng zhi xian (mian )jiao hao de dui ying le ru qin zhong xian dan shui de fen jie mian 。er wei he san wei gao mi du dian zu lv cheng xiang fa tui duan de xian dan shui fen jie mian ji ben cheng xia ao pao wu xian xing zhu jian ru qin dan shui ou 。hai shui ru qin fan wei zhu jian kuo da ,zui zhong qu yu wen ding 。(4)de xia shui de kai cai ,jia ju le hai shui ru qin de cheng du 。bu tong wei du de dian zu lv tu xiang shang fan ying de hai shui xie xing ti de xing tai he yun yi gui lv ju you yi zhi xing 。ji zhong ,kai cai ya jiang zui xian chong dian zuo yong yu han shui ceng zhong xia bu ,you fa hai shui xie xing ti zhong bu de sheng zhui xian xiang ji han shui ceng de bu de hui tui xian xiang ,er hou zhao chong zuo yong yu han shui ceng biao mian ,jia ju biao mian de hai shui ru qin fan wei ,zui zhong hai shui xie xing ti bu tong wei zhi chu de xian dan shui fen jie mian cheng yi chui xiang feng mian ,wen ding zai ju chou shui jing shui ping ju li 0.1mwei zhi chu 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自山东农业大学的郭龙凤，发表于刊物山东农业大学2019-07-05论文，是一篇关于海水入侵论文,高密度电阻率成像法论文,电阻率论文,咸淡水界面论文,无损监测论文,山东农业大学2019-07-05论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自山东农业大学2019-07-05论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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