论文摘要
本论文研究并确定了部分Al-La-Sb三元系合金相图773k等温截面以及化合物Al0．33ErGe2、Al2ErGe2、Dy5Co6Sn18、Mg21Ga5Hg3等的晶体结构与性能。主要内容如下：1、Al-La-Sb三元合金相图773K等温截面利用X射线衍射分析和光学显微镜等方法，测定了部分Al-La-Sb三元系合金相图773k等温截面中的相关系。该等温截面由12个三相区、25个两相区、14个单相区组成。证实了二元化合物Al4La5的存在及存在一个新的二元化合物AlLa2。2、新化合物的晶体结构和性能利用X射线粉末衍射和Rietveld结构精修方法测定了化合物Al0．32ErGe2的晶体结构，其结构数据如下：a=0．40701（2）nm，b=1．60401（9）nm，c=0．39240（2）nm，z=4，密度Dcalc=8．326g／cm3,空间群为Cmcm（No．63），有缺陷的CeNiSi2的结构类型。Rietveld结构修正的最后结果为：峰形因子Rp=10．6％，权重因子Rwp=14．7％。在高温测量范围298K-773K内，利用高温X射线衍射技术研究了化合物的热膨胀性能。得到该化合物的晶胞参数和晶胞体积的热膨胀系数分别为αa=1．72×10-5K-1，αb=1．11×10-5K-1，αc=1．52×10-5K-1，αv=4．35×10-5K-1。在2K-300K温度范围用四探针电阻测试仪对Al0．32ErGe2的电阻进行了测量，结果表明在整个测量范围内呈现良好的金属性。对化合物Al2ErGe2的晶体结构进行了Rietveld精修，其结构数据如下：a=0．41781（9）nm，c=0．66698（1）nm，z=1，密度Dcalc=6．032g／cm3，空间群为P3m1（No．164），Al2CaSi2的结构类型。Rietveld结构修正的最后结果为：峰形R因子Rp=9．97％，权重因子Rwp=13．74％。在高温测量范围298K-913K内，利用高温X射线衍射技术研究了化合物的热膨胀性能。得到该化合物的晶胞参数和晶胞体积的热膨胀系数分别为αa=0．90×10-5K-1，αc=1．25×10-5K-1，αv=3．03×10-5K-1。利用X射线粉末衍射和Rietveld结构精修方法测定了化合物Dy5Co6Sn18的晶体结构，其结构数据如下：a=1．35598（3）nm，c=2．71470（5）nm，z=8，密度Dcalc=8．789g／cm3，空间群为I41／acd（No．142），Tb5Rh6Sn18的结构类型。Rietveld结构修正的最后结果为：峰形因子Rp=5．42％，权重因子Rwp=8．07％。在2K-300K的温度范围内用四探针电阻测试仪对化合物的电阻进行了测量，用超导量子干涉仪在2-300K对化合物的磁性能做了测量。其结果表明此化合物符合居里外斯定律，其居里温度和有效磁矩分别为-15．7K和10．61μB，在整个测温范围内，化合物呈现金属特性。利用粉末衍射和尝试法测定了新化合物Mg21Ga5Hg3的晶体结构。其结构数据如下：a=1．45391（5）nm，c=1．15955（4）nm，Z=4，密度Dcalc=4．004g／cm3，空间群为I41／a（No．88），Ge8Pd21的结构类型。Rietveld结构修正的最后结果为：峰形因子Rp=6．37％，权重因子Rwp=8．25％。在高温测量范围298K-693K内，利用高温X射线衍射技术研究了化合物的热膨胀性能。得到该化合物的晶胞参数和晶胞体积的热膨胀系数分别为αa=2．6×10-5K-1.，αc=2．02×10-5K-1，αv=7．25×10-5K-1在2K-300K的温度范围内用四探针电阻测试仪对化合物的电阻进行了测量，在整个测温范围内，化合物呈现金属特性。