论文摘要
近年来,随着太阳能技术的蓬勃发展,人们在日常生活中太阳能电池应用的领域越来越广泛,而且目前应用最多的就是硅电池。而如何增加太阳能电池板的光透过率,增加光电转换效率成为目前研究的热门话题。二氧化硅具有结构简单,性能稳定,成本低廉,而且很适合做光学增透膜。锗比硅的光谱吸收范围要宽,色散小,折射率高而且在红外波段透过率也比较好。所以在太阳能硅电池板上镀上这两种成份,能够有效地提高太阳能电池板的光透过率以及增加其光电转换效率。本文主要研究了利用磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积方法制备SiGe-SiO2薄膜。对制备的工艺步骤进行了描述,对实验的工艺进行了探索,对实验的结果进行了测试分析。本文首先介绍了磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积技术的发展状况,阐述了用磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积技术制备SiGe-SiO2薄膜的基本原理,设备结构和基本的工艺流程,采用不同的实验参数进行了薄膜沉积。对采用不同实验参数沉积得到的SiGe-SiO2光学增透薄膜材料,用X射线荧光光谱仪（EDX）,傅里叶红外光谱仪（FTIR）及俄歇电子能谱（AES）等方法对材料的相组成分,薄膜厚度以及薄膜的光透过率等特征进行了研究。分析了本底真空,溅射气压,沉积时间,氧气和压气流量等实验参数与材料特征之间的关系。
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标签：磁控溅射论文; 等离子体增强化学气相沉积论文; 太阳能电池论文; 薄膜论文;