导读:本文包含了多模干涉耦合器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅光子学,功率器件,功分器,神经网络
多模干涉耦合器论文文献综述
褚志鹏[1]（2018）在《基于神经网络的功能性多模干涉耦合器的逆向设计》一文中研究指出近年来,硅光子技术发展已较为成熟,基础的硅波导器件已经被深入研究,强大的设计套件对于光子集成电路至关重要,因此已经建立了具有多样性的片上光子功能元件库。精细设计的集成光学设备通常来自对物理学的良好理解以及对几个设备参数的直觉尝试或多次调整。然而该设计原理是基于具有非常有限的参数空间的常规器件几何结构,这种方法在实际中无法完全探索器件所拥有的全部属性,以及完全发挥现有技术的半导体制造能力,本文针对这一现象,开展了对基于逆向设计应用于光子集成电路的研究。数字元结构是一种有吸引力的器件几何结构,其将电介质波导离散成具有二元或多级材料特性的多个像素。每个像素的材料属性由直接二进制搜索(Direct binary search,DBS)算法确定。与传统的周期性或光子带隙结构相比,这种人为的不均匀性允许在亚波长(Subwavelength,SW)尺度下更灵活的折射率工程。基于DBS方法,已有多种数字元器件的演示,如功率分配器具有灵活的比例,急弯,模多路复用器,超紧凑绝热锥,光栅耦合器等等,虽然这种设计方法已经显示出许多新型纳米光子器件的巨大潜力,但优化的计算成本是一个大问题,神经网络出色的预测和拟合能力,可以在一定条件下解决这个问题。本文选择了超宽带多模干涉耦合器(Multimode interference coupler,MMI)和衰减器作为设计的器件,分别采用传统的基于数字超材料的像素点型优化设计方法,其利用光学仿真软件进行器件的优化设计,和使用数字超材料与神经网络结合的混合式系统的方法进行器件的优化设计,以及使用神经网络逆向优化设计方法对目标器件进行设计的叁种不同方法,分别对得到的结果进行分析对比。与已有的基于数字超材料的像素点型优化设计方法相比,混合式系统设计方法和逆向设计方法在得到的结果与设计目标值相同或相近的情况下,缩短了设计所需的时间成本,我们通过人工神经网络设计方法的预测功能和模拟复杂输入输出关系的能力,加快了自动优化设计中波导器件的开发周期,我们相信通过继续改进人工神经网络方法,能将使预测的结果更加准确和预测范围越加丰富。而且随着人工神经网络方法的持续改进还可以挖掘出器件的更多的特性,能实现一些传统器件难以实现的性能。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-12-01）
周昕[2]（2018）在《硅基多模干涉耦合器的设计与应用》一文中研究指出随着现代通信技术的飞速发展,传统的微电子行业的发展逐渐出现瓶颈,人们希望能通过集成光路的实现来打破传统的“摩尔定律”。而硅基光电子学由于材料自身的优异性以及制造工艺与传统微电子的CMOS工艺相兼容等特点越来越受到关注。在硅基光电子学中,硅基耦合器作为重要的硅基无源器件,是实现光的片上合束和分束的关键。而相比与常见的定向耦合器(DC)和Y分叉耦合器,多模干涉(MMI)型耦合器具有损耗低,工艺容差性高,带宽大,偏振不敏感等诸多优势,已经得到了广泛的应用。但是传统的MMI器件结构较大,关于小型化的硅基MMI报道最近几年才出现。为了满足硅基集成的需要,本文将致力于小型化,低损耗,分光均匀性好的硅基MMI的设计,整个器件的大小在几个微米量级。在不同类型的硅基MMI设计中,需要一个普适性的理论设计模型来确定设计参数。本文从MMI的自映像成像原理出发,利用导模传输分析法(G-MPA)对MMI中的模场分布情况进行分析,得到了叁种干涉类型MMI的一般性成像规律。结合理论基础,论文对不同类型MMI中的相位关系作了详细分析。论文基于理论设计模型,确定相应的理论参数。针对对称干涉型1×2 MMI和配对干涉性2×2MMI,提出了采用线性,抛物线型楔形波导(Taper)的方法来减小器件的损耗。通过对MMI成像原理分析,提出了采取抛物线型多模波导耦合区的方法来优化2×2MMI的损耗和不均匀度。通过仿真得到的1×2MMI的附加损耗小于0.05dB,2×2 MMI的附加损耗小于0.25dB,且3dB分光不均匀度在0.2dB以下。而在实际的光开光和光相控阵的应用中,MMI中的相位是影响整个器件性能的重要参数,论文通过仿真得到的1×2和2×2 MMI中相位关系与理论相差很小。通过优化得到的MMI主要的性能已达到很高的水平,完全满足片上集成的需要。然后论文基于仿真结果,对初步设计的器件进行加工和测试。针对MMI器件的损耗很低的情况,论文中采取了多个MMI级联的方法来设计出合适的L-edit版图。再根据现有的实验条件进行平台的搭建,通过测试得到1×2 MMI的附加损耗在0.3dB,2×2 MMI的附加损耗在0.7dB左右,分光不均匀度在0.3dB左右。测试结果表明,初步设计的MMI已满足硅基器件片上光耦合的需求。最后,对于MMI在硅基器件中的实际应用,利用设计的1×2MMI,提出了一种基于MMI和DC的1×2热光开光。在现有的硅基有源测试平台的基础之上,对热光开光的性能进行了测试分析,得到的器件消光比大约在20dB,加热功率为16.5mW,上升时间和下降时间在17sμ和3μs左右。实验结果表明所设计的硅基MMI的性能满足在热光开光中应用的实际需求。硅基MMI的设计对于硅基集成影响巨大,进一步对硅基MMI的指标优化,研究其偏振相关性,并对硅基MMI中相位关系进行实验方案设计,更多地应用将会实现在硅基相控阵,偏振分束器和混合模式相移器中。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01）
齐艳辉[3]（2017）在《基于多模干涉耦合器的光纤传感器与少模光纤激光器的研究》一文中研究指出以光纤多模干涉耦合器为基础设计的光纤传感器因其结构简洁紧凑、成本低廉、传感性能优良等优点在智能化、自动化及物联网中具有重要意义,并在近年来得到广泛研究。此外光纤研制技术的快速发展促使少模光纤的研制工艺日渐成熟,同时基于模式干涉效应设计的新型梳状滤波器被应用在光纤激光器中,在多波长、可调谐光纤激光器中具有不可忽视的潜在价值。本文在国家自然科学基金、中央高校基本科研业务费专项资金项目的支持下,主要的创新性成果如下:1.建立单模光纤级联偏芯熔接滤波结构与无芯-单模偏芯熔接结构的标量仿真模型,分析并优化了少模/双模光纤偏芯耦合结构的滤波特性,室温下实现了稳定的单波长、双波长与叁波长的激光激射。结合偏芯光纤熔接结构提出并优化了增益与滤波同时进行的掺铒少模光纤梳状滤波器,在室温下采用单向泵浦结构、双向泵浦结构与非线性偏振旋转效应抑制模式竞争技术研究了不同的多波长激射特性。2.提出并实现了基于节点熔融型单模-空芯光纤-单模滤波结构的单波长光纤激光传感系统,同时建立了单模-无芯-空芯缓变耦合结构的传输矩阵仿真模型,优化了滤波器共振波长与环境折射率的响应特性,获得的最大线性折射率敏感度约为316.2 nm/RIU,进而在试验中建立基于该滤波器的光纤环型腔激光器,改善了共振波长3 dB带宽较大带来的测试反应速度较慢的问题,分析并研究了激射波长与外界环境折射率的关系。3.提出并优化了基于无芯-多层光纤-无芯光纤结构的高灵敏度曲率传感结构,提高了共振波长随曲率的依赖特性,试验中在0.3 m-1到2.14 m-1的范围内获得了-39.02 nm/m-1的线性曲率敏感度,且局部灵敏度高达-43 nm/m-1。4.采用单模光纤氢气火焰拉锥的方优化了采用光纤熔接机制作Taper脆弱与控制参数难以把握的问题,提出了基于级联双缓变弯曲长锥结构的单模光纤双长锥梳状滤波器,并结合1550 nm波长不同弯曲状态下长锥结构输出光斑的测量结果对弯曲缓变耦合结构进行简要的分析,优化后该滤波器具有良好的稳定性,并在室温下实现了稳定的双波长与叁波长的激光激射。(本文来源于《北京交通大学》期刊2017-06-01）
张晓波[4]（2017）在《多模干涉耦合器集成的V型耦合腔激光器研究》一文中研究指出互联网、云计算、大数据产业的快速发展对网络带宽提出了越来越高的要求。顺应光纤通信技术的发展,低成本高性能的半导体可调谐激光器和高集成度的光器件已受到广泛关注和研究,成为目前发展的趋势。本文主要对可用于接入网和数据中心的V型耦合腔激光器(VCL)进行研究,并提出基于此激光器的单片集成波长转换技术。首先,我们介绍了V型耦合腔激光器(VCL)的基本结构和工作原理,针对V型耦合腔激光器(VCL)的选模机制,提出了半波耦合器端出光的激光器结构。利用带角度的多模干涉耦合器(Angled-MMI)将激光器半波耦合器端输出的多横模转变为基模,转换比达到74%。在此基础上,我们利用1550nm波段的InGaAlAs材料进行了器件的代工制作,对于传统的V型耦合腔激光器(VCL)和我们设计的器件分别实现了 25×100GHz和14×300GHz的数字式波长调谐,信道的边模抑制比(SMSR)在35dB以上。接着,在上述半波耦合器端出光的V型耦合腔激光器的基础上,利用实验室已有的端对接(butt-joint)单片集成平台,我们提出了一种结构简单,波长转换范围较大的全光波长转换技术(All Optical Wavelength Conversion,AOWC)。利用时域行波模型(Time Domain Travelling Wave,TDTW)仿真了该全光波长转换器的静态和动态特性,通过调节V型耦合腔激光器(VCL)后的半导体光放大器(SOA)和相位区的电流,我们可以实现16nm范围内的6.25Gb/s的同相或者反相的非归零码的波长转换。对于反相和同相信号,我们分别可以获得10dB和5dB的消光比(ER)。(本文来源于《浙江大学》期刊2017-01-01）
王嘉源,肖金标,孙小菡[5]（2015）在《硅基槽波导级联多模干涉耦合器型偏振分束器》一文中研究指出提出了一种基于硅基槽波导的级联多模干涉(MMI)耦合器型偏振分束器,由锥形及矩形结构MMI耦合器构成.级联结构使器件长度无需为两偏振模自镜像长度的公倍数,不仅能有效减小器件尺寸,而且提高设计灵活性.同时,利用槽波导的高双折射特性及MMI耦合器的锥形结构,可进一步缩短器件尺寸.分析结果表明,所提器件能够有效实现偏振束分离,两级MMI工作区总长度仅为42μm,准TE与准TM模的偏振消光比分别为29.8和31.4d B,1.55μm波长下的插入损耗分别为0.395和0.699 d B,偏振消光比大于20 d B时光带宽为43 nm,覆盖整个C波段.最后,详细分析了器件关键参数的制造误差对器件性能的影响.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2015年05期）
戚健庭[6]（2015）在《硅基多模干涉型光波导耦合器/偏振分束器的研制》一文中研究指出随着光通信/传感系统的发展,对光波导耦合器/偏振分束器的性能提出更高要求。硅基多模干涉(MMI)型耦合器/偏振分束器具有稳定性高、集成度高、批量化和与CMOS工艺兼容等优点,是光通信/传感领域中重要的无源器件。本文以硅基MMI型耦合器/偏振分束器为研究对象,开展了相应的理论与实验工作。第二章推导得到入口端偏移激励MMI型光波导耦合器成像理论模型,分析了单模波导内模式振荡现象。提出了入口端偏移激励MMI型光波导耦合器结构,无需添加调制部件实现分光比可调。提出了入口端偏移激励、输出端并列耦合1×2 MMI型光波导耦合器结构,基于有效折射率法(EIM)、导模传输分析法(G-MPA)和叁维有限差分束传播法(FD-BPM),分析了该结构光波传输性能,分析了入口端偏移激励1×4 MMI型光波导耦合器性能。第叁章推导给出了缓冲层隙缝的微扰理论模型,分析了缓冲层内隙缝参数对多模区模场分布的影响。提出了基于缓冲层隙缝的MMI型光波导偏振分束器。全矢量有限元法(FV-FEM)仿真获得隙缝结构优化参数,EIM和二维FD-BPM仿真分析了多模区宽度,叁维FD-BPM优化设计了偏振分束器多模区长度和输入、输出波导位置。最终给出基于缓冲层隙缝的MMI型光波导偏振分束器结构的优化参数。第四章讨论了硅基MMI型光波导耦合器／偏振分束器的制备工艺和测试方法,搭建了相应的测试系统。针对制备得到的硅基MMI型光波导耦合器／偏振分束器芯片进行了实验测试与结果分析,实验结果与理论设计相一致。第五章给出全文总结,提出下一步工作设想。(本文来源于《东南大学》期刊2015-05-01）
张效衡[7]（2014）在《宽带多模干涉型光耦合器的设计及优化》一文中研究指出近年来，随着人们对于光信息处理需求的不断增加，硅基光子学由于其取得的重要突破，成为了目前研究的热点领域之一。基于自映像效应的多模干涉（MMI）型光耦合器具有结构简单，插入损耗低，制作工艺容差大等诸多的优势，因而被广泛应用于光耦合、光分束，以及其它的功能器件中。但多模干涉器件由于使用模式干涉原理，其器件的性能与工作波长相关，通常工作带宽在几十纳米。本文从多模干涉光耦合器的结构特点以及工作原理出发，分析了其自映像效应的一般成像规律。随后重点研究了波长的变化对于器件性能产生的影响情况，总结出限制MMI耦合器带宽的主要原因有两点：其一是成像位置会受到波长的影响；其二是由于计算的近似带来的误差导致成像性能的降低。基于上述的分析结果，我们提出了叁类可以提高MMI结构带宽的设计思路，并且对于这几类结构进行了仿真验证。仿真的结果与之前原理分析十分吻合，在采用提高带宽的结构之后，对比于原始MMI结构60nm的1dB附加损耗带宽，几类结构均有不同程度的提高，提高幅度从80nm至150nm不等。随后，我们将几类提高带宽的结构相互结合，优化得到了一个带宽更高的MMI器件，其1dB带宽为300nm，是常规结构带宽的5倍。最后，我们对宽带MMI耦合器的应用进行了举例说明。许多现有的光器件可以利用宽带MMI结构对于一定范围内波长性能稳定的特性对其结构进行优化改进，从而提高器件的性能。(本文来源于《上海交通大学》期刊2014-06-30）
张效衡,周林杰,李新碗,陈建平[8]（2014）在《宽带多模干涉型光耦合器的设计》一文中研究指出文章通过分析制约多模干涉型耦合器带宽的因素,提出叁种可提高MMI带宽的设计方法。仿真结果表明,叁种方法均可以不同程度地提高MMI的工作波长范围,对比于常规MMI耦合器的60nm工作波长范围,采用优化设计方法可将其带宽提高到140nm至210nm。当同时采用叁种设计方法后,带宽可以达到300nm,是原结构带宽的5倍。(本文来源于《电子技术》期刊2014年02期）
黄孙港[9]（2012）在《渐变型多模干涉耦合器的成像特性及应用研究》一文中研究指出飞速发展的光通信技术极大地促进了集成光器件的研究、应用与发展。基于自映像效应的多模干涉（MultimodeInterference，MMI）耦合器，因其具有带宽宽、低插入损耗、偏振不敏感、大工艺容差以及易于规模化生产等优点，已在光通信网络中获得了广泛应用。由于传统MMI耦合器的长度与其多模干涉区宽度的平方成正比关系，随着耦合器通道数的增加（即多模干涉区宽度的增加），MMI耦合器的尺寸就会成倍的增长。如何缩小MMI耦合器结构尺寸就成为了本领域研究者们日益关注的问题。目前已有一种有效减小传统MMI器件尺寸的方法被提出，即在多模干涉区引入taper结构（包括锥形、指数形或其他二次曲线形）。然而目前对taper结构MMI耦合器的研究只停留于对特定器件（比如功率分配器）的结构设计以及对其性能的模拟分析和优化，没有对taper结构MMI耦合器自映像的成像机理、成像规律做系统深入的理论分析。本文的研究目的在于：以MMI耦合器的自眏像原理为基础，采用等效折射率法(EIM)和导模传输分析法（MPA），探索锥形MMI耦合器的一般成像特性及迭加成像特性，进一步地，探索结构更加紧凑的指数型MMI耦合器的成像规律；最后设计出基于taper结构MMI耦合器的器件，以体现taper结构MMI耦合器的优越性。本文具有创新性意义的工作和成果主要集中在以下方面：1.针对taper结构MMI耦合器成像特性，本文采用等效折射率法和导模传输分析法对锥形MMI耦合器及指数型MMI耦合器的一般成像及迭加成像特性分别进行分析，发现成像特性与输入场位置、位置数、多模波导区宽度等参量密切相关，并且得到成像位置的横向、纵向的解析表达式，总结出它们的成像规律。2.利用有限差分光束传输法（FD-BPM）对taper结构MMI耦合器进行仿真，以验证理论分析的正确性。主要是对锥形MMI耦合器和指数型MMI耦合器进行仿真，得到的数据与成像特性的理论研究得到的结果基本符合。3.设计了基于taper结构MMI耦合器的光器件。设计本着简易化（simpler）、高速化(swifter)、小型化（smaller）、智能化（smarter）、节约化(savingenergyandcost)的5S思想，主要设计了指数型MMI耦合器一般成像特性的光纤到户（FTTH）用的单纤叁向复用器（triplexer）。单纤叁向复用器是由指数型MMI耦合器级联而成，其整体尺寸只有0.6cm,是目前已知的用MMI耦合器制作的结构最紧凑的单纤叁向复用器。本文已在理论、数值模拟、器件设计等方面展开了比较系统的研究，为未来理论研究上的普适化发展，探讨出一般渐变型MMI耦合器的成像规律奠定了基础。另外，针对设计的基于指数型MMI耦合器的光器件，也拟在未来的工作中进行性能的实验验证及示范应用。(本文来源于《浙江工业大学》期刊2012-04-01）
马丽,朱洪亮,陈明华,张灿,王宝军[10]（2012）在《InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作》一文中研究指出在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用叁维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀工艺制作了1×乘4多模干涉型耦合器.利用自动对准波导耦合测试系统对所制作器件的插入损耗和出光平衡度进行测量.测试结果表明,该器件在1 550nm波长附近的40nm带宽范围内获得了约2.6dB的通带平坦度,在1 550nm通信波长处,器件的插入损耗低于10dB.(本文来源于《光子学报》期刊2012年03期）
多模干涉耦合器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着现代通信技术的飞速发展,传统的微电子行业的发展逐渐出现瓶颈,人们希望能通过集成光路的实现来打破传统的“摩尔定律”。而硅基光电子学由于材料自身的优异性以及制造工艺与传统微电子的CMOS工艺相兼容等特点越来越受到关注。在硅基光电子学中,硅基耦合器作为重要的硅基无源器件,是实现光的片上合束和分束的关键。而相比与常见的定向耦合器(DC)和Y分叉耦合器,多模干涉(MMI)型耦合器具有损耗低,工艺容差性高,带宽大,偏振不敏感等诸多优势,已经得到了广泛的应用。但是传统的MMI器件结构较大,关于小型化的硅基MMI报道最近几年才出现。为了满足硅基集成的需要,本文将致力于小型化,低损耗,分光均匀性好的硅基MMI的设计,整个器件的大小在几个微米量级。在不同类型的硅基MMI设计中,需要一个普适性的理论设计模型来确定设计参数。本文从MMI的自映像成像原理出发,利用导模传输分析法(G-MPA)对MMI中的模场分布情况进行分析,得到了叁种干涉类型MMI的一般性成像规律。结合理论基础,论文对不同类型MMI中的相位关系作了详细分析。论文基于理论设计模型,确定相应的理论参数。针对对称干涉型1×2 MMI和配对干涉性2×2MMI,提出了采用线性,抛物线型楔形波导(Taper)的方法来减小器件的损耗。通过对MMI成像原理分析,提出了采取抛物线型多模波导耦合区的方法来优化2×2MMI的损耗和不均匀度。通过仿真得到的1×2MMI的附加损耗小于0.05dB,2×2 MMI的附加损耗小于0.25dB,且3dB分光不均匀度在0.2dB以下。而在实际的光开光和光相控阵的应用中,MMI中的相位是影响整个器件性能的重要参数,论文通过仿真得到的1×2和2×2 MMI中相位关系与理论相差很小。通过优化得到的MMI主要的性能已达到很高的水平,完全满足片上集成的需要。然后论文基于仿真结果,对初步设计的器件进行加工和测试。针对MMI器件的损耗很低的情况,论文中采取了多个MMI级联的方法来设计出合适的L-edit版图。再根据现有的实验条件进行平台的搭建,通过测试得到1×2 MMI的附加损耗在0.3dB,2×2 MMI的附加损耗在0.7dB左右,分光不均匀度在0.3dB左右。测试结果表明,初步设计的MMI已满足硅基器件片上光耦合的需求。最后,对于MMI在硅基器件中的实际应用,利用设计的1×2MMI,提出了一种基于MMI和DC的1×2热光开光。在现有的硅基有源测试平台的基础之上,对热光开光的性能进行了测试分析,得到的器件消光比大约在20dB,加热功率为16.5mW,上升时间和下降时间在17sμ和3μs左右。实验结果表明所设计的硅基MMI的性能满足在热光开光中应用的实际需求。硅基MMI的设计对于硅基集成影响巨大,进一步对硅基MMI的指标优化,研究其偏振相关性,并对硅基MMI中相位关系进行实验方案设计,更多地应用将会实现在硅基相控阵,偏振分束器和混合模式相移器中。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多模干涉耦合器论文参考文献
[1].褚志鹏.基于神经网络的功能性多模干涉耦合器的逆向设计[D].哈尔滨工业大学.2018
[2].周昕.硅基多模干涉耦合器的设计与应用[D].南京大学.2018
[3].齐艳辉.基于多模干涉耦合器的光纤传感器与少模光纤激光器的研究[D].北京交通大学.2017
[4].张晓波.多模干涉耦合器集成的V型耦合腔激光器研究[D].浙江大学.2017
[5].王嘉源,肖金标,孙小菡.硅基槽波导级联多模干涉耦合器型偏振分束器[J].红外与毫米波学报.2015
[6].戚健庭.硅基多模干涉型光波导耦合器/偏振分束器的研制[D].东南大学.2015
[7].张效衡.宽带多模干涉型光耦合器的设计及优化[D].上海交通大学.2014
[8].张效衡,周林杰,李新碗,陈建平.宽带多模干涉型光耦合器的设计[J].电子技术.2014
[9].黄孙港.渐变型多模干涉耦合器的成像特性及应用研究[D].浙江工业大学.2012
[10].马丽,朱洪亮,陈明华,张灿,王宝军.InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作[J].光子学报.2012