论文摘要
目前应用最广泛的透明导电膜是铟锡氧化物薄膜(ITO),其制备技术是成熟的,但由于InSn等材料有自然储量少、制备工艺复杂、有毒、稳定性差等缺点。因此,急需一种替代产品来满足人们的需要。ZAO(氧化锌铝)薄膜不仅具有与ITO可比拟的电学和光学特性,而且有储量丰富、易于制造、成本较低、无毒、热稳定性好等优点。ZAO薄膜是最佳的ITO膜替代品。本文研究了ZAO靶材的制备、性能及利用磁控溅射法制备ZAO透明导电薄膜的光电性能、结构和形貌。在磁控溅射镀膜实验中ZAO靶材的选择和制备很重要,靶材直接影响镀膜的质量。本研究采用普通的常压法烧结ZAO靶材,研究了烧结工艺对靶材微观结构和性能的影响。研究表明:靶材应选择合适的成型压力,本实验选用使靶材密度最大,气孔率相对较小的成型压强为96MPa。在1100℃~1300℃范围内,靶材的密度随烧结温度的上升而明显上升;上升趋势在1150℃后变缓;在1300℃烧结温度下,靶材密度达到最大,保持1300℃烧结温度不变,改变烧结时间,在6h烧结时间可制得相对密度达94%的ZAO靶材,气孔率是1.06%。可用于磁控溅射的ZAO陶瓷靶材。本研究所制备的ZAO薄膜作为透明导电减反射膜应用在太阳能电池上,要求在低溅射功率和低衬底温度下,制备出较好的ZAO透明导电薄膜。衬底温度对ZAO薄膜的性能影响很大,随着衬底温度的升高薄膜电阻呈下降趋势,衬底温度为200℃时薄膜的方块电阻最小是3.67×106Ω/(?)。平均透过率都在85%以上。随溅射时间增加,方块电阻随膜厚的增加而下降,但是透光性也同时变差,在实际制备太阳能电池时根据需要制定膜的厚度。ZAO薄膜经过退火以后,薄膜上的粒子获得能量,进行迁移、团聚。晶体结构重组,薄膜的结构性能提高。方块电阻随退火温度的升高降低,退火对可见光范围的透过率影响不大。
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