导读:本文包含了键合压力论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:迭层键合,绝缘体上硅,高温压力传感器,异质异构
键合压力论文文献综述
齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷[1]（2019）在《圆片级迭层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用》一文中研究指出针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的迭层键合。采用玻璃—硅—玻璃叁层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10~(-9)Pa·m~3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年02期）
李玉玲,王明伟,张林超,吴佐飞[2]（2018）在《SOI压力传感器阳极键合残余应力研究》一文中研究指出绝缘体上硅(SOI)压力传感器通常采用阳极键合实现圆片级气密封装,硅片和硼硅玻璃片通过阳极键合技术在360℃左右形成可靠的结合。硅片和硼硅玻璃片的热膨胀系数不能完全匹配,降温后的硅—玻璃圆片必然会存在残余应力。残余应力直接影响传感器性能、稳定性和可靠性。建立了残余应力计算模型,分析了残余应力与硼硅玻璃片厚度的关系;完成了键合试验,通过测量圆片曲率半径得到了弯曲应力的量值,验证了通过调整玻璃片厚度实现应力匹配的方法。样品测试结果表明:通过应力匹配减小了工艺残余应力,有效提高了压力传感器的长期稳定性。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2018年11期）
孟凡健[3]（2018）在《基于压力自平衡的微流控芯片超声波键合研究》一文中研究指出聚合物微流控芯片的超声波键合技术,因其键合强度高、效率高、生物兼容性好的优势而具有广阔的应用前景。但是,目前用于超声波键合技术的微流控芯片存在导能结构制造困难、微通道易被堵塞、键合过程难以有效控制等问题,同时用于超声波键合的夹具存在调平效果差、效率低等问题。针对上述存在问题,本文完成了以下研究:(1)设计了一种芯片导能结构,该结构包括:导能筋、熔池、阻融台叁部分。将该导能结构与储液池、微混合区、延时区、检测区和废液缓冲区全部集成在PMMA基片上,盖片为PMMA平板,制作有直径为3mm注射进口。实验基片采用热压法制成,硅模具由干法刻蚀工艺制成,优化热压参数并对基片进行热压。热压完成后,对芯片的导能结构的尺寸、导能筋3D形貌、微通道的表面粗糙度等进行测量和检测,其中导能筋的复制精度达到95.4%,符合设计要求。(2)针对芯片超声波键合的特点,设计压力自平衡夹具,主要包括芯片夹具板和压力自平衡装置两部分。芯片夹具板主要功能包括:键合前芯片定位、键合过程中芯片夹紧以及键合后芯片取出;而压力自平衡装置采用球面副的形式,可实现超声压头与芯片的被动式调平。为了验证压力自平衡夹具的调平性能,采用无调平功能的夹具进行对比试验。利用感压胶片对压力进行测量,并将结果扫描进入MATLAB软件,通过定义压力分布系数M和压力分布比δ进行压力均匀性量化。结果表明:压力自平衡夹具的压力分布比δ提高了35.20%-43.18%。(3)对设计的实验芯片进行超声波键合,并对芯片导能结构进行验证。通过改变键合时间,利用扫描电镜(SEM)对芯片的截面进行观察测量,并得到导能筋高度的融化曲线。结果表明:设计的导能结构没有堵塞微通道,同时随着键合时间增加,导能筋高度存在明显的“停滞区”,该“停滞区”内芯片微通道的高度较为一致,可实现对超声键合过程的效控制,从而有效减小片间差异性。(4)采用两种夹具分别对实验芯片进行键合。引入焊线粗糙度LWR的概念,并对两组实验芯片的导能筋焊线进行测量,同时对键合后的实验芯片进行键合强度、密封性和承压能力等质量检测。结果表明:与无调平功能的夹具相比,使用压力自平衡夹具可有效降低LWR,提高导能筋焊线的质量;同时可将键合强度提高15.3%-45.1%,将芯片的承压能力提高18.75%,流速稳定,无漏液现象。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-05-30）
刘冲,孟凡健,梁超,李经民[4]（2018）在《超声波键合熔接结构及压力自平衡夹具》一文中研究指出聚合物微流控芯片对键合精度、键合强度及键合效率要求高。为了避免超声波键合中微通道被堵塞,解决键合过程中由调平精度和高频振动引起的键合强度低、键合压力分布不均的问题,设计了一种基于超声波键合的熔接结构和压力自平衡夹具。首先,利用感压胶片对压力自平衡夹具和不带自平衡功能的夹具的压力分布进行测量,并定义了压力分布系数进行量化。其次,利用两种夹具分别对设计芯片进行超声键合,并利用工具显微镜对焊线和微通道截面进行观测。最后,对两组芯片进行键合强度测试和密封性测试。实验结果表明:所设计的熔接接头结构对微通道的控制精度可达2.0μm。压力自平衡夹具结构简单可靠,可提高压力均匀性35.20%~43.18%,并使得焊线均匀一致,同时可提高键合强度15.3%~45.1%,并保证密封性。该熔接结构和压力自平衡夹具可满足聚合物微流控芯片的控制精度、键合强度、压力均匀性及其密封性的要求。(本文来源于《光学精密工程》期刊2018年03期）
薛瑞[5]（2015）在《超声功率和键合压力对金丝热超声键合质量的影响研究》一文中研究指出引线键合技术(Wire Bonding)作为现如今的一种主要的微电子领域内的封装技术,它是指使用细的金属丝线(Al,Pt,Au等),利用热能、压紧力与超声波能量等促进金属丝线和基板上的焊盘产生紧密的焊合,实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通的技术,是属于压力焊接的一种。针对微电子封装领域的要求不同,在工业上通常有热压引线键合,超声引线键合以及热超声引线键合这叁种引线键合定位平台技术被广泛采用。其中,热超声键合工艺结合了热压工艺与超声工艺这两者之间的优点,以其只需要比较低的加热温度、键合完成后键合的强度高并且对器件的可靠性非常有利等优势成为键合法的主流。本文在深入了解键合机理之后,针对现有的需求,立足实际,以25μm金丝热超声楔形键合工艺和25μm金丝热超声球形键合工艺里的超声功率和键合压力工艺参数作为研究对象,主要的内容有:1.分析键合的机理,并直观介绍楔形键合方式和球形键合方式这二者之间的异同点。在理论分析探讨的基础上,提取到超声功率和键合压力这两个工艺参数是对本公司芯片键合的质量的主要影响因素。2.以HYBOND626型热超声引线键合设备搭建起实验平台,在同样的芯片与同样的基板上分别进行25μm的金丝球形键合和25μm的金丝楔形键合的单因素实验样品准备,并采取Matlab软件对得到的单因素实验结果数据进行二次函数的拟合,得出在不一样的键合方法之下单因素对键合强度的不一样的影响趋势。3.根据单因素的实验数据,设计出正交因素表并依据此表进行正交实验,得出不同键合方式下,超声功率和键合压力这两个工艺参数在第一、二焊点处对键合可能产生的影响程度强弱:楔形键合方式下,第一键合点处,超声功率参数的设置对键合的质量的影响比键合压力参数设置要大,但程度不明显;第二键合点处,则是键合压力参数的变动对键合质量的影响程度远远大于超声功率参数;球形键合方式下,第一键合处,超声功率参数的设置对键合质量的影响比键合压力参数大,且程度比较明显;而在第二键合处,这二者对键合结果的影响强弱几乎是一样的。还可以提取到优化的参数组合,最终达到实验目的完成论文研究。(本文来源于《电子科技大学》期刊2015-09-01）
张德远,赵一举,蒋永刚[6]（2014）在《面向超高温压力传感器的SiC-SiC键合方法》一文中研究指出为了实现耐高温压力传感器SiC腔体的制作,分别利用高性能陶瓷胶、旋涂玻璃和金属Ni等3种材料作为键合层,研究了SiC-SiC键合工艺.扫描电子显微镜和键合拉伸强度实验结果表明,这3种材料的键合层均可以成功应用于SiC-SiC键合,其中高性能陶瓷胶键合层厚度为20~30μm,键合强度可达4 MPa;旋涂玻璃键合层厚度为2μm左右,键合强度约1.5 MPa;金属Ni键合层厚度为1μm,键合强度约为0.5 MPa.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2014年04期）
秦彬[7]（2014）在《引线键合机压力控制的研究和系统设计》一文中研究指出本文研究了在引线键合过程中对焊接有重要影响的参数—压力,运用STC12C2052AD单片机芯片,以PID为控制技术,对压力控制系统进行设计。实验测量结果表明,系统是有效的,合理的,改善了引线键合机的键合质量和键合稳定性。(本文来源于《电子世界》期刊2014年12期）
陈完年,王天雷,王艳宾,王大承[8]（2013）在《LED键合压力控制系统的研究与设计》一文中研究指出以LED全自动金线球焊线机键合压力的控制为研究对象,利用运动控制卡、伺服电机、伺服电机驱动器、光栅尺组建了位置闭环对劈刀的位置进行控制;利用单片机、数字电位器、电磁铁、压力传感器组建了压力闭环对键合压力进行控制。采用位置闭环和压力闭环相结合的方法设计了LED全自动金线球焊线机键合压力控制系统。目前阶段得到的实验结果表明:该控制系统相对比较稳定,能够减小因为超调带来的焊接基片损坏的现象。(本文来源于《组合机床与自动化加工技术》期刊2013年06期）
陈继超,赵湛,杜利东,刘启民,肖丽[9]（2013）在《利用银锡共晶键合技术的MEMS压力传感器气密封装》一文中研究指出为了提高MEMS压力传感器的气密封装效果,利用银锡(Ag-Sn)焊片共晶键合的方法实现封装.首先介绍了工艺流程,然后利用X射线能谱(EDX)和剪切强度分析对共晶键合的温度和时间参数进行了优化,接着对9组静载荷下的剪切强度、Ag-Sn合金分布和键合层断面做了对比分析,最后做了X光检测、氦泄漏率对比测试及MEMS压力传感器实际效果测试.实验结果表明,在温度为230℃、加热时间为15 min、静载荷范围为0.003 9 MPa～0.007 8 MPa时,MEMS压电传感器的平均剪切强度达到14.22 MPa～18.28 MPa,X光检测无明显空洞,氦泄漏率不超过5×10-4Pa.cm3/s,测试曲线表明线性度较好.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2013年02期）
王艳宾,陈完年,王天雷,王大承[10]（2012）在《基于变积分PID算法的键合压力控制系统的研究》一文中研究指出为了减小引线键合时键合压力的超调量、增加焊线系统的稳定性,在传统PID算法的基础上设计了一种变积分PID控制算法。仿真实验表明该控制算法比传统的PID算法有更好的控制效果,为压力闭环控制提供了一种新的控制策略。(本文来源于《机械工程与自动化》期刊2012年05期）
键合压力论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
绝缘体上硅(SOI)压力传感器通常采用阳极键合实现圆片级气密封装,硅片和硼硅玻璃片通过阳极键合技术在360℃左右形成可靠的结合。硅片和硼硅玻璃片的热膨胀系数不能完全匹配,降温后的硅—玻璃圆片必然会存在残余应力。残余应力直接影响传感器性能、稳定性和可靠性。建立了残余应力计算模型,分析了残余应力与硼硅玻璃片厚度的关系;完成了键合试验,通过测量圆片曲率半径得到了弯曲应力的量值,验证了通过调整玻璃片厚度实现应力匹配的方法。样品测试结果表明:通过应力匹配减小了工艺残余应力,有效提高了压力传感器的长期稳定性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
键合压力论文参考文献
[1].齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷.圆片级迭层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用[J].传感器与微系统.2019
[2].李玉玲,王明伟,张林超,吴佐飞.SOI压力传感器阳极键合残余应力研究[J].传感器与微系统.2018
[3].孟凡健.基于压力自平衡的微流控芯片超声波键合研究[D].大连理工大学.2018
[4].刘冲,孟凡健,梁超,李经民.超声波键合熔接结构及压力自平衡夹具[J].光学精密工程.2018
[5].薛瑞.超声功率和键合压力对金丝热超声键合质量的影响研究[D].电子科技大学.2015
[6].张德远,赵一举,蒋永刚.面向超高温压力传感器的SiC-SiC键合方法[J].纳米技术与精密工程.2014
[7].秦彬.引线键合机压力控制的研究和系统设计[J].电子世界.2014
[8].陈完年,王天雷,王艳宾,王大承.LED键合压力控制系统的研究与设计[J].组合机床与自动化加工技术.2013
[9].陈继超,赵湛,杜利东,刘启民,肖丽.利用银锡共晶键合技术的MEMS压力传感器气密封装[J].纳米技术与精密工程.2013
[10].王艳宾,陈完年,王天雷,王大承.基于变积分PID算法的键合压力控制系统的研究[J].机械工程与自动化.2012