本文主要研究内容
作者王珊珊,殷淑静,梁海锋,韩军（2019）在《金催化的硅纳米线的可控制备及光学特性研究》一文中研究指出：硅纳米线是新型一维半导体纳米材料的典型代表。利用阳极氧化铝薄膜为模版复制出具有有序纳米结构的金膜,在金的催化辅助下对单晶硅进行湿法刻蚀,得到尺寸、形状、分布可控的硅纳米线阵列,并对其光学特性进行了研究。研究结果表明,金代替银作为催化剂,可以有效地抑制二次刻蚀,金的化学性质相对于银更加稳定,克服了银膜在较高的温度或较长刻蚀时间下产生的结构性破坏,得到形貌规整、尺寸可控的硅纳米线阵列。对该阵列在400 nm～1 200 nm波段的反射率、透过率进行了测试,并对比分析了金模板催化与传统方法机理的异同。测试结果表明,相较于传统金属辅助化学刻蚀法,文中提出的金模板催化法制备的硅纳米线阵列尺寸及分布更加均匀可控,在宽光谱范围内的抗反射性得到了显著提高。
Abstract
gui na mi xian shi xin xing yi wei ban dao ti na mi cai liao de dian xing dai biao 。li yong yang ji yang hua lv bao mo wei mo ban fu zhi chu ju you you xu na mi jie gou de jin mo ,zai jin de cui hua fu zhu xia dui chan jing gui jin hang shi fa ke shi ,de dao che cun 、xing zhuang 、fen bu ke kong de gui na mi xian zhen lie ,bing dui ji guang xue te xing jin hang le yan jiu 。yan jiu jie guo biao ming ,jin dai ti yin zuo wei cui hua ji ,ke yi you xiao de yi zhi er ci ke shi ,jin de hua xue xing zhi xiang dui yu yin geng jia wen ding ,ke fu le yin mo zai jiao gao de wen du huo jiao chang ke shi shi jian xia chan sheng de jie gou xing po huai ,de dao xing mao gui zheng 、che cun ke kong de gui na mi xian zhen lie 。dui gai zhen lie zai 400 nm～1 200 nmbo duan de fan she lv 、tou guo lv jin hang le ce shi ,bing dui bi fen xi le jin mo ban cui hua yu chuan tong fang fa ji li de yi tong 。ce shi jie guo biao ming ,xiang jiao yu chuan tong jin shu fu zhu hua xue ke shi fa ,wen zhong di chu de jin mo ban cui hua fa zhi bei de gui na mi xian zhen lie che cun ji fen bu geng jia jun yun ke kong ,zai kuan guang pu fan wei nei de kang fan she xing de dao le xian zhe di gao 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自应用光学的王珊珊,殷淑静,梁海锋,韩军，发表于刊物应用光学2019年05期论文，是一篇关于半导体材料论文,硅纳米线论文,阳极氧化铝薄膜论文,湿法刻蚀论文,催化论文,抗反射性论文,应用光学2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自应用光学2019年05期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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