论文摘要
随着现代VLSI设计技术和制造工艺的飞速发展,片上存储器容量日渐增大,特别是在系统芯片SOC设计中,将大量存储器嵌入到片内的设计方法已经非常普遍。存储器密度不断增加,存储单元面积越来越小,彼此之间越来越接近,存在故障的可能性越来越大。同时,嵌入式存储器可能存在的故障类型越来越多,使得测试时间和测试成本都急剧增长,SOC设计的兴起和发展给存储器的可测性设计带来巨大的挑战。存储器内建自测试(MBIST)降低了对测试设备(ATE)的要求,而且它所要求的芯片封装引脚的数目少,并允许对嵌入式存储器进行高速测试等优点,所以它是目前应用最广的存储器测试方法。本文分析了存储器的故障机理和故障模型,提出实现RAM可测性设计技术路线,分析各种可测性设计方法的优缺点。通过对存储器算法的研究和优化,找出合适的存储器测试算法,即March C+算法。在此基础上,设计了基于March C+算法的内建自测电路,给出了相应BIST电路硬件实现及其故障仿真结果。基于March C+算法的BIST结构具有可复用性、面积较小、速度较快、故障覆盖率高等特点,是未来存储器测试的主要发展方向。论文最后总结了研究成果,指出了尚需解决的几个问题以及今后的研究方向。
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