论文摘要
近年来,随着市场对产品分辨率、对比度、视角、响应速度等诸方面特性要求的提高,传统的LCD已经逐渐不能满足高端市场的要求。本世纪以来,OLED (Organic Light-Emitting Display)崭露头角,并由于它各方面的逐渐应用而使其为人们所熟知,被众多企业所看好。OLED目前有两种主流工艺,顶发射与底发射,顶发射OLED由于其高亮度、高开口率而有着巨大的优势。在阳极材料上,具有4.5eV-5.3eV的高功函数、性质稳定且透光的ITO透明导电膜,便被广泛应用于阳极。同时,高反射率的Ag及其合金成为反射层的首选材料。加上Ag底层的pixel层ITO,总共需要三层。为了降低制造成本,减少成膜工艺的复杂性,并减少由于多次曝光而造成的位置偏离风险,需要用尽量少的过程中完成对这几层的蚀刻工艺。在对镀膜工艺进行调整,微调其最上层及最下层ITO的膜厚及膜质,并对蚀刻条件进行调整后,可以做到可以接受的Taper角度及线宽损失。由此,可以在节省产能及提高工艺可靠性的前提下,做到可以接收的量产水准。
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