论文摘要
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的直接带隙、宽禁带半导体材料,具有六方纤锌矿结构。由于ZnO具有优异的压电、光电、气敏、压敏等特性;近年来受到广泛的关注和研究。Al掺杂ZnO薄膜不但具有较低的电阻率,而且由于Al的掺入使其具有更优异的光学、电学特性,尤其是作为透明导电薄膜(TCO),可以和目前广泛应用的锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜相比拟,因此被认为是最具开发潜力的第三代半导体材料。但高质量的ZnO及Al掺杂薄膜多数是由物理法制备出来的,而物理法昂贵的成本、复杂的工艺流程一定程度上阻碍了大规模生产。成本低廉、工艺流程简单、配比精确的制备方法成为众多科研人员的研究目标。本文利用常用于粉体制备的反胶束微乳液法,成功制备出晶粒尺寸均匀的不同Al掺杂量的纳米ZnO粉体,并在此基础上进一步结合提拉法和旋转涂膜法等制膜工艺尝试在普通玻璃衬底上制备不同Al掺杂量的纳米ZnO薄膜,并成功制备出具有c轴择优取向的Al掺杂纳米ZnO薄膜。通过对前驱溶液低温蒸干产物的差热-热重分析,结合对不同热处理温度下样品的红外光谱的研究,进一步改进了热处理工艺,提高产品的质量;通过XRD、紫外-可见光光谱分析,研究了不同前驱溶液的加入量和Al掺杂量对ZnO粉体和薄膜的晶体结构、取向生长和平均晶粒尺寸的影响。结果表明,随着Al掺杂量的提高,ZnO的相应衍射峰位向小角度方向移动,晶面间距变大,ZnO薄膜的紫外吸收边有蓝移的现象,并在Al掺杂量(Al3+/Zn2+摩尔比)为3%时达到紫外吸收边短波方向上的极小值,根据Burstein-Moss效应从理论上分析了Al掺杂量与ZnO样品载流子浓度变化的关系。
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摘要Abstract第1章 绪论1.1 研究背景1.2 ZnO概述1.2.1 ZnO的基本参数及晶体结构1.2.2 ZnO的常见缺陷1.2.3 ZnO的应用1.2.3.1 压电应用1.2.3.2 气敏应用1.2.3.3 光电应用1.2.3.4 磁学应用1.2.3.5 其他应用1.3 Al掺杂纳米ZnO薄膜的制备方法及研究进展1.3.1 国内外制备Al掺杂纳米ZnO薄膜的方法1.3.1.1 物理制备方法1.3.1.2 化学制备方法1.3.2 Al掺杂的纳米ZnO薄膜的研究进展1.3.2.1 电子束蒸发反应法1.3.2.2 磁控溅射法1.3.2.3 溶胶-凝胶法1.3.2.4 其他方法1.4 本文的主要研究内容、目的和意义1.4.1 本文的研究内容1.4.2 本文的研究目的和意义第2章 实验原理及实验方法2.1 实验原理2.1.1 反胶束微乳液形成原理2.1.1.1 表面活性剂2.1.1.2 胶束与反胶束2.1.1.3 微乳液2.1.2 制备Al掺杂ZnO的原理2.2 实验仪器及实验药品2.2.1 实验仪器2.2.2 实验药品及试剂2.3 实验方法2.3.1 前驱溶液的配制2.3.1.1 前驱溶液配比的确定2.3.1.2 前驱溶液的配制2.3.2 前驱溶液的离心沉淀2.3.3 前驱薄膜的制备2.3.3.1 滴管滴膜法2.3.3.2 蒸干法2.3.3.3 提拉法2.3.3.4 旋转涂膜法2.3.4 粉体和薄膜的热处理2.3.5 薄膜样品的表征与分析2.3.5.1 X射线衍射分析(XRD)2.3.5.2 差热-热重(DTA-TG)分析2.3.5.3 红外(IR)光谱分析2.3.5.4 紫外-可见光(UV-VIS)光谱分析第3章 Al掺杂纳米ZnO粉体的制备及分析3.1 引言3.2 Al掺杂纳米ZnO粉体的制备3.2.1 前驱溶液的配制3.2.2 前驱溶液的离心沉淀及热处理过程3.3 结果与讨论3.3.1 差热-热重(DTA-TG)分析3.3.1.1 样品的差热-热重曲线测试方法3.3.1.2 差热-热重曲线及其分析3.3.2 红外(IR)光谱分析3.3.2.1 样品的红外(IR)光谱测试方法3.3.2.2 红外(IR)光谱及其分析3.3.3 Al掺杂纳米ZnO粉体的XRD表征与分析3.4 本章小结第4章 Al掺杂纳米ZnO薄膜的制备及分析4.1 引言4.2 Al掺杂纳米ZnO薄膜的制备4.2.1 前驱溶液的配制4.2.1.1 前驱溶液配比的确定4.2.1.2 前驱溶液的配制4.2.2 前驱薄膜的制备4.2.2.1 滴管滴膜法4.2.2.2 蒸干法4.2.2.3 提拉法4.2.2.4 旋转涂膜法4.2.3 薄膜的热处理4.3 结果与讨论4.3.1 滴管滴膜法制备薄膜的表征与分析4.3.2 蒸干法制备薄膜的表征与分析4.3.3 提拉法制备薄膜的表征与分析4.3.3.1 前期工艺研究4.3.3.2 薄膜的表征与分析4.3.4 旋转涂膜法制备薄膜的表征与分析4.3.4.1 玻璃衬底上制备薄膜的表征与分析4.3.4.2 石英衬底上制备薄膜的表征与分析4.4 本章小结第5章 结论参考文献致谢攻读硕士学位期间发表的论文
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利用反胶束微乳液法制备Al掺杂纳米ZnO粉体及薄膜
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