论文摘要
采用助熔剂提拉生长出了无宏观缺陷、光学均匀性好的单掺Er和双掺Mg/Er近化学计量比的LiNbO3(N-SLN)单晶体,研究总结出了最佳生长工艺参数。采用红外吸收光谱和紫外吸收谱研究了晶体中的微观缺陷。结果表明,双掺Mg/Er近化学计量比LiNbO3晶体的MgO掺杂阈值浓度为1mol%左右;随MgO掺杂浓度的增加,其成分偏离化学计量比程度增大,紫外吸收边先是红移,然后不断的紫移;晶体对紫外-可见光的吸收强度逐渐减小。以晶体的紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)吸收光谱为数据来源,采用基于室温(300K)下单轴晶体非偏振光谱的J-O理论模型,计算了J-O参数、能级跃迁强度、能级寿命、荧光分支比等光谱参数。结果显示J-O参数Ω4和Ω6随着MgO掺杂浓度的增加而减少;在MgO掺杂未达到阈值浓度时,光谱的品质因子X值随着MgO掺杂浓度的增加而增大,MgO掺杂浓度达到阈值后,X值开始随着MgO掺杂浓度的增加而减少。4S3/2能级寿命理论值随MgO掺杂浓度的增加而增大,而其实验测得值却近似为一常数(25μs),晶体中Er3+离子4S3/2能级辐射量子效率(η)随着MgO掺杂浓度的增加而减小。团位簇Er3+离子对于800nm激发的上转换550nm绿光发光是有害的;双掺Mg(0.5mol%)/Er(1mol%)近化学计量比LiNbO3晶体的上转换550nm绿光发光性能最好;在掺MgO浓度低于阈值浓度时,团位簇Er3+离子浓度随着MgO掺杂浓度的提高而稍微减少;当MgO的掺杂浓度超过域值浓度时,晶体中团位簇Er3+离子浓度骤然增多,且随着MgO掺杂浓度的增加而逐渐增大;晶体中Er3+离子4S3/2能级无辐射衰减是由团位簇Er3+离子间交叉驰豫无辐射能量转移造成的;800nm激发的Er3+离子上转换550nm绿光发光是以基态吸收(GSA)/激发态吸收(ESA)为机制的双光子上转换发光。双掺Mg/Er近化学计量比LiNbO3晶体的抗光损伤能力比相同掺杂量的同成分LiNbO3晶体高出了4个数量级;单掺Er(1mol%)的近化学计量比LiNbO3晶体的抗光损伤能力比双掺Mg(0.5mol%)/Er(1mol%)近化学计量比LiNbO3晶体的抗光损伤能力低一个数量级。
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摘要Abstract第1章 绪论1.1 课题的意义和背景3 晶体的晶格结构及本征缺陷模型'>1.2 LiNbO3晶体的晶格结构及本征缺陷模型3 晶体的结构'>1.2.1 LiNbO3晶体的结构3 晶体的本征缺陷结构模型'>1.2.2 LiNbO3晶体的本征缺陷结构模型3 晶体性能特点及应用'>1.3 近化学计量比 LiNbO3晶体性能特点及应用1.4 国内外研究进展3+ 离子在 LiNbO3 晶体中上转换发射机制'>1.4.1 Er3+ 离子在 LiNbO3晶体中上转换发射机制3 晶体抗光损伤性能'>1.4.2 LiNbO3晶体抗光损伤性能1.5 论文的主要研究内容第2章 试验材料与实验方法2.1 晶体生长2.1.1 原料及配比2.1.2 晶体生长工艺参数2.1.3 生长过程及其控制2.2 晶体后处理2.3 微观结构测试2.3.1 红外吸收光谱测试2.3.2 紫外-可见-近红外吸收光谱测试2.4 绿光上转换发射性能的测量2.5 抗光损伤能力测试3 晶体的微观缺陷'>第3章 Mg/ Er近化学计量比LiNbO3晶体的微观缺陷3.1 红外吸收光谱随 MgO 掺杂浓度的变化3.2 紫外吸收边的移动与 MgO 浓度的关系3.3 本章小结3 晶体的吸收特性 及J- O理论分析'>第4章 Mg/Er近化学计量比LiNbO3 晶体的吸收特性 及J- O理论分析4.1 J- O 基础理论模型的建立4.1.1 各向同性基质的 J - O 理论模型4.1.2 单轴晶体的 J- O 理论模型4.2 吸收光谱参数的计算4.3 晶体上转换激光性能的预测4.4 本章小结3 晶体的上转换发射与抗光损伤性能'>第5章 Mg/Er近化学计量比LiNbO3晶体的上转换发射与抗光损伤性能5.1 上转换稳态发射性能3+离子4S3/2 能级的衰减行为和机制'>5.2 Er3+离子4S3/2能级的衰减行为和机制5.3 簇位离子的再分布5.4 上转换绿光发射机制5.5 晶体抗光损伤能力与增强机理5.5.1 晶体抗光损伤能力与 MgO 浓度的关系5.5.2 晶体抗光损伤能力增强机理5.6 本章小结结论参考文献致谢
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双掺镁铒近化学计量比铌酸锂晶体微观缺陷与上转换性能
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