论文摘要
SrCu2O2(SCO)薄膜是1998年A.kudo等人首次制备出的非铜铁矿结构的p型直接带隙透明导电氧化物薄膜。利用该薄膜与n型氧化锌已成功制备了透明的异质结近紫外发光二极管等器件,表明了SCO广阔的应用前景。SrCu2O2已经成为当前透明导电薄膜研究领域的热点之一。本文利用固相反应烧结法合成了Ca掺杂SrCu2O2粉末(Ca0.1Sr0.9Cu2O2),并制备了溅射用陶瓷靶材,采用直流磁控溅射法用自制的陶瓷靶制备出较高质量的SCO薄膜,并用XRD、SEM、EDS等测试手段对靶材和沉积的薄膜进行了结构和形貌的表征及分析,并用紫外-可见双光束分光光度计、霍尔效应测试仪对不同条件下制备的薄膜的光学和电学性能进行了分析。靶材检测结果表明:表面比较平整,元素分布较均匀,基本符合溅射靶材的要求。薄膜检测结果表明::SCO膜为多晶结构,晶粒尺寸为100nm左右,表面较平整,晶粒大小均匀,含有Ca、Sr、Cu、O、C元素,Ca已成功掺杂入SCO薄膜。退火处理能使其结晶度提高。光谱分析结果表明:SCO膜的可见光透射率达到70%以上,随着氧浓度、基片温度和溅射时间的增加,薄膜的透射率减小,随着工作压强、靶基距的提高,薄膜的透光率会上升,透光率经退火处理后有明显的增大。电学性能分析结果表明:SCO膜为p型导电,其电阻率受氧氩比和退火处理的影响较大。随着氧氩比的增大,电阻率先减小后增大,载流子浓度和迁移率先增大后减小。经退火处理后,电阻率减小,载流子浓度和迁移率增大。根据对SCO薄膜的组织结构和光电性质的研究,提出了直流磁控溅射法制备SCO薄膜的最佳工艺条件为:氧氩比12/24,衬底温度200℃,工作压强5.0Pa,靶基距7.0cm,功率36W,退火条件为氮气环境下800℃退火1h。在此条件下制备的薄膜的电阻率为21.2Ω·cm,载流子浓度为4.073×1016cm-3,透射率达到70%以上。
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