论文摘要
ZnO是一种具有广泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半导体材料,其室温禁带宽度是3.37eV,具有良好电学和光学特性,是制作紫外探测器件和紫外发光器件的理想材料。目前生长较高质量的ZnO薄膜通常采用蓝宝石,GaN或ZnO单晶为衬底,因为他们与ZnO晶格失配较小,但这几种材料价格昂贵,导电性差,难以集成。而在Si衬底上生长ZnO薄膜则可以克服以上缺点,但单晶Si与ZnO的晶格失配很大,很难在Si衬底上生长高质量的ZnO薄膜。本论文利用射频磁控溅射法,采用高纯度的O2和Ar为溅射工作气体。在Si衬底上制备ZnO薄膜,并研究不同溅射条件下的ZnO薄膜特性。然后引入与ZnO晶格失配较小的Al2O3作为缓冲层,进一步提高了Si衬底上ZnO薄膜的质量。最后对p-Si/n-ZnO紫外探测器做了探索性的研究。
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