本文主要研究内容
作者张逸飞,李珊,杨晓京,吴绍华,刘浩（2019）在《含有空位缺陷的单晶锗纳米切削过程分子动力学仿真》一文中研究指出：针对含有空位缺陷的单晶锗纳米切削过程展开研究,利用分子动力学仿真软件构建了含有空位缺陷的单晶锗切削模型并进行了分子动力学仿真切削。文中从原子角度考虑了切削过程中系统势能的变化、切削力的变化,解释了材料的去除过程和切屑的形成机理,并分析了空位缺陷对切削的影响。结果显示在切削过程中,单晶锗晶体所含空位数越多则基础系统势能越大,且随着切削的进行系统势能逐渐增大。该结果表明空位缺陷的增加会加剧系统的不稳定性。
Abstract
zhen dui han you kong wei que xian de chan jing du na mi qie xiao guo cheng zhan kai yan jiu ,li yong fen zi dong li xue fang zhen ruan jian gou jian le han you kong wei que xian de chan jing du qie xiao mo xing bing jin hang le fen zi dong li xue fang zhen qie xiao 。wen zhong cong yuan zi jiao du kao lv le qie xiao guo cheng zhong ji tong shi neng de bian hua 、qie xiao li de bian hua ,jie shi le cai liao de qu chu guo cheng he qie xie de xing cheng ji li ,bing fen xi le kong wei que xian dui qie xiao de ying xiang 。jie guo xian shi zai qie xiao guo cheng zhong ,chan jing du jing ti suo han kong wei shu yue duo ze ji chu ji tong shi neng yue da ,ju sui zhao qie xiao de jin hang ji tong shi neng zhu jian zeng da 。gai jie guo biao ming kong wei que xian de zeng jia hui jia ju ji tong de bu wen ding xing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电子科技的张逸飞,李珊,杨晓京,吴绍华,刘浩，发表于刊物电子科技2019年12期论文，是一篇关于分子动力学仿真论文,切削模型论文,空位缺陷论文,单晶锗论文,系统势能论文,切削力论文,电子科技2019年12期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电子科技2019年12期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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