论文摘要
在这篇论文中,我们利用玻色化和重整化群分析方法,研究了半满填充下的弱耦合一维扩展赫伯德模型的基态相图。这个模型的特点是在原赫伯德模型中添加一项近邻排斥相互作用（V）,它的大小与在位排斥相互作用（U）相比拟但小于跃迁动能（t）。这种引入不是平庸的,将会与跃迁项和在位项互相竞争,从而影响系统的低能激发。通过综合考虑哈密顿中各项的贡献,我们发现在U,V很小时,自旋-电荷耦合项(gcs)当作无关算符可以忽略,基态相图由自旋密度波（SDW）和电荷密度波（CDW）组成。但随着U,V的逐渐增加,自旋-电荷耦合项发挥着重要的作用。在U = 2V线附近出现了键荷密度波相（BCDW）,它位于自旋密度波和电荷密度波之间的狭小区域内,且终止于一个三相点。这些结果表明,在弱耦合情形下,基态相图由三部分组成:（1）U > 2V,SDW关联态,（2）U < 2V,CDW关联态,（3）U≈2V,BCDW关联态。为了澄清相变机制,我们也研讨了相变的性质。发现弱耦合下是二极相变,强耦合下是一级相变。