本文主要研究内容
作者祝方舟,卞剑涛,刘正新（2019）在《n型单晶硅太阳电池中硼离子注入发射极特性研究》一文中研究指出：离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消除的缺点。该文通过对硼注入发射极退火特性进行研究,发现样品的J0e（发射极饱和电流）、少子寿命teff、ImpVoc（理论开路电压）均随退火温度的升高得到显著改善。为进一步研究其机理,采用椭圆偏振光光谱对晶格损伤进行表征,并借助TCAD软件模拟分析注入后热处理所产生的硼硅团簇（BIC）等缺陷状态,从损伤修复和杂质激活两方面对硼（B）注入发射极J0e随退火温度变化的机制做出解释。
Abstract
li zi zhu ru yi ji can za jun yun ke kong 、bian yu tu xing hua can za ji jian hua tai yang dian chi sheng chan gong yi de te dian zai guang fu jie yin qi an fan de guan zhu ,dan tong shi ye cun zai zhao zhu ru que xian nan yi xiao chu de que dian 。gai wen tong guo dui peng zhu ru fa she ji tui huo te xing jin hang yan jiu ,fa xian yang pin de J0e（fa she ji bao he dian liu ）、shao zi shou ming teff、ImpVoc（li lun kai lu dian ya ）jun sui tui huo wen du de sheng gao de dao xian zhe gai shan 。wei jin yi bu yan jiu ji ji li ,cai yong tuo yuan pian zhen guang guang pu dui jing ge sun shang jin hang biao zheng ,bing jie zhu TCADruan jian mo ni fen xi zhu ru hou re chu li suo chan sheng de peng gui tuan cu （BIC）deng que xian zhuang tai ,cong sun shang xiu fu he za zhi ji huo liang fang mian dui peng （B）zhu ru fa she ji J0esui tui huo wen du bian hua de ji zhi zuo chu jie shi 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自太阳能学报的祝方舟,卞剑涛,刘正新，发表于刊物太阳能学报2019年06期论文，是一篇关于太阳电池论文,离子注入论文,发射极论文,缺陷论文,晶格损伤论文,太阳能学报2019年06期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自太阳能学报2019年06期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。