导读:本文包含了大尺寸单晶论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CdS单晶,物理气相传输(PVT)法,晶体缺陷,孔洞
大尺寸单晶论文文献综述
霍晓青,程红娟,于凯,赵堃,王健[1]（2019）在《PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究》一文中研究指出CdS单晶是一种电学和光学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,近年受到人们的广泛关注。但是大尺寸CdS单晶在生长过程中易形成孔洞缺陷,质量难以控制,使其电学性能不稳定,制约着晶体的实际应用。采用物理气相传输(PVT)法成功地生长了尺寸为55 mm×15 mm的CdS单晶,对CdS单晶中孔洞产生的过程、孔洞形成的原因进行了分析和研究,进而提出了改进的CdS晶体生长技术,降低了晶体孔洞缺陷的密度,提高了CdS晶体的质量。在25～300 K,对采用改进生长方法生长的大尺寸CdS单晶进行了霍尔迁移率、载流子浓度和电阻率等测试,其迁移率最高可达7 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),为大尺寸CdS单晶在器件中的实际应用提供了重要的数据支撑。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年11期）
袁佳,张红芳[2]（2019）在《诱导异常结晶法制备大尺寸钛酸锶钡单晶》一文中研究指出基于固相反应法和溶胶-凝胶法相结合的工艺,采用诱导异常结晶法(IAGG)在1 230～1 350℃制备了高质量的超大钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4)TiO3(BST60/40)单晶。通过XRD、SEM和TEM等手段对BST60/40单晶进行了微观结构的表征。研究了烧结温度、BST60/40粉末掺入量与溶胶前驱体基体的比例等对单晶形貌演化的影响,并讨论了IAGG的现象机理。结果表明:在掺入量-基体比例一定的条件下,当晶粒从异常生长到正常长大转变时,BST60/40单晶达到最大的临界尺寸。分析了IAGG法制备的BST60/40陶瓷块体的介电性和铁电性。由此得出:陶瓷的居里温度提高到20℃;在10℃、100 Hz下存在明显的电滞回线,自发极化强度Ps为8.65μC·m~(-2),剩余极化强度Pr为1.79μC·m-2,矫顽电场强度Ec为0.17 kV·mm~(-1)。(本文来源于《苏州科技大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
王雪青[3]（2019）在《中环股份发布大尺寸太阳能单晶硅片新品》一文中研究指出中环股份8月16日晚间披露，公司当日首发了“夸父”系列M12，为12英寸超大钻石线切割太阳能单晶硅正方片，相较于M2面积增加80.5%。新产品将对公司经营业绩产生积极影响，可能对目前光伏行业发展速度、竞争格局产生重大影响。关于产品性能，公告称，本(本文来源于《上海证券报》期刊2019-08-17）
罗平,王庆国,董建树,王东海,吴锋[4]（2019）在《导模法(EFG)生长大尺寸厚壁管状蓝宝石单晶》一文中研究指出采用自行设计的导模法蓝宝石长晶装备,通过优化模具设计和长晶工艺,成功生长了内/外径分别为31/58 mm和50/65 mm,长度超过300 mm的大尺寸厚壁蓝宝石单晶圆管,无开裂多晶,无肉眼可见气泡,晶体质量优良。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年07期）
付昊[5]（2019）在《基于数值模拟大尺寸磷化锗锌单晶生长稳定性研究》一文中研究指出磷化锗锌单晶(ZnGeP_2,简称ZGP)是一种性能优异的非线性光学材料,被认为是目前中远红外激光输出的最佳频率转换介质。本文研究的是目前使用最为普遍、效果最好的垂直布里奇曼法ZnGeP_2单晶生长,由于该方法本身存在晶体生长周期长,晶体生长过程无法直接观察等缺点,限制了通过实验方法直接探究大尺寸ZnGeP_2单晶生长工艺的思路,因此本文采用CGSim计算机模拟仿真软件与实验相结合的方法,来研究影响大尺寸ZnGeP_2单晶生长稳定性的工艺条件和热场结构。本文利用CGSim仿真软件,通过几何模型建立、数理模型建立、物性参数定义、网格划分、边界条件定义以及计算参数设定等过程,完成了初始计算模型的建立,之后依据实际热场结构以及晶体生长界面等实验数据,对物性参数、边界条件和控温热电偶目标温度等进行调整,得到了与实验数据一致的模拟结果,获得了与实验过程匹配良好的计算模型。利用与实验获得匹配的计算模型,结合实际长晶工艺经验,在同一热场结构下设定了0.3 mm/h、0.5 mm/h、0.7 mm/h、0.9 mm/h和1.1 mm/h五组不同坩埚下降速度进行非稳态模拟,通过对模拟结果的分析,探究了不同坩埚下降速度对晶体结晶速率、晶体固液生长界面形态以及热应力分布的影响效果,获得了针对大尺寸ZnGeP_2单晶生长过程的坩埚下降速度设计方案,即在晶体高度低于70 mm时,采用0.3 mm/h的较慢的下降速度,进入等径生长阶段后可以使用0.5-0.9 mm/h的坩埚下降速度以缩短生长时间。冷却过程设计对ZnGeP_2单晶热应力释放及晶体开裂等问题有重要的影响,在同一热场结构下,本文对比原始冷却方案设计了较快和较慢两组不同的冷却方案,探究了不同冷却方案对晶体最终热应力分布以及在冷却过程中的最大和平均热应力变化情况,获得了在冷却初期使用较低降温速度在后期快速降温的冷却方案,以降低初期晶体内整体热应力水平,避免在后期快速降温时出现晶体开裂等问题。不同热场结构设计可以获得不同的晶体生长温度梯度,结合实验中调整热场结构的经验,本文通过调整梯度区隔热层厚度,获得了四组不同的长晶梯度区温度梯度,分别为:3.5 K/cm、5 K/cm、7 K/cm和9 K/cm,通过非稳态模拟计算,探究了不同温度梯度对晶体生长界面形态和热应力分布的影响,相比于原始温度梯度为5K/cm的案例,温度梯度为7 K/cm的案例获得了更优化的模拟结果。本文所采用的模拟仿真与实验相结合的方法,可以应用到其他晶体的工艺研发及热场设计中,为更好的理解晶体生长过程,设计晶体生长工艺提供了思路和方法。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
舒国阳,Ralchenko,V.,Bolshakov,A.,刘康,孙明琪[6]（2019）在《大尺寸单晶金刚石同质连接技术》一文中研究指出介绍了制备人造单晶金刚石的技术途径及发展现状,重点讨论并对比了几种化学气相沉积法(CVD)金刚石制备技术的优缺点,详细阐述了基于微波等离子体CVD (MPCVD)法的同质连接技术——一种突破晶体尺寸限制,实现大尺寸单晶金刚石的有效途径。通过该技术实现了英寸级单晶金刚石晶片的制备,并针对横向生长、界面质量及演化、叁维结构连接控制等核心科学技术问题进行了分析和讨论,展望了其在尖端应用领域的发展前景。(本文来源于《自然杂志》期刊2019年02期）
张婵婵,张方辉,丁利苹,朱晓婷,李荣金[7]（2018）在《大尺寸MAPbI_3单晶的制备及光电性能研究》一文中研究指出采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150μm左右)高质量的MAPbI_3单晶,并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置.从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI_2晶体生长的因素.结果表明:该晶体生长的最优条件分别对应为350℃、20sccm、20min.将MAPbI_3单晶放置在空气中50天后,其X衍射特征峰没有明显变化.最后分析该器件的光电特性,发现其开关比高达10~4,响应度为3.8×10~4 A/W,且具有较快的响应速度(上升时间:0.03s;下降时间:0.15s).该MAPbI_3单晶光电探测器将在光电学领域有非常良好的应用.(本文来源于《光子学报》期刊2018年09期）
练小正,张胜男,程红娟,齐海涛,金雷[8]（2018）在《导模法生长大尺寸高质量β-Ga_2O_3单晶》一文中研究指出以高纯Ga_2O_3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga_2O_3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga_2O_3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga_2O_3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO_2保护气氛能够极大地抑制Ga_2O_3材料的高温分解,当CO_2生长气压为1.5×10~5Pa时,Ga_2O_3的平均分解速率低于1 g/h。(100)面β-Ga_2O_3单晶的X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体(100)面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×10~4cm~(-2);傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga_2O_3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年08期）
贾玉亮,张剑,杨振宇,郑帅,陈升平[9]（2018）在《大尺寸双联单晶叶片杂晶缺陷控制工艺研究》一文中研究指出大尺寸整铸双联单晶叶片是先进航空发动机涡轮叶片设计发展的重要方向,中国航发商发在国内开创先河,其高压涡轮导向叶片采用了整铸双联单晶叶片的设计方式。由中国航发航材院牵头组建的创新团队打破西方国家对我国单晶叶片的长期技术封锁与进口限制,成功制备出大尺寸双联单晶叶片。(本文来源于《航空动力》期刊2018年02期）
张兆星[10]（2018）在《大尺寸SiC单晶生长炉温场分布的研究》一文中研究指出SiC晶体作为第叁代宽禁带半导体材料的一个重要成员,有着非常出色的物理和电学特性,非常适合用于高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀、耐高温等应用场合,具有十分广阔的应用前景。目前普遍采用PVT法进行SiC晶体的生长。由于PVT法SiC晶体生长是在一个全封闭的坩埚生长腔体中进行的,其生长温度超过2000℃,在这样的高温条件下,无法对SiC晶体生长的过程进行实时的直接观测。采用通过“尝试错误”的方法来不断摸索晶体生长规律、积累晶体生长经验,会导致实验量巨大,且实验耗时过长、成本也居高不下。因此,建立相应的SiC晶体生长模型,应用现代计算模拟技术开展数值仿真实验,用来指导PVT法SiC晶体的生长,成为了不可或缺的技术手段。对于PVT法SiC晶体生长来说,最值得关注的两个参数无疑是温度和温度梯度,它们对炉内SiC分解升华的气相成分的密度和输运方向起着关键作用,也影响着晶体的生长形貌和生长速率的大小。因此,温场的分布影响着SiC晶体的高质量生长。本文简要介绍了SiC晶体的特性、应用领域以及生长方法,简要介绍了 SiC晶体的国内外发展以及研究现状,给出了 SiC单晶生长炉温场分布的相关理论知识。本文的研究工作如下所述:1、运用有限元分析软件对6英寸SiC单晶生长炉的半切面进行建模,并将几何模型离散成为有限元模型,设定了适当的边界条件。2、研究了电流对系统产热分布和产热速率的影响,发现增大电流强度可以在不影响设备中各部位相对产热分布的基础上提高系统的生热速率;而增加电流频率则会同时影响各部位产热分布和产热速率,而且也要考虑到电流频率增加带来的隔热材料产热增大的能量浪费问题。3、仿真分析了生长炉在恒定电流加热模式下系统内的升温过程,发现恒定的180A、10kHz电流适用于本设备,能够产生满足晶体生长要求的温度场,仿真给出了生长炉各部位升温曲线。同时仿真得到了在该电流模式下生长炉的轴向温度梯度和径向温度梯度,分别为7℃/cm和2℃/cm,符合预期。4、研究了线圈与石墨坩埚的相对位置对生长炉内温场分布的影响,发现线圈位置的改变会影响生长炉中温场的分布,但对生长腔能达到的最高温度没有影响。研究给出了线圈与石墨坩埚相对位置对温场分布的关系曲线。5、设计了一个用于调整生长炉内温场分布的感应加热线圈升降的高可靠控制系统,该系统能够根据用户设定的运行速度和距离运行,精确地控制线圈的升降;同时,设计了 UI界面用以实时交互显示当前升降状态;通过光电耦合隔离和限位检测电路的设计,保证了系统运行的可靠性;测试表明该控制系统能表现出良好的实时性与稳定性,运行误差较小,满足控制需要。(本文来源于《山东大学》期刊2018-05-15）
大尺寸单晶论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于固相反应法和溶胶-凝胶法相结合的工艺,采用诱导异常结晶法(IAGG)在1 230～1 350℃制备了高质量的超大钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4)TiO3(BST60/40)单晶。通过XRD、SEM和TEM等手段对BST60/40单晶进行了微观结构的表征。研究了烧结温度、BST60/40粉末掺入量与溶胶前驱体基体的比例等对单晶形貌演化的影响,并讨论了IAGG的现象机理。结果表明:在掺入量-基体比例一定的条件下,当晶粒从异常生长到正常长大转变时,BST60/40单晶达到最大的临界尺寸。分析了IAGG法制备的BST60/40陶瓷块体的介电性和铁电性。由此得出:陶瓷的居里温度提高到20℃;在10℃、100 Hz下存在明显的电滞回线,自发极化强度Ps为8.65μC·m~(-2),剩余极化强度Pr为1.79μC·m-2,矫顽电场强度Ec为0.17 kV·mm~(-1)。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
大尺寸单晶论文参考文献
[1].霍晓青,程红娟,于凯,赵堃,王健.PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究[J].半导体技术.2019
[2].袁佳,张红芳.诱导异常结晶法制备大尺寸钛酸锶钡单晶[J].苏州科技大学学报(自然科学版).2019
[3].王雪青.中环股份发布大尺寸太阳能单晶硅片新品[N].上海证券报.2019
[4].罗平,王庆国,董建树,王东海,吴锋.导模法(EFG)生长大尺寸厚壁管状蓝宝石单晶[J].人工晶体学报.2019
[5].付昊.基于数值模拟大尺寸磷化锗锌单晶生长稳定性研究[D].哈尔滨工业大学.2019
[6].舒国阳,Ralchenko,V.,Bolshakov,A.,刘康,孙明琪.大尺寸单晶金刚石同质连接技术[J].自然杂志.2019
[7].张婵婵,张方辉,丁利苹,朱晓婷,李荣金.大尺寸MAPbI_3单晶的制备及光电性能研究[J].光子学报.2018
[8].练小正,张胜男,程红娟,齐海涛,金雷.导模法生长大尺寸高质量β-Ga_2O_3单晶[J].半导体技术.2018
[9].贾玉亮,张剑,杨振宇,郑帅,陈升平.大尺寸双联单晶叶片杂晶缺陷控制工艺研究[J].航空动力.2018
[10].张兆星.大尺寸SiC单晶生长炉温场分布的研究[D].山东大学.2018
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