本文主要研究内容
作者聂志强,王明培,孙玉博,李小宁,吴迪（2019）在《传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验》一文中研究指出：可靠性是高功率半导体激光器(HLD)的一个重要性能。热加速寿命试验是HLD寿命评价和可靠性分析的重要技术。在本文中,我们在高温测试平台上对铟焊料封装的18个中心波长为808 nm的传导冷却型HLD单巴器件在恒定电流60 A条件下进行55,65,80℃3组热沉温度下的热加速寿命试验。根据器件输出功率在加速寿命测试期间的降低趋势,得到该批HLD器件的寿命分别为1 022,620,298 h,再根据Arrhenius公式得到该器件的激活能为0.565 41 eV,从而外推得到器件在室温下的寿命为5 762 h。可见55℃下器件寿命加速了5倍,而在65℃下寿命加速了8.5倍,80℃下寿命加速17倍。此外,我们还分析了器件热加速寿命试验后的性能。
Abstract
ke kao xing shi gao gong lv ban dao ti ji guang qi (HLD)de yi ge chong yao xing neng 。re jia su shou ming shi yan shi HLDshou ming ping jia he ke kao xing fen xi de chong yao ji shu 。zai ben wen zhong ,wo men zai gao wen ce shi ping tai shang dui yin han liao feng zhuang de 18ge zhong xin bo chang wei 808 nmde chuan dao leng que xing HLDchan ba qi jian zai heng ding dian liu 60 Atiao jian xia jin hang 55,65,80℃3zu re chen wen du xia de re jia su shou ming shi yan 。gen ju qi jian shu chu gong lv zai jia su shou ming ce shi ji jian de jiang di qu shi ,de dao gai pi HLDqi jian de shou ming fen bie wei 1 022,620,298 h,zai gen ju Arrheniusgong shi de dao gai qi jian de ji huo neng wei 0.565 41 eV,cong er wai tui de dao qi jian zai shi wen xia de shou ming wei 5 762 h。ke jian 55℃xia qi jian shou ming jia su le 5bei ,er zai 65℃xia shou ming jia su le 8.5bei ,80℃xia shou ming jia su 17bei 。ci wai ,wo men hai fen xi le qi jian re jia su shou ming shi yan hou de xing neng 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自发光学报的聂志强,王明培,孙玉博,李小宁,吴迪，发表于刊物发光学报2019年09期论文，是一篇关于高功率半导体激光器论文,热加速寿命测试论文,可靠性论文,退化论文,发光学报2019年09期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自发光学报2019年09期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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