导读:本文包含了超声雾化热解论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:稀土,氯化物,超声雾化,热解
超声雾化热解论文文献综述
薛首峰[1]（2017）在《变价稀土氯化物溶液超声雾化热解制备氧化物的机制研究》一文中研究指出绿色清洁冶金技术是实现冶金行业可持续发展的重要保障。目前,稀土冶金企业生产稀土氧化物主要是通过原理简单、操作技术难度较低的沉淀焙烧法。然而,采用这一传统工艺生产稀土氧化物时需要付出较高的能源消耗成本和生态环境成本,因此研发清洁、高效的稀土氧化物生产工艺技术迫在眉睫。本课题在前期研究的基础上,围绕稀土氯化物溶液超声雾化热解制备稀土氧化物的短流程工艺技术、以变价稀土元素的氯化物为研究对象,研究了相关的基础问题并取得的研究结果如下:采用 XRD、FESEM、EDS 和 TG-DTA/DSC-MS 等分析技术研究了 CeCO3·7H2O、PrCO3·6H2O和TbCl3·6H2O在空气氛围静态焙烧的热解机理,结果表明.:当稀土(Ce、Pr和Tb)氯化物脱水温度依次为224、234和284℃;水解反应的产物依次为Ce(OH)3、Pr(OH)2Cl和Tb(OH)2Cl,Ce(OH)3在空气氛围中可逐渐转变为CeO2,Pr(OH)2Cl和Tb(OH)2Cl发生脱水反应则生成PrOCl和TbOCl。CeC13在460℃以上发生氧化反应生成CeO2,PrOCl在1000℃以上发生氧化反应部分转化为Pr12O22,TbOCl在800℃时发生氧化反应部分转化为Tb7O12。以变价稀土氯化物的气溶胶为前驱体,研究了变价稀土氯化物的高温热解机理,研究结果表明:氯化铈气溶胶在600℃以上时完全转化为CeO2;氯化镨气溶胶在700℃以上时产物中形成了部分的PrO2,随着热解温度的升高,热解产物中的Pr02逐渐增多,温度高于1100℃时氯化镨气溶胶热解几乎完全转化为PrO2;氯化铽气溶胶在600℃时可能形成了少量的Tb02,热解温度高于900 ℃时几乎完全转化为 Tb7O12。超声雾化热解制备变价稀土氧化物工艺的研究:氧化铈中的余氯量随着溶液浓度的增大而增大,随着载气流速的增大表现出先减小后增大的规律,随着热解温度的升高而减小,溶液温度对产物中的余氯量没有明显的影响;氧化铈颗粒的粒径随着溶液浓度的增大而增大,随着溶液温度的升高而减小,热解温度对颗粒粒径有微弱的影响,载气流速对颗粒粒径没有明显的影响。进一步的研究表明氧化铈中的余氯可能是由热解过程未能完全逸出的余氯和颗粒表面吸附的C12/HCl两种形式,通过再焙烧可最大限度的降低样品中的余氯含量。强化超声雾化热解制备变价稀土氧化物的研究:(1)H2O2强化热解氯化错溶液热解制备氧化镨,当热解温度为1000℃、溶液中PrCl3浓度为0.05mol/L,H2O2的浓度为30%时,超声雾化热解PrC13溶液可制备纯度较高的氧化镨;当热解温度低于1100℃时产物中的氧化镨物相为Pr02,当热解温度高于1100℃时产物中的氧化镨物相为Pr12O22和PrO1.99,热解温度的降低会使热解产物中的Pr(OH)2Cl含量升高。(2)H2O2强化热解氯化铽溶液热解制备氧化铽,当热解温度高于800℃、溶液中TbCl3浓度为0.05～0.1mol/L,溶液中H2O2的浓度大于5%时,TbC13溶液超声雾化热解可制备得到纯的氧化铽,当热解温度为800、900℃C时产物的物相为TbO1.81,当热解温度为1000、1100℃时热解产物中的物相为Tb7O12。稀土氧化物颗粒的形成机理研究:雾化液滴在低温区停留时间较长则制备的产物中易于形成实心结构颗粒,当由超饱和液滴形成的实心球形稀土氯化物颗粒在高温区停留时间较长时则可形成实心的氧化物颗粒。若在高温区停留时间较短则实心的稀土氯化物颗粒可转变形成中空结构的氧化物颗粒,雾化液滴若在低温区停留时间较短则易于形成中空结构的稀土氯化物颗粒,其在高温区转变为中空结构的氧化铈颗粒。具有超饱和液滴与不饱和液滴或具有中空结构的熔融状液滴与其他熔融液滴之间的碰撞均可导致多孔结构氧化铈颗粒的形成。(本文来源于《东北大学》期刊2017-08-01）
陶强,王瑞,王威,徐磊,王春红[2]（2017）在《SnO_2-MWCNTs薄膜的静电增强超声雾化热解法制备及其气敏性能》一文中研究指出对多壁碳纳米管(MWCNTs)进行氧等离子体改性,并将其超声分散于四氯化锡(SnCl4·5H2O)的盐溶液中,利用静电增强超声雾化热解法制备SnO_2-MWCNTs薄膜,研究了薄膜的气敏性能随沉积温度和MWCNTs掺杂量的变化关系。拉曼光谱分析结果表明MWCNTs中sp3杂化C含量增加,反映了MWCNTs表面接枝了含氧官能团。采用场发射扫描电镜、原子力显微镜对薄膜形貌进行表征,结果表明,随着沉积温度和MWCNTs掺杂量的增加,薄膜孔隙率、不匀率都有所增加。X射线衍射结果表明反应过程中SnCl_4·5H_2O全部转化为了四方晶系金红石结构的SnO_2,晶粒尺寸为3nm左右。气敏性能测试结果表明当沉积温度为300℃、MWCNTs掺杂量为10mg/mL,薄膜的气敏性能较好。(本文来源于《功能材料》期刊2017年02期）
王云东[3]（2014）在《超声雾化热解制备蛋黄—壳结构锰酸锂纳米材料及其电化学性能》一文中研究指出锂离子电池以其高能量、高功率、高循环寿命、环境优好等优点,已广泛应用于移动电话、数码相机等便携电子产品中,随着技术的进步,正逐渐向电动汽车等大型设备的动力电池方向发展。锂离子电池的能量密度主要取决于正极材料,近年来,具有尖晶石结构的LiMn2O4因其资源丰富、电压平台高等优点获得广泛关注,被认为是最具有商业化应用开发前景的锂离子电池正极材料之一。蛋黄-壳结构材料特有的结构特性可以缓冲材料在脱嵌锂过程的体积变化,在锂离子电池电极材料应用方面表现出优势。本文采用超声雾化热解法,以蔗糖、聚乙二醇等添加剂设计制备了具有蛋黄-壳结构的LiMn2O4锂离子电池正极材料,考察了添加剂种类、热解温度、煅烧温度等工艺条件对蛋黄-壳结构纳米材料的影响规律,提出了高温快速气相化学反应过程中蛋黄-壳结构纳米材料的生长机理。将所制备的具有蛋黄-壳结构的LiMn2O4作为正极材料构筑锂离子电池,表征了其电化学性能,建立了材料微结构与电化学性能间的构效关系,主要工作内容和结果如下：以蔗糖为添加剂,采用超声雾化热解法设计制备了具有蛋黄-壳结构的LiMn2O4正极材料,研究了蔗糖的浓度、热解温度和煅烧温度对蛋黄-壳结构纳米材料的影响规律。较高的蔗糖浓度和热解温度是蛋黄-壳结构形成的关键,提出了高温快速气相化学反应过程中蛋黄-壳结构纳米材料的生长机理。将具有蛋黄-壳结构的LiMn2O4作为正极材料构筑锂离子电池,表征了其电化学性能。700℃煅烧3h后的LiMn2O41C下首次放电容量94.2mAh/g,500次循环后剩余容量58.8mAh/g.以聚乙二醇为添加剂,采用超声雾化热解法设计制备了具有蛋黄-壳结构的LiMn2O4正极材料,考察了聚乙二醇的分子量、添加量和煅烧温度对蛋黄-壳结构纳米材料的影响规律。研究结果表明,以分子量为1000的聚乙二醇为添加剂,浓度为0.12g/mL时,制备的LiMn2O4纳米材料具有最佳的蛋黄-壳结构。将此材料作为正极材料构筑锂离子电池,表征了其电化学性能。在1C充放电倍率下首次放电容量为87.9mAh/g,在2C放电倍率下首次放电容量80mAh/g,在1600次循环后,容量为62.3mAh/g.在氩气气氛下,通过调整蔗糖的添加量、煅烧过程的升温速率等工艺参数,设计制备了具有蛋黄-双壳结构LiMn2O4纟内米材料。提出了含碳的LiMn2O4球状颗粒在煅烧过程中碳缓慢燃烧,发生两次外部LiMn2O4壳与内部含碳LiMn2O4球状颗粒的分离,形成蛋黄-双壳结构的生长机理。将此材料作为正极材料构筑锂离子电池,表征了其电化学性能,1C充放电倍率下容量为75.5mAh/g,100次循环后容量为56.3mAh/g.(本文来源于《华东理工大学》期刊2014-05-23）
马海力[4]（2014）在《纳米结构ZnO超声雾化热解喷涂法制备与掺杂特性研究》一文中研究指出氧化锌（ZnO）是一种具有六角纤锌矿结构的金属氧化物半导体材料。作为一种宽带隙，低介电常数，高化学稳定性的多功能材料，其应用领域十分广泛，常被用于制作声表面波器件、气敏传感器、压敏电阻及透明导电电极等。制备ZnO纳米结构材料的方法有很多，例如：化学气相沉积法(MOCVD)、溶胶-凝胶法(Sol-gel)、磁控溅射法(MS)、脉冲激光沉积法(PLD)和超声雾化热解喷涂法(Ultrasonic Spray pyrolysis, USP)等。其中，USP技术在金属氧化物材料制备方面具有独特的优势，具体表现在：设备简单，成本低廉；沉积速率快，可大面积成膜；无需高真空，即使在常压下也可以进行纳米结构的制备；在工艺参数选择恰当的条件下，所制材料的质量和性能完全可以和CVD或PLD所制材料的质量和性能相媲美。本文选用0.2mol/L（近似）的Zn(CH3COO)2·2H2O作为前驱体溶液制备ZnO纳米结构。系统地研究了衬底温度（Ts）这一关键因素对USP技术所制ZnO纳米结构的形貌及其他各项性能的影响；运用自行设计的“时序快门法”对ZnO纳米结构膜的成膜过程进行了深入探究；试图往ZnO纳米结构膜中掺杂Cu元素(乙酸铜作为前驱体)，制备出具有室温铁磁性的稀磁半导体材料（Zn1-xCuxO），并通过PPMS，XRD，XPS和EPMA等测试手段来验证Cu掺杂。实验结果表明：1.当Ts从430°C升高至610°C，ZnO纳米结构呈现出从片状到颗粒膜状再到阵列状的转变特性；Ts为550°C时制备的ZnO纳米结构膜具有最低的电阻率和最高的载流子浓度；样品中存在有缺陷，这些缺陷的数量会随Ts的升高而减少；大部分样品的可见光透过率高于90%。2.观察到USP技术所制备ZnO纳米结构膜的生长机制属常见的“类岛状”。3. ZnO纳米结构在室温下呈抗磁性，而Cu元素的掺杂便能使其产生室温铁磁性。样品的饱和磁化强度（Ms）和矫顽力（Hc）均较弱。4.检测到Zn1-xCuxO样品中的Cu含量甚低，可能的原因涉及制备工艺、Cu元素在ZnO纳米结构膜中的溶解度以及检测设备的合理选择等因素。(本文来源于《华南理工大学》期刊2014-05-20）
邓小红,李风,曾国勋,徐游,张廷晟[5]（2013）在《超声雾化热解法制备ATO薄膜及其性能研究》一文中研究指出采用超声雾化热解法在石英基底上制备了掺锑二氧化锡透明导电薄膜。采用X射线衍射检测薄膜的晶体结构,扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,研究了不同基底温度和Sb掺杂量下薄膜的晶体优势生长面、晶粒形状的变化、可见光透过率和方块电阻。结果表明,薄膜的晶粒度在80～200 nm。当Sb摩尔比为1%、基底温度为540℃时,薄膜的方块电阻最小,约为16.91Ω/□。随着镀膜温度的上升,薄膜的优势生长面从(110)面逐渐向(211)面转移。当Sb掺杂比为1%时,薄膜的可见光透过率最高,当掺杂浓度增大后,薄膜的透过率出现下降。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年08期）
徐游[6]（2013）在《超声雾化热解法制备掺杂型SnO_2薄膜及其性能研究》一文中研究指出随着半导体行业的出现和发展,SnO2薄膜良好的光电性能受到人们的广泛关注,并逐渐形成以SnO2薄膜为基础的发光器件、大而积显示器、太阳能电极、Low-E节能建筑玻璃、气敏传感器、离子交换剂等先进材料工业。针对传统二氧化锡薄膜无法兼顾光学透过性能和电学导电性能之间的矛盾,本文以SnO2薄膜为主要研究对象,通过控制元素掺杂和制备工艺,成功制备出具有良好光谱透过性能和电学性能的二氧化锡薄膜。本课题采用超声雾化热解法,在石英基板上成功制备出一元掺杂(Sb/SnO2、 Ni/SnO2、Zn/SnO2)和二元掺杂[(Sb:Ni)/SnO2]二氧化锡薄膜,并对超声雾化热解法的镀膜工艺进行优化。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜观察薄膜的结构、金相和表面形貌,使用紫外—可见光分光度计表征薄膜的光学透过性能,采用四探针测试仪表征薄膜的电学导电性等,探讨掺杂成分、掺杂量和镀膜工艺对薄膜光电性能的影响,研究分析了二元重掺杂下薄膜具备高紫外透过率的机理。一元掺杂二氧化锡薄膜的研究中,研究了一元掺杂Sb、Ni、Zn对Sn02薄膜的结构、形貌和光电性能的影响。重点阐述了通过一元掺杂之后,不同掺杂元素、掺杂量和镀膜条件下SnO2薄膜在紫外和可见光区透过率变化的原因,同时研究以上条件下薄膜方块电阻的变化趋势。研究发现：采用此方法制备的薄膜呈细小柱状晶,3%Ni掺杂时薄膜的可见光透过率最高,为88.99%；通过Sb一元掺杂后,薄膜的方块电阻随着镀膜温度的升高而增加,随着掺杂量的增加而增加,随着镀膜时间的延长而下降。在一元掺杂SnO2薄膜研究的基础上,使用Sb、Ni二元掺杂,研究二元掺杂之后,不同Sb、Ni掺杂对SnO2薄膜的结构、形貌、在可见光区和紫外区的透过率、能带结构和方块电阻等的影响,提出了两种不同半导体类型同时掺杂后产生的复合效应对SnO2薄膜光电性能的提升上的作用,并对二元掺杂后薄膜具备高紫外透过率提出相应的理论解释。研究发现：薄膜在二元掺杂后晶粒变小,呈纳米级柱状晶结构,排列比一元掺杂时更加致密；二元掺杂SnO2薄膜晶格常数增大,出现明显的织构现象,(200)晶面为优势生长面；二元掺杂之后,在复合掺杂补偿机制的作用下,Sn02薄膜不但具有良好的紫外透过率(其中在浅紫外区(300nm—380nm)出现一个高紫外透过“平台”：1%Sb-x%Ni掺杂时,紫外透过率达65%),同时薄膜具有良好的电学性能。(本文来源于《广东工业大学》期刊2013-06-01）
高洪明,刘强,龚恒翔,程新路[7]（2011）在《双源超声雾化热解喷涂仪研制》一文中研究指出单源超声雾化室实验系统在制备掺杂薄膜时,由于制备前驱源溶液与掺杂溶液混合在同一个雾化室,几种不同的溶液之间相互影响,对制备高质量的掺杂薄膜非常不利;同时单源超声雾化室的沉积速度较慢,不利于向工业化方向转化;双源超声雾化室避免了在制备掺杂薄膜时掺杂溶液和源溶液混合而互相污染的弊病,从根本上解决了单源超声雾化热喷涂法制备掺杂薄膜存在的问题;同时衬底取向朝下,采用竖直向上的供料方式沉积薄膜,利用重力直接筛选大雾滴,沉积薄膜的雾滴粒径分布更加集中。(本文来源于《实验室研究与探索》期刊2011年04期）
王斌[8]（2009）在《静电增强超声雾化热解法制备ZnO薄膜的性能研究》一文中研究指出使用静电增强超声雾化热解法制备了ZnO薄膜,用XRD、SEM、PL、RAMAN等手段研究了制备条件对ZnO薄膜形貌、内部缺陷的类型、发光性能、气敏性能的影响;研究了掺杂对ZnO薄膜光学性能、电学性能、气敏性能的影响;并以制备的ZnO薄膜为缓冲层,在Si衬底上生长ZnO纳米阵列和ZnO纳米结构,研究了ZnO纳米阵列在气体电离传感器上的应用。其主要研究结论如下:(1)采用静电增强超声雾化热解方法制备出高质量的ZnO薄膜,并对不同工艺条件下薄膜的结构、成分、形貌、沉积速率、光致发光进行分析,我们发现当前驱体的浓度在0.01~0.005M之间时,衬底温度在400~500℃,当载气量为200~500sccm制备的薄膜的取向性较好,且薄膜平整致密。使用较高浓度前驱体制备的ZnO中,存在明显的蓝光发射峰和绿光发射峰;蓝光发射峰与锌间隙能级有关;绿光发射峰由VZn的不同电离态引起;在600℃下氧气氛退火60 min后蓝光发光峰和绿光发光峰消失了。(2)评价了不同衬底温度、不同载气条件下制备的ZnO薄膜的电学性能,在衬底温度为440℃制备出了霍尔迁移率为141 cm2/Vs,电阻率为9.99?cm-1的p-型ZnO薄膜;使用XPS和低温PL分析了在440℃制备的p-型ZnO的成分及受主缺陷的类型,该薄膜中受主能级位于价带上160 meV和250meV处,并推测其与NO和VZn有关。研究了晶界对薄膜电学性能的影响,发现载气的类型影响薄膜的导电性能。使用SCM对氧气做载气制备的ZnO薄膜的载流子分布进行了表征。晶界上吸附的氧使得晶粒中的电子耗尽,造成晶粒中空穴的散射作用减弱和晶界附近空穴积累,是引起超高空穴迁移率的原因。(3)制备了Ag掺杂和N掺杂p-型ZnO薄膜,研究了它们的结构、光学性能、电学性能,摸索了最佳的掺杂量。研究了双受主共掺杂理论,揭示了Ag-N共掺杂在理论是可行的。使用共掺杂技术制备ZnO: (Ag, N)薄膜,并研究了该薄膜的结构和光学电学性能。XDR表明共掺杂提高了晶体的质量,霍尔测量表明共掺杂制备的ZnO有较低的电阻和较高的霍尔迁移率;实验表明双受主共掺杂增强了N和Ag原子的稳定性,提高了掺杂浓度;我们还发现ZnO(Ag, N)与ZnO:Ag相比,薄膜的光学透过率明显提高,Ag-N共掺杂的ZnO电学和光学性能的稳定性较好。(4)使用化学气相传输法在蒸金的硅片生长了ZnO纳米线;通过分析生长不同阶段的SEM,明确了ZnO纳米线的生长遵循VLS机理。使用静电增强超声雾化法在Si上制备了ZnO缓冲层,并在该缓冲层上生长了ZnO纳米阵列。在Si上使用不同催化剂成功生长了ZnO纳米结构,实验发现Cu作催化剂在Si衬底上得到楔状ZnO纳米片,该结构的ZnO纳米片沿[011_0]方向生长,纳米片上下表面为±(0001)极性面;纳米片的生长遵循VLS机理,属于六角纤锌矿晶体结构,纳米片的位错和堆垛层错等晶格畸变较少;使用Zn催化在Si衬底上得到长达几百微米的ZnO纳米带。ZnO纳米带沿[011_0]方向生长,属于六角纤锌矿晶体结构;纳米带的生长遵循VLS机理。比较了不同使用不同催化剂制备ZnO的PL。实验表明,在缓冲层上Au催化制备的ZnO纳米阵列具有较强的发光强度,Cu催化制备的ZnO楔状纳米片次之,Zn催化制备的ZnO纳米带最弱;这是由于使用不同的催化剂制备的ZnO纳米结构中的缺陷数量和缺陷类型不同造成的。(5)研究了场致电离气敏传感器的工作原理。发现在电场限制区中,气体场致电离产生的电流强度与气体的特性密切相关,可以作为鉴别不同气体的特征。使用有限元软件模拟了纳米线顶端的场强分布,模拟的结果表明纳米ZnO的顶端电场增强因子的最大值约为187。使用不同取向的ZnO纳米棒制作了场致电离气体传感器,研究了不同形貌纳米线制备器件对丙酮的响应曲线,测试表明器件的响应曲线分为叁个区,响应曲线与电场增强因子β密切相关。研究了器件对甲苯和丙酮的电离特性曲线。从气体放电电流和击穿电压来看,器件可以明显的区分甲苯和丙酮。测量了器件对NOx化合物的响应,实验表明在较低的浓度下,NOx化合物的浓度电流响应值呈现近似的线性关系,器件的响应速度为17~40s,器件的灵敏度为0.045±0.007 ppm/pA。测量了器件对苯、异丙醇、乙醇、甲醇化合物的响应,实验表明器件对静态极化率较大,电离能低的气体有一定的选择性。(6)测试了不同衬底温度下制备的ZnO薄膜对NO2气体的气敏性能;实验表明550℃制备的粉末状的ZnO薄膜对NO2的敏感度较高,并表现出较好的响应-恢复特性;研究了致密的ZnO薄膜厚度对气敏性能的影响,实验表明薄膜对NO2的敏感度随膜厚增加而减少;对于550℃制备的粉末状的ZnO薄膜而言,对NO2的敏感度先随薄膜的厚度增加而增加,当薄膜厚度到达一定程度时,其敏感度反而下降了。研究了ZnO:Al薄膜对NO2的敏感度,实验表明在260℃的工作温度下,当ZnO:Al中Al含量为0.4mol%,对40ppm的NO2的敏感度高达74.8。研究了ZnO:Ag薄膜对NO2的敏感度,当掺Ag量为3mol%时,ZnO:Ag薄膜对NO2的灵敏度最高,实验还发现ZnO:Ag薄膜在NO2中光学透过率会发生改变。我们比较了掺Al、Ag的ZnO薄膜及未掺杂的ZnO薄膜对NO2的气敏性的动态响应,实验表明ZnO:Al薄膜对NO2的灵敏度最高,但达到稳定状态时所需的响应时间较长;掺Ag的ZnO灵敏度较低,且在排气后不容易恢复到初始的状态;未掺杂的ZnO薄膜对NO2的灵敏度居中,但是其响应速度较快。(本文来源于《上海大学》期刊2009-06-01）
周佳,韩高荣,李敏睿[9]（2006）在《前驱体浓度对超声雾化热解法制备ZnO薄膜性能的影响》一文中研究指出采用超声雾化技术,以醋酸锌水溶液为前驱体溶液,在加热的玻璃衬底上制备得到ZnO薄膜。研究了不同前驱体溶液浓度和不同加热温度条件下制得的ZnO薄膜的微观结构和光学性能。测试结果表明,ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,在合适的条件下可以制备出沿(002)晶面取向生长的样品,具有优良的均匀性和致密性。同时在可见光区也表现出80％以上的高透过率。(本文来源于《材料导报》期刊2006年01期）
陈健[10]（2004）在《超声雾化热解法制备ZnO薄膜结构及其性能研究》一文中研究指出氧化锌是一种多用途的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于太阳能电池、声表面波器件、压敏器件、透明导电电极等领域。近年来，ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比，ZnO薄膜具有生长温度低，激子复合能高(ZnO：60meV，GaN：21～25meV)，有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。ZnO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短，对增加光记录密度具有重要意义。目前，有关氧化锌的研究集中在氧化锌的紫外光发射和可见光发光机制方面。对于可见光发光机制目前尚无统一认识。 本文综述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理，并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。利用自制的超声雾化热解沉积技术生长了具有C轴择优取向的多晶ZnO薄膜，并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光光谱仪(UV-Vis absorption Spectrometer)、荧光光谱仪(PL Spectrometer)等测试手段，对ZnO薄膜的结构和性能进行表征。研究了各生长条件，如前驱物溶液浓度、衬底温度、沉积时间、退火处理和掺杂浓度对ZnO薄膜结构和性能的影响。实验结果表明，前驱物浓度增加有利于制备C轴取向生长的ZnO薄膜；400℃时，沉积出高质量C轴择优取向的ZnO薄膜，在氧气气氛下退火温度为600℃时，得到的薄膜结晶性较好；而且，掺杂浓度增加不利于ZnO薄膜的取向生长。受激发射光致发光结果表明，样品在600℃退火时390nm紫外发射最强，同时观察到强度较弱的可见光发光带。实验还发现，退火气氛可明显改变ZnO的本征和缺陷发光，可见发光机制探讨中，蓝绿发光的主要是由氧空位或锌填隙等缺陷引起的。(本文来源于《北京工业大学》期刊2004-05-01）
超声雾化热解论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对多壁碳纳米管(MWCNTs)进行氧等离子体改性,并将其超声分散于四氯化锡(SnCl4·5H2O)的盐溶液中,利用静电增强超声雾化热解法制备SnO_2-MWCNTs薄膜,研究了薄膜的气敏性能随沉积温度和MWCNTs掺杂量的变化关系。拉曼光谱分析结果表明MWCNTs中sp3杂化C含量增加,反映了MWCNTs表面接枝了含氧官能团。采用场发射扫描电镜、原子力显微镜对薄膜形貌进行表征,结果表明,随着沉积温度和MWCNTs掺杂量的增加,薄膜孔隙率、不匀率都有所增加。X射线衍射结果表明反应过程中SnCl_4·5H_2O全部转化为了四方晶系金红石结构的SnO_2,晶粒尺寸为3nm左右。气敏性能测试结果表明当沉积温度为300℃、MWCNTs掺杂量为10mg/mL,薄膜的气敏性能较好。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
超声雾化热解论文参考文献
[1].薛首峰.变价稀土氯化物溶液超声雾化热解制备氧化物的机制研究[D].东北大学.2017
[2].陶强,王瑞,王威,徐磊,王春红.SnO_2-MWCNTs薄膜的静电增强超声雾化热解法制备及其气敏性能[J].功能材料.2017
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[4].马海力.纳米结构ZnO超声雾化热解喷涂法制备与掺杂特性研究[D].华南理工大学.2014
[5].邓小红,李风,曾国勋,徐游,张廷晟.超声雾化热解法制备ATO薄膜及其性能研究[J].半导体技术.2013
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