论文摘要
LaAMnO (A=Ca、Ba、Sr、Pb)材料因为其大的超巨磁阻效应,作为制作光探测及磁电子器件的重要材料而受到广泛关注。张鹏翔等研究发现Ag掺杂对外延生长的LCMO薄膜的金属—绝缘转变温度和热电信号具有重要影响。而Ag掺杂的机制及不同掺杂量对磁电子器件热电性能的影响需要做系统深入的研究。本文分别通过固相法和化学共沉淀法制备了La2/3Ca1/3MO3:Agx (LCMO:Agx,其中,x定义为Ag的mol百分比,x=0.00、0.01、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40。)多晶靶材及其薄膜材料。实验通过改善烧结工艺、调节Ag掺杂量、研究Ag的掺杂机制和Ag对TM-I温度Tp的影响,从而获得LIV效应最高的制备工艺和Ag掺杂剂量,同时,通过XRD、R-T、AFM等测试分析手段研究Ag掺杂与LIV信号之间的关联机理。固相法系列:采用固相法烧结制备了LCMO:Agx多晶靶材。XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构,并且随着Ag掺杂量的增加,a轴和b轴在0≤x≤0.40范围内有微小的涨落;另外R-T曲线显示,0≤x≤0.05时,金属—绝缘转变温度(Tp)开始升高很快,0.05<x≤0.40时逐渐变缓,最大值为192 K,这比化学共沉淀法制备的多晶靶材(273 K)低约80 K。采用脉冲激光沉积法(PLD)在0°和15°LaAlO3 (100)单晶衬底上制备了LCMO:Agx外延薄膜;通过单一改变Ag掺杂量、镀膜时间,退火氧压和退火温度,研究了各生长条件对薄膜制备的影响。X射线衍射和ω-θ摇摆曲线分析表明所制备薄膜均沿[00l]方向生长,并且结晶质量均较好。另外,随着Ag掺杂量的增加,在倾斜衬底上生长的LCMO:Agx薄膜的激光感生电压效应(LIV)的Up值先增大后减小,x=0.05时最大,x=0.10时最小,LIV信号响应时间t则正好相反。共沉淀系列:采用化学共沉淀烧结制备了LCMO:Agx多晶靶材。XRD图谱显示所制备样品均为纯相的赝立方钙钛矿结构;另外R-T曲线显示所制备靶材的Tp均达到275 K,并且转变都很陡。其中,x=0.40样品的电阻温度系数TCR%达到28%,目前国内外文献中没有发现有高于此值的报道。采用PLD技术在0°和15°LaAlO3 (100)单晶衬底上制备了LCMO:Agx外延薄膜;研究了生长氧压、生长温度、激光能量、激光频率、退火氧压和退火温度对薄膜制备的影响。系统研究了生长氧压对LCMO:Agx电性能及LIV效应的影响,结果显示:存在最佳生长氧压使得LCMO:Agx薄膜具有最高Tp和最大LIV信号;存在临界生长氧压使得LCMO:Agx薄膜具有临界相(具有双相结构)
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