论文摘要
随着大规模集成电路的发展,场效应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小,当器件尺寸进入纳米尺寸时,会面临着严重的短沟道效应。围栅Si纳米线器件结构具有最佳的栅控能力和优良的输运特性,被视为可以将MOS器件尺寸缩短到极限尺寸的最理想的器件结构。为了制备Si纳米线,首先我们采用电子束工艺、trimming工艺和侧墙工艺成功制备出亚100m尺寸的Si fin条,此外,我们还提出了"trimming+侧墙”工艺进一步改善了传统侧墙工艺制备出的Si fin条的质量。接着,针对如何制备出尺寸均匀的光滑的纳米线进行了研究。我们系统研究了Si细线条定义方式、牺牲氧化和Si纳米线的晶向对Si纳米线边缘/宽度粗糙度（LER/LWR）的影响。最后,针对如何制备出圆形的Si纳米线进行了研究。我们采用通过牺牲氧化悬空Si fin条的方法制备Si纳米线。系统研究了氧化温度、Si细线条初始形状和氧化时间对Si纳米线截面形状的影响。