论文摘要
ZnO的室温禁带宽度是3.37eV,激子束缚能高达60meV,作为一种重要的光电信息功能材料,其p型掺杂问题是目前国际上最为关注的前沿领域。与此同时,由于ZnO通过适当地掺杂过渡金属离子有望实现室温铁磁性,有关ZnO基稀磁半导体(DMS)的研究也逐渐成为热点。本文针对目前ZnO研究中的热点问题,采用射频磁控溅射法制备较高结晶质量的ZnO:Mn薄膜,并结合N离子注入完成ZnO薄膜的Mn-N两步法共掺杂。通过在N2气氛中适当条件的快速退火,使注入的N离子达到电激活成为有效受主,进而实现p型转变。借助X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(F-SEM)、霍尔测试仪、X光电子能谱(XPS)、双光束紫外-可见分光光度计、样品振动磁强计对ZnO:Mn-N薄膜进行了结构、表面形貌、电学、元素组分及化学状态、光学、磁学等方面的测试。结果表明采用二步法共掺杂技术制备的ZnO:Mn-N薄膜具有良好的晶体质量,晶粒呈柱状结构,沿垂直于衬底的(002)方向生长。经退火后,没有观察到其它杂质相的生成。薄膜在650℃经10~30min退火时均可实现p型转变,空穴浓度可达1016-1018cm-3,表明650℃可能为ZnO:Mn-N体系中N离子达到电激活成为有效受主的温度。XPS能谱证明了Mn2+、N3-离子的掺入。在热退火作用下,部分间隙位N离子通过扩散进入O空位,形成N-Zn或N-Mn键,是样品转变为p型的依据。XPS深度剖析还发现在热退火作用下,N和Mn在薄膜体内分布比较稳定,且随刻蚀深度的增加变化不大,表明在薄膜中N离子由退火前的高斯分布趋向于均匀分布。XPS的量化分析结果表明Mn和N在薄膜体内的摩尔百分比浓度分别为~4 at.%和~1 at.%。未退火的n型与650℃退火10min的p型ZnO:Mn-N薄膜均具有室温铁磁性,矫顽力分别为40Oe与65Oe, p型样品比n型的饱和磁化强度明显增大,使用束缚磁极化子模型(BMP)对样品的磁性来源作了解释。此外,在成功实现ZnO:Mn-N薄膜p型转变的基础上,本文还在650℃20min对不同样品进行了重复性退火,样品的空穴浓度均达到~1017cm-3;在对样品进行长期的跟踪测试中,发现p型ZnO:Mn-N薄膜的电学性能在历经六个月后虽然存有不同程度的弱化,但整体表现良好,薄膜导电类型依然为p型。
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