本文主要研究内容
作者李天一（2019）在《量子点的制备及其改性SA-CMC共混膜的研究》一文中研究指出：由于量子点(quantum dots,QDs)具有表面效应、小尺寸效应以及宏观量子隧道效应,人们对量子点应用于光学和电学领域的研究存在很大的兴趣。将量子点分散在生物质膜中,使得复合膜具有高荧光,优异的热稳定性和柔软性好等优异性能,可用于发光二极管(LED),柔性电子显示器,滤光器件等光电应用。本论文制备了三种量子点,分别为氧化锌量子点(ZnOQDs),硅量子点(SiQDs)和Si-ZnO杂化量子点。利用透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对量子点的形貌、表面基团、化学键组成和光学性能进行了分析。通过改进的溶胶-凝胶法制备了氧化锌量子点,与文献报导实验条件相比明显缩短了反应时间;荧光光谱证实乙酸锌与氢氧化锂物质的量之比为1:1.5,反应时间为20 min时为制备ZnOQDs的最佳反应条件;ZnOQDs的最大荧光发射波长为525 nm,平均粒径为(3.2±0.2)nm,其晶格间距为0.28 nm。选用乙醇作为反应溶剂,以硅酸和硼氢化钠为反应原料,利用水热法一步合成荧光稳定的硅量子点;确定了硅酸和硼氢化钠反应物的物质的量之比为1.2:1,温度200℃,反应时间3 h等是最佳反应条件;制备的SiQDs晶格间距为0.31 nm,对应硅的(111)晶面,结构稳定,主要含有C-Si键和Si-Si键;SiQDs疏水性大于亲水性,其最大荧光发射波长为440 nm,且SiQDs具有波长依赖性。将氧化锌和硅两种量子点通过化学反应合成出Si-ZnO杂化量子点;FTIR和XRD分析证明Si-ZnO量子点中既有Si,又有ZnO成分;通过XPS证实Si-ZnO已发生化学键合;不同质量配比的反应物得到的Si-ZnO量子点的荧光发射波长不同。并且,Si-ZnO量子点具有荧光发射中心可调的性质。本研究将三种量子点分别分散到海藻酸钠(SA)和羧甲基纤维素钠(CMC)中。SA与CMC的质量比为3:7时SA-CMC共混膜的力学性能最好。三种量子点与共混膜复合的复合材料展示了不同的中心荧光发射波长,且在紫外灯照射下呈现不同颜色的光。制备的ZnOQDs/CMC与ZnOQDs/SA-CMC复合材料的中心荧光发射波长均为525 nm,在365 nm紫外灯照射下呈现黄色光,具有宽的紫外吸收性能。制备的SiQDs/SA-CMC复合材料的中心荧光发射波长为440 nm,并展示了明显的波长依赖性,当SiQDs的添加量为0.4 g时的复合材料的热稳定性最好,荧光强度最高。在365 nm紫外灯下呈蓝色光,与SiQDs的颜色趋于一致。制备的Si-ZnO/SA-CMC复合材料不同于前两种复合膜,它对中波紫外吸收较好,在245 nm的紫外灯照射下呈现蓝绿色。当Si-ZnO的添加量为0.3 g时,复合膜的热稳定性最好。
Abstract
you yu liang zi dian (quantum dots,QDs)ju you biao mian xiao ying 、xiao che cun xiao ying yi ji hong guan liang zi sui dao xiao ying ,ren men dui liang zi dian ying yong yu guang xue he dian xue ling yu de yan jiu cun zai hen da de xing qu 。jiang liang zi dian fen san zai sheng wu zhi mo zhong ,shi de fu ge mo ju you gao ying guang ,you yi de re wen ding xing he rou ruan xing hao deng you yi xing neng ,ke yong yu fa guang er ji guan (LED),rou xing dian zi xian shi qi ,lv guang qi jian deng guang dian ying yong 。ben lun wen zhi bei le san chong liang zi dian ,fen bie wei yang hua xin liang zi dian (ZnOQDs),gui liang zi dian (SiQDs)he Si-ZnOza hua liang zi dian 。li yong tou she dian zi xian wei jing (TEM)、fu li xie gong wai guang pu (FTIR)、Xshe xian guang dian zi neng pu (XPS)he ying guang guang pu (PL)dui liang zi dian de xing mao 、biao mian ji tuan 、hua xue jian zu cheng he guang xue xing neng jin hang le fen xi 。tong guo gai jin de rong jiao -ning jiao fa zhi bei le yang hua xin liang zi dian ,yu wen suo bao dao shi yan tiao jian xiang bi ming xian su duan le fan ying shi jian ;ying guang guang pu zheng shi yi suan xin yu qing yang hua li wu zhi de liang zhi bi wei 1:1.5,fan ying shi jian wei 20 minshi wei zhi bei ZnOQDsde zui jia fan ying tiao jian ;ZnOQDsde zui da ying guang fa she bo chang wei 525 nm,ping jun li jing wei (3.2±0.2)nm,ji jing ge jian ju wei 0.28 nm。shua yong yi chun zuo wei fan ying rong ji ,yi gui suan he peng qing hua na wei fan ying yuan liao ,li yong shui re fa yi bu ge cheng ying guang wen ding de gui liang zi dian ;que ding le gui suan he peng qing hua na fan ying wu de wu zhi de liang zhi bi wei 1.2:1,wen du 200℃,fan ying shi jian 3 hdeng shi zui jia fan ying tiao jian ;zhi bei de SiQDsjing ge jian ju wei 0.31 nm,dui ying gui de (111)jing mian ,jie gou wen ding ,zhu yao han you C-Sijian he Si-Sijian ;SiQDsshu shui xing da yu qin shui xing ,ji zui da ying guang fa she bo chang wei 440 nm,ju SiQDsju you bo chang yi lai xing 。jiang yang hua xin he gui liang chong liang zi dian tong guo hua xue fan ying ge cheng chu Si-ZnOza hua liang zi dian ;FTIRhe XRDfen xi zheng ming Si-ZnOliang zi dian zhong ji you Si,you you ZnOcheng fen ;tong guo XPSzheng shi Si-ZnOyi fa sheng hua xue jian ge ;bu tong zhi liang pei bi de fan ying wu de dao de Si-ZnOliang zi dian de ying guang fa she bo chang bu tong 。bing ju ,Si-ZnOliang zi dian ju you ying guang fa she zhong xin ke diao de xing zhi 。ben yan jiu jiang san chong liang zi dian fen bie fen san dao hai zao suan na (SA)he suo jia ji qian wei su na (CMC)zhong 。SAyu CMCde zhi liang bi wei 3:7shi SA-CMCgong hun mo de li xue xing neng zui hao 。san chong liang zi dian yu gong hun mo fu ge de fu ge cai liao zhan shi le bu tong de zhong xin ying guang fa she bo chang ,ju zai zi wai deng zhao she xia cheng xian bu tong yan se de guang 。zhi bei de ZnOQDs/CMCyu ZnOQDs/SA-CMCfu ge cai liao de zhong xin ying guang fa she bo chang jun wei 525 nm,zai 365 nmzi wai deng zhao she xia cheng xian huang se guang ,ju you kuan de zi wai xi shou xing neng 。zhi bei de SiQDs/SA-CMCfu ge cai liao de zhong xin ying guang fa she bo chang wei 440 nm,bing zhan shi le ming xian de bo chang yi lai xing ,dang SiQDsde tian jia liang wei 0.4 gshi de fu ge cai liao de re wen ding xing zui hao ,ying guang jiang du zui gao 。zai 365 nmzi wai deng xia cheng lan se guang ,yu SiQDsde yan se qu yu yi zhi 。zhi bei de Si-ZnO/SA-CMCfu ge cai liao bu tong yu qian liang chong fu ge mo ,ta dui zhong bo zi wai xi shou jiao hao ,zai 245 nmde zi wai deng zhao she xia cheng xian lan lu se 。dang Si-ZnOde tian jia liang wei 0.3 gshi ,fu ge mo de re wen ding xing zui hao 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自东北林业大学的李天一，发表于刊物东北林业大学2019-11-18论文，是一篇关于量子点论文,杂化论文,复合膜论文,发光论文,热稳定性论文,东北林业大学2019-11-18论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自东北林业大学2019-11-18论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。