本文主要研究内容
作者薛明明（2019）在《氧化处理对碳化硅陶瓷致密性的影响》一文中研究指出：采用不同制备工艺（即SiC粉体的预氧化处理）,以Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1 900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未经预氧化处理,制备出的SiC陶瓷表面孔隙相对较小,密度相对较高. SiO2薄层的形成不利于制备高密度、高强度的SiC陶瓷样品.
Abstract
cai yong bu tong zhi bei gong yi （ji SiCfen ti de yu yang hua chu li ）,yi Al2O3-MgO-Y2O3wei shao jie zhu ji ,zai 1 900℃xia mo ya shao jie zhi bei SiCtao ci .yong XRDhe SEMfen xi SiCtao ci wei guan jie gou he biao mian xing mao .jie guo biao ming :tan hua gui fen liao wei jing yu yang hua chu li ,zhi bei chu de SiCtao ci biao mian kong xi xiang dui jiao xiao ,mi du xiang dui jiao gao . SiO2bao ceng de xing cheng bu li yu zhi bei gao mi du 、gao jiang du de SiCtao ci yang pin .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自伊犁师范学院学报(自然科学版)的薛明明，发表于刊物伊犁师范学院学报(自然科学版)2019年02期论文，是一篇关于碳化硅陶瓷论文,致密性论文,预氧化论文,伊犁师范学院学报(自然科学版)2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自伊犁师范学院学报(自然科学版)2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。