Gd-Ge-Si三元系富Gd（Gd≥40at%）合金900℃等温截面

论文摘要

本文主要采用X射线粉末衍射法,差示扫描量热法（DSC）和差热分析法（DTA）研究了Gd-Ge-Si三元系富Gd（Gd≥40at.%）合金900℃等温截面的平衡相图。我们确定了二元合金Gd5Ge3,Gd5Si3,Gd5Ge4,Gd5Si4,GdGe,GdSi,Gd2Ge3和Gd2Si3,以及三元合金Gd5(Ge1-xSix)4的存在。并构作了这个体系900℃等温截面的相图。这个相图由8个单相区,10个两相区和6个三相区组成。在Gd5Ge3和Gd5Si3之间形成了无限固溶体Gd5（Ge,Si）3。在Gd2Ge3和Gd2Si3之间形成了无限固溶体Gd2（Ge,Si）3。900℃时,Si在Gd5Ge4,Gd5Si4中的最大固溶度分别是20.5at.%和11.5at.%。Gd5(Ge1-xSix)4作为一个具有Gd5Si2Ge2型结构的单斜相,其成分变化范围是x从13.3到22.Oat.%。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 1 引言
• 2 历史资料
• 2.1 Gd-Ge二元系
• 2.2 Gd-Si二元系
• 2.3 Ge-Si二元系
• 2.4 Gd-Ge-Si三元系
• 3.实验原理和方法
• 3.1 试样的制备
• 3.1.1 配料和熔炼
• 3.1.2 合金试样的均匀化热处理
• 3.1.3 粉末试样的制备
• 3.1.4 金相试样的制备
• 3.2 X射线衍射法
• 3.2.1 衍射仪的基本原理与构造
• 3.2.2 实验条件的选择
• 3.3 差热分析法（DTA）
• 3.5 金相分析法
• 3.6 电镜法
• 3.6.1 扫描电子显微镜（SEM）
• 3.6.2 能谱分析（EDAX）
• 3.7 相界的测定
• 3.7.1 相消失法
• 3.7.2 点阵常数法
• 3.8 X射线粉末衍射谱的指标化
• 3.8.1 比值法
• 3.8.2 分析法
• 3.8.3 图解法
• 3.8.4 计算机尝试法
• 3.8.5 指标化结果正确性判据
• 3.9 晶体点阵常数的精确测定
• 3.9.1 内标法
• 3.9.2 图形外推法
• 3.9.3 最小二乘法
• 4 实验结果和讨论
• 4.1 相分析
• 4.2 Gd-Ge-Si三元系富Gd合金900℃等温截面
• 4.3 固溶度的测定
• 4.4 关于三相区的确定
• 4.5 关于Gd5（Gel-xSix）4，Gd5Ge4和Gd5Si4的讨论
• 4.6 合金试样制备过程的几个细节讨论
• 4.6.1 熔炼炉中的充氩
• 4.6.2 磁场的作用、以及电子极的影响
• 参考文献
• 攻读硕士期间已发表和待发表的论文
• 致谢
• 附表1 合金成分与相组成
• 附图：样品的X射线衍射图谱