高温快速热处理对直拉硅单晶中杂质行为的影响

高温快速热处理对直拉硅单晶中杂质行为的影响

论文摘要

快速热处理(RTP)作为一种敏捷制造手段,近十年来在直拉硅片内吸杂工艺中得到很好的应用,其根本原因在于高温RTP引入的空位能增强直拉硅片的氧沉淀且空位浓度的深度分布可以受控。虽然高温RTP对轻掺直拉硅片氧沉淀的影响规律已经得到很好的阐明,但这些规律是否适用于重掺直拉硅片还不清楚。此外,实验发现氮气氛下的高温RTP对直拉硅片氧沉淀的增强作用强于氩气氛下的高温RTP,但其机理还没有彻底清楚。本文研究了高温RTP对重掺砷直拉硅片氧沉淀的影响;研究了硅片在氮气氛下高温RTP过程中氮原子的内扩散行为,其目的在于理解氮气氛下的高温RTP对直拉硅片氧沉淀增强作用的机制。此外,还研究了氮气氛下高温RTP引入的氮杂质对硅片机械强度的影响。本文取得了如下主要结果:(1)对比研究了未经高温RTP和经过1100-1250℃下的RTP预处理的重掺砷直拉硅片在经历后续低温(450,650或800℃)处理4小时和高温(1000℃)处理16小时的氧沉淀情况。研究发现,RTP预处理可以明显促进重掺砷硅片中氧沉淀的形成,并且该促进作用在800℃形核时表现得最为明显,但650℃仍是氧沉淀的最易形核温度。根据这些结果,阐明了重掺砷直拉硅片在不同低温下的氧沉淀形核机制及高温RTP对氧沉淀形核的影响。(2)对比研究了未经过RTP和经过1250℃的RTP预处理的普通和掺氮的重掺砷直拉硅片在经历后续低温(450,650或800℃)处理4小时和高温(1000℃)处理16小时的氧沉淀情况。研究表明,无论是否经过RTP预处理,氮杂质都能促进重掺砷直拉硅片的氧沉淀。未经过RTP预处理时,普通和掺氮样品中氧沉淀的最易形核温度为650℃,并且氮在650℃对氧沉淀形核的促进作用最为明显;当经过RTP预处理后,普通重掺砷硅片中氧沉淀的最易形核温度为650℃,而掺氮的重掺砷硅片中氧沉淀的最易形核温度为800℃,并且氮在800℃对氧沉淀形核的促进作用最为明显。(3)研究了氮气氛下高温RTP过程中氮杂质在硅片中的内扩散过程。研究发现,在1150-1250℃的RTP过程中,氮杂质在硅片中发生了显著的内扩散,氮浓度随RTP温度的升高而增加。经过1250℃/90s的RTP后,扩散到硅片表面区域的氮杂质的浓度可达1×1016 cm-3,而扩散至深度为100μm处的氮杂质的浓度为5×1015cm-3。研究还表明,在1250℃进行30-90s的RTP时,氮杂质浓度随时间增加而升高。X光电子谱研究表明,RTP中的卤钨灯光照促进了硅片表面的氮化。与此同时,RTP的高温过程中硅片表面处的-Si-N-键被分解,从而使氮原子向硅片体内扩散。计算表明在1250℃时氮在硅中的扩散系数为10-6cm2/s数量级。上述结果表明,氮气氛下的高温RTP不仅在硅片中注入高浓度的空位,同时也注入高浓度的氮杂质,因而比氩气氛的高温RTP有更强的氧沉淀促进作用。(4)研究了经氩气和氮气氛下1150-1250℃的RTP预处理的直拉硅片中受压痕引入的位错在后续热处理过程中的滑移行为。研究表明,氩气氛下的RTP预处理对硅片中位错的滑移行为几乎没有影响,而在氮气氛下的RTP预处理则使硅片中位错的最大滑移距离和滑移速度都得到显著的降低,并且其降低程度随着RTP温度的升高而增强。这表明氮气氛下的RTP预处理在硅片中引入的氮杂质显著提高了硅片的机械强度。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 目录
  • 第1章 前言
  • 第2章 文献综述
  • 2.1 引言
  • 2.2 直拉硅单晶中的氧和氧沉淀
  • 2.2.1 直拉硅中的氧
  • 2.2.1.1 氧的引入
  • 2.2.1.2 氧在硅单晶的性质
  • 2.2.2 直拉硅中的氧沉淀
  • 2.2.2.1 氧沉淀的基本性质
  • 2.2.2.2 氧沉淀的形核和长大
  • 2.2.2.3 氧沉淀的影响因素
  • 2.3 高温快速热处理(RTP)
  • 2.3.1 RTP引入空位
  • 2.3.2 RTP对空位浓度的影响
  • 2.3.3 RTP对氧沉淀浓度的影响
  • 2.3.4 RTP对洁净区的影响
  • 2.4 硅单晶中的氮杂质
  • 2.4.1 硅中氮的基本性质
  • 2.4.2 硅中氮的测量
  • 2.4.3 硅中氮的掺杂
  • 2.4.4 氮杂质对硅单晶性质的影响
  • 2.4.4.1. 氮对硅片机械性能的提高
  • 2.4.4.2 氮对硅片中void缺陷的影响
  • 2.4.4.3 氮对硅片氧沉淀的影响
  • 2.5 重掺杂硅单晶对氧沉淀的影响
  • 2.5.1 重掺硼对氧沉淀的影响
  • 2.5.2 重掺锑对氧沉淀的影响
  • 2.5.3 重掺磷对氧沉淀的影响
  • 2.5.4 重掺砷对氧沉淀的影响
  • 第3章 实验样品和实验设备
  • 3.1 实验样品及样品制备
  • 3.1.1 实验样品
  • 3.1.2 样品制备
  • 3.2 热处理设备
  • 3.2.1 普通扩散炉退火(CFA)
  • 3.2.2 快速热处理退火(RTP)
  • 3.3 主要测试方法和测试设备
  • 3.3.1 硅片中间隙氧浓度的测试方法
  • 3.3.2 硅片中N浓度测试方法
  • 3.3.3 择择优腐蚀和光学显微镜
  • 3.3.4 扫描红外显微镜(SIRM)
  • 3.3.5 X射线光电子能谱分析(XPS)
  • 第4章 高温快速热处理对重掺砷直拉硅单晶中氧沉淀的影响
  • 4.1 引言
  • 4.2 实验
  • 4.3 实验结果与分析
  • 4.3.1 单步热退火对重掺砷氧沉淀的影响
  • 4.3.2 低-高两步热处理对重掺砷直拉硅单晶中氧沉淀行为的影响
  • 4.3.3 不同温度高温RTP预处理对重掺砷直拉硅单晶中氧沉淀行为的影响
  • 4.4 本章小结
  • 第5章 氮杂质对重掺砷直拉硅单晶中氧沉淀的影响
  • 5.1 引言
  • 5.2 实验
  • 5.2.1 实验样品
  • 5.2.2 实验过程
  • 5.3 实验结果与分析
  • 5.3.1 高温RTP预处理对原生氧沉淀的消融作用
  • 5.3.2 掺氮对重掺砷硅片在低-高热处理过程中氧沉淀的影响
  • 5.4 本章小结
  • 第6章 高温快速热处理过程中N的内扩散
  • 6.1 引言
  • 6.2 实验
  • 6.2.1 实验样品
  • 6.2.2 实验过程
  • 6.3 实验结果与分析
  • 6.3.1 高温RTP条件对硅单晶中N扩散的影响
  • 6.3.2 高温RTP过程中注入的N杂质对硅片中氧沉淀的影响
  • 6.4 本章小结
  • 第7章 高温RTP处理对直拉硅片机械性能的影响
  • 7.1 引言
  • 7.2 实验
  • 7.2.1 实验样品
  • 7.2.2 实验过程
  • 7.3 实验结果与分析
  • 7.4 本章小结
  • 第8章 全文小结
  • 参考文献
  • 致谢
  • 个人简历
  • 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果
  • 相关论文文献

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