溶胶—凝胶法制备Zn1-xMgxO薄膜及其性能研究

溶胶—凝胶法制备Zn1-xMgxO薄膜及其性能研究

论文摘要

氧化锌是一种Ⅱ-Ⅺ族宽禁带隙(3.30eV)氧化物半导体材料。具有较大的激子束缚能(~60meV),可以实现室温下的紫外受激辐射,是一种很有前途的紫外光电子器件材料,极具开发和应用价值,特别是ZnO薄膜紫外激射的发现,使它成为国内外在半导体材料研究中的新热点。传统上,ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明电极、紫外探测器等领域。近年来,ZnO作为宽禁带半导体光电材料的研究越来越受到人们的重视。ZnO薄膜有许多优点,如生长温度低,介电常数低,机电耦合系数大,温度稳定性好,光透过率高,受激辐射阈值低,化学性能稳定等。由于ZnO单晶生长困难、价格昂贵、尺寸小(仅有1cm3大小的单晶),难以满足各种应用的需要,因此对各种ZnO薄膜制备技术的研究和开发成为ZnO材料及器件应用研究的一个重要方向。目前,比较好的成膜技术有分子束外延(MBE)和脉冲激光沉积法(PLD)。但成本太高,不能实现大面积成膜。本论文采用溶胶一凝胶(Sol-Gel)工艺制备ZnO及ZnMgO合金薄膜,详细研究了升温速率、薄膜厚度、退火温度等工艺参数对薄膜的结晶质量和发光性能的影响。取得了一些有意义的结果。主要内容如下:1、采用溶胶—凝胶工艺使用不同的有机试剂在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,X射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO薄膜均为纤锌矿结构。但是使用乙二醇甲醚制备的ZnO薄膜呈现自由生长的特点;相反,使用聚乙烯纯所制备的ZnO薄膜则具有C柱择优取向生长的特性。2、室温下样品光致发光光谱的测量结果表明,所有的样品均有两个发射带,即近带边紫外发射和可见发射带。随退火温度的升高,样品的紫外发射带增强,可见光发射逐渐减弱,当退火温度升为600℃时,紫外发射最尖锐,几乎观察不到可见光发射。3、测量生长在玻璃基底上的氧化锌薄膜的吸收光谱,结果表明:样品在380nm附近有一陡峭的吸收边,所对应的能量值为3.20eV。ZnO薄膜透射光谱的测量结果表明:样品在可见光波段的平均透过率为85%。4、采用溶胶—凝胶法在玻璃衬底上制备Zn1-xMgxO(X=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7)合金薄膜。XRD衍射测试表明:在0.1<x<0.3范围内,合金薄膜仍然保持氧化锌六角型纤锌矿结构,(002)衍射峰位随x的增大向大角度方向移动,在X≥0.3的范围内,合金薄膜的结构则为氧化锌和氧化镁的混合结构;室温光致发光谱表明:ZnMgO合金薄膜PL谱都是由较强的紫外发射带组成,且随着Mg含量的增加紫外发射峰位发生蓝移,同时可见发射增强。

论文目录

  • 中文摘要
  • Abstract
  • 目录
  • 引言
  • 参考文献
  • 第一章 综述
  • 1.1 ZnO薄膜的基本特性
  • 1.1.1 ZnO薄膜的晶体结构
  • 1.1.2 ZnO薄膜的光电性质
  • 1.1.3 ZnO薄膜的气敏性质
  • 1.1.4 ZnO薄膜的压敏性质
  • 1.1.5 ZnO薄膜的紫外受激发射性质
  • 1.1.6 掺杂ZnO薄膜的磁学性质
  • 1.1.7 ZnO薄膜的压电性质
  • 1.2 ZnO薄膜的研究现状及进展
  • 1.3 ZnO材料研究中存在的问题
  • 1.4 本论文的主要工作
  • 参考文献
  • 第二章 氧化锌薄膜制备技术及表征手段
  • 2.1 ZnO薄膜的制备方法
  • 2.1.1 射频溅射法
  • 2.1.2 分子束外延法
  • 2.1.3 化学气相沉积法
  • 2.1.4 脉冲激光沉积法
  • 2.1.5 溶胶—凝胶法
  • 2.1.6 电子束蒸发法
  • 2.1.7 锌膜氧化法
  • 2.2 样品的分析和表征手段
  • 2.2.1 X射线衍射仪(XRD)
  • 2.2.2 原子力显微镜(AFM)
  • 2.2.3 荧光光谱
  • 参考文献
  • 第三章 溶胶—凝胶法原理和发展
  • 3.1 引言
  • 3.2 Sol-gel技术的分类与机理
  • 3.2.1 胶体溶胶—凝胶法
  • 3.2.2 金属有机物转变为无机聚合物的凝胶法
  • 3.2.3 形成有机聚合物的凝胶法
  • 参考文献
  • 第四章 采用Sol-gel方法制备ZnO薄膜
  • 4.1 ZnO薄膜的制备(方法一)
  • 4.1.1 KW匀胶机
  • 4.1.2 ZnO薄膜的制备
  • 4.1.3 实验结果和讨论
  • 4.1.3.1.不同退火模式对纯ZnO薄膜的微结构影响
  • 4.1.3.1.1 A退火过程对ZnO薄膜微结构的影响
  • 4.1.3.1.2 B退火过程对ZnO薄膜微结构的影响
  • 4.1.3.1.3 比较以上两种不同退火过程
  • 4.2 ZnO薄膜的制备(方法二)
  • 4.2.1 实验结果和讨论
  • 4.2.1.1 不同退火温度对ZnO薄膜结晶程度的影响
  • 4.2.1.2 ZnO薄膜的光致发光谱分析
  • 4.2.1.3 ZnO薄膜的吸收光谱分析
  • 4.2.1.4 有无参考片(玻璃)对ZnO薄膜透射率的影响
  • 4.2.1.5 ZnO薄膜的透射光谱分析
  • 参考文献
  • 1-xMgx O合金薄膜及性能研究'>第五章 采用PVA方法制备Zn1-xMgxO合金薄膜及性能研究
  • 5.1 引言
  • 5.2 实验方法
  • 5.3 实验结果和讨论
  • 1-xMgx O合金薄膜的XRD分析'>5.3.1 Zn1-xMgxO合金薄膜的XRD分析
  • 1-xMgx O合金薄膜结构的影响'>5.3.1.1 层数对Zn1-xMgxO合金薄膜结构的影响
  • 1-xMgx O合金薄膜结构的影响'>5.3.1.2 升温速率对Zn1-xMgxO合金薄膜结构的影响
  • 1-xMgx O合金薄膜择优取向的影响'>5.3.1.3 退火温度Zn1-xMgxO合金薄膜择优取向的影响
  • 1-xMgx O合金薄膜晶化程度的影响'>5.3.1.4 退火温度Zn1-xMgxO合金薄膜晶化程度的影响
  • 0.8Mg0.2O合金薄膜样品的表面形貌'>5.3.1.5 Zn0.8Mg0.2O合金薄膜样品的表面形貌
  • 2+的含量对Zn1-xMgx O合金薄膜结构的影响'>5.3.1.6 Mg2+的含量对Zn1-xMgxO合金薄膜结构的影响
  • 2+的含量对Zn1-xMgx O合金薄膜晶格常数的影响'>5.3.1.7 Mg2+的含量对Zn1-xMgxO合金薄膜晶格常数的影响
  • 1-xMgxO薄膜结构与Mg2+的含量之间的关系'>5.3.1.8 Zn1-xMgxO薄膜结构与Mg2+的含量之间的关系
  • 1-xMgx O合金薄膜的发光性能的表征'>5.3.2 Zn1-xMgxO合金薄膜的发光性能的表征
  • 1-xMgx O合金薄膜光致发光的影响'>5.3.2.1 升温速率对Zn1-xMgxO合金薄膜光致发光的影响
  • 2+的含量对Zn1-xMgx O合金薄膜光致发光的影响'>5.3.2.2 Mg2+的含量对Zn1-xMgxO合金薄膜光致发光的影响
  • 1-xMgxO合金薄膜光致发光的影响'>5.3.2.3 不同的退火温度对Zn1-xMgxO合金薄膜光致发光的影响
  • 1-xMg-x O合金薄膜吸收光谱的影响'>5.3.2.4 升温速率对Zn1-xMg-x O合金薄膜吸收光谱的影响
  • 2+的含量对Zn1-xMgxO合金薄膜吸收光谱的影响'>5.3.2.5 Mg2+的含量对Zn1-xMgxO合金薄膜吸收光谱的影响
  • 0.8Mg0.2O薄膜吸收光谱的影响'>5.3.2.6 退火温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜吸收光谱的影响
  • 1-xMgxO合金薄膜透射光谱的影响'>5.3.2.7 升温速率对Zn1-xMgxO合金薄膜透射光谱的影响
  • 1-xMgxO薄膜透射光谱的影响'>5.3.2.8 不同含量对Zn1-xMgxO薄膜透射光谱的影响
  • 0.8Mg0.2O薄膜透射光谱的影响'>5.3.2.9 退火温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜透射光谱的影响
  • 参考文献
  • 第六章 结论
  • 致谢
  • 攻读硕士期间发表的论文
  • 相关论文文献

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