论文摘要
本文介绍了常用的微区电阻测试方法,通过比较各种方法的优劣,选择四探针方法进行研究,分析了常规直线四探针法的基本原理、测准条件、电流量的选择、边缘和厚度的修正以及测量区域的选择。从常规直线四探针法入手,引进了改进的范德堡法,即斜置式四探针法,阐述了该方法优于常规直线四探针法的测量原理及测试条件,然后基于常规直线四探针法和改进的范德堡法,探讨了用于测量薄层电阻率的斜置式方形Rymaszewski四探针法的原理,用该方法测定了4吋圆形硅片的电阻率分布。从电阻率的统计分布出发,确定了电阻率的分割数和差值,并且选择合适的门槛值,利用模糊数学将电阻率数据归于不同的模糊集,同一模糊集对应相同的电阻率,这样使得电阻率能以一定间隔分布,然后应用MATLAB软件画出电阻率的图形,以构成Mapping图。选取的Mapping图表示方法有:径向图、径向对比图、彩图、灰度图和等值线图。比较各种薄层电阻分布图的表示方法,优选出最理想的表征薄层电阻的Mapping图,即灰度显示,对样品的测试结果进行表示。表征薄层电阻的Mapping图的研究目的在于使薄层电阻分布情况一目了然,提高对测试结果的分析效果。本课题拟以改进原有样机对处理结果的表示方法为目标,改进后的处理结果直观、具体。
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摘要ABSTRACT目录符号说明第一章 绪论§1-1 概述1-1-1 选题背景及意义§1-2 半导体测量技术的发展1-2-1 半导体测量技术简介1-2-2 半导体微区电阻检测方法分类§1-3 Mapping 技术的研究与发展§1-4 图像处理与分析1-4-1 图像定义1-4-2 图像的特点1-4-3 图像工程1-4-4 图像处理方法§1-5 本论文的主要研究内容第二章 微区薄层电阻测试技术§2-1 微区薄层电阻测试的重要性2-1-1 二极管的反向饱和电流2-1-2 反向耐压2-1-3 晶体管的饱和压降2-1-4 晶体管放大倍数β2-1-5 MOS 电容耗尽层弛豫时间Tc2-1-6 GaAs 器件阈值分散性2-1-7 化合物半导体计量比一致性2-1-8 材料结构强度判定依据2-1-9 硅可控整流器§2-2 影响薄层电阻测试的主要因素2-2-1 薄层电阻测量方法简介2-2-2 环境温、湿度2-2-3 测试设备电流的泄露2-2-4 测试电压2-2-5 测试时间2-2-6 外界干扰§2-3 常用的微区电阻测试方法2-3-1 无接触测量法2-3-2 接触测量法第三章 四探针测试技术测量薄层电阻的原理和方法§3-1 四探针测试技术综述§3-2 常规直线四探针法3-2-1 常规直线四探针法的基本原理3-2-2 直线四探针法的测准条件分析3-2-3 测量电流的选择3-2-4 直线四探针技术的边缘和厚度修正3-2-5 直线四探针法测量区域的局限§3-3 改进的范德堡法3-3-1 改进的范德堡法的基本原理3-3-2 改进的范德堡法测试条件分析§3-4 斜置式方形Rymaszewski 四探针法§3-5 实验所用仪器介绍第四章 Mapping 图表示方法及设计思路§4-1 实验软件MATLAB 介绍4-1-1 MATLAB 的历史与发展4-1-2 MATLAB 的应用功能4-1-3 MATLAB 的特点§4-2 数据显示方法4-2-1 一维表示方法4-2-2 二维表示方法4-2-3 三维表示方法§4-3 电阻率分布显示设计方法4-3-1 径向图与径向对比图4-3-2 彩色图与灰度图显示4-3-3 等值线图形显示§4-4 实测四吋圆形硅片电阻率分布第五章 电阻率分布自动显示设计§5-1 电阻率分布自动显示设计方案5-1-1 电阻率分布自动显示方法概述5-1-2 电阻率分布自动显示设计思路5-1-3 生成COM 组件5-1-4 VC++设置§5-2 界面设计及运行原理第六章 结论与展望§6-1 主要结论§6-2 未来展望参考文献附录 A附录 B附录 C致谢
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标签：技术论文; 薄层电阻论文; 四探针测试技术论文;
