抛物量子阱中的类氢杂质态和激子

论文题目: 抛物量子阱中的类氢杂质态和激子

论文类型: 博士论文

论文专业: 理论物理

作者: 王志平

导师: 梁希侠

关键词: 激子,分维法,电子声子相互作用,抛物量子阱,类氢杂质态,双激子

文献来源: 内蒙古大学

发表年度: 2005

论文摘要: 本文研究有限深抛物量子阱中的类氢杂质态和激子及相关问题,共分五个部分: 第一部分,简单综述了抛物量子阱材料的特殊性能和应用前景,以及理论上对这种材料中的电子态、杂质态、激子态、双激子分子和电子—声子相互作用的研究现状,阐明了本文的研究意义。第二部分,为寻求描述抛物量子阱中电子—声子相互作用的有效方法,我们采用体声子近似和LLP变分法讨论抛物量子阱中极化子的能量和有效质量,并在使用真实的量子阱材料GaAs/Al0.3Ga0.7As实验测得的参数条件下,获得了能量和有效质量随阱宽的变化规律。结果表明:对于有限深抛物阱,极化子能量和有效质量均随着阱宽的变化出现预期的极大值;对于无限深抛物阱,二者随着阱宽的增大而单调地减小,所得结果在极限时与已有理论符合。物理分析计算结果并与前人的理论工作对比后,我们得出结论,尽管抛物量子阱材料中的声子结构相当复杂,目前理论上还没有获得该材料中光学声子和电子—声子相互作用的完整描述,但体声子近似无疑是研究该问题和相关理论问题的一个十分有效方法。这一结论对于在这一研究领域的实验和理论工作者具有参考价值。第三部分,作为理论方法的探讨和简化,我们运用三参数变分法,研究在垂直于生长方向的磁场作用下抛物阱中类氢杂质态的束缚能和1s→2p态跃迁能。结果表明,束缚能和跃迁能随阱宽变化有一极大值;束缚能随磁场单调增加,跃迁能随磁场的变化则出现了极小值。所得结果说明我们的计算方法切实可行,对深刻理解量子阱中杂质态的性质有一定的帮助。第四部分,是本文的核心部分。借鉴研究类似问题的分维法,将整数维空间的各向异性问题转化为分数维空间的各向同性问题处理,建立了研究抛物量子阱中激子态之分维模

论文目录:

第一章绪论

1．1 国内外研究进展

1．2 论文内容的安排

第二章抛物量子阱中的极化子

2．1 电子的本征态和本征值

2．2 理论模型和幺正变换

2．3 基态能量和有效质量

2．4 数值计算和讨论

2．5 结论

第三章抛物量子阱中的类氢杂质态

3．1 哈密顿量和变分能量

3．2 数值计算和讨论

3．3 结论

第四章抛物量子阱中激子的束缚能

4．1 理论

4．2 分维法

4．3 数值计算和讨论

4．4 结论

第五章抛物量子阱中激子的极化子效应

5．1 激子—声子系统的哈密顿量和幺正变换

5．2 激子基态能量

5．3 激子束缚能

5．4 数值计算和讨论

5．5 结论

第六章抛物量子阱中激子的斯塔克效应

6．1 理论模型

6．2 数值计算和讨论

6．3 结论

第七章抛物量子阱中双激子的束缚能

7．1 理论模型

7．2 本征能量

7．3 数值计算和讨论

7．4 结论

参考文献

致谢

作者攻读博士学位期间发表或完成的论文目录

发布时间: 2005-12-05

参考文献

[1].氮化物多量子阱结构光电器件性能研究[D]. 吴海燕.中国科学院大学(中国科学院物理研究所)2018
[2].界面处理调控InGaN/GaN多量子阱结构光学性能的研究[D]. 朱亚丹.太原理工大学2018
[3].1.3μm应变量子阱激光器与光放大器的结构优化与制作[D]. 金锦炎.武汉大学2004
[4].AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的研究[D]. 雷双瑛.北京大学2006
[5].准备层及量子阱区生长条件对Si衬底GaN基LED性能影响的研究[D]. 齐维靖.南昌大学2018
[6].高光效硅衬底GaN基黄光发光二极管发光性能研究[D]. 陶喜霞.南昌大学2018
[7].双势垒抛物量子阱结构中的电子隧穿[D]. 宫箭.内蒙古大学2005
[8].ZnTe基和ZnSe基复合结构的光学性质[D]. 金华.中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）2005
[9].耦合量子阱能级特性与结构优化的研究[D]. 徐枝新.浙江大学2006
[10].CdZnTe和CdZnSe量子复合结构的生长及光学性质研究[D]. 张振中.中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）2004

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