GaAs基高密度InAs量子点材料制备与表征

论文摘要

近年来,由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性,越来越被人们关注,所以量子点材料的制备和性质的研究,是当今社会最前沿的科学技术,尤其是Ⅲ-Ⅴ族体系的一些材料具有非常广阔的应用前景,需要人们不断去探索。本文是利用MBE生长技术制备高密度GaAs基InAs量子点材料,首先详细的介绍了MBE的具体设备,分析了对量子点形成的影响因素,利用原子力显微镜（AFM）和扫描电镜（SEM）等手段研究了生长条件、生长温度、生长速率、沉积厚度以及砷压对量子点的面密度,平均高度,表面形貌等一些性质的影响,并给出了合理的解释。利用光致发光谱（PL）研究了温度和激发功率的变化对InAs/GaAs量子点材料发光特性的影响。又提出了应变层中In的组分对量子点的均匀性及发光波长的影响,并对影响规律给出了理论解释。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 第一章 绪论
• 1.1 引言
• 1.2 半导体量子点的生长技术
• 1.3 应变自组装InAs/GaAs量子点的生长原理
• 1.4 量子点材料和器件的发展现状
• 1.5 本章小结及其本论文安排
• 第二章 MBE生长技术和材料表征技术
• 2.1 分子束外延（MBE）简介
• 2.2 光致发光（PL）表征
• 2.3 原子力扫描显微镜（AFM）
• 2.4 扫描电子显微镜（SEM）
• 2.5 本章小结
• 第三章 高密度InAs量子点的外延生长
• 3.1 引言
• 3.2 生长前设备的准备工作
• 3.3 量子点的生长过程
• 3.4 结果与讨论
• 3.5 本章小结
• 第四章 InGaAs应变层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响
• 4.1 引言
• 4.2 样品的制备和测试
• 4.3 实验结果和讨论
• 4.4 本章小结
• 结论
• 致谢
• 参考文献