导读:本文包含了杂质掺杂论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:GeSe单层,杂质态,第一性原理计算
杂质掺杂论文文献综述
熊宗刚,杜娟,张现周[1]（2019）在《二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态（英文）》一文中研究指出采用第一性原理的计算方法研究GeSe纳米片结构掺杂Ⅴ和Ⅶ族元素对其电子结构、形成能和跃迁能级的影响.结果表明:无论是掺杂Ⅴ族还是Ⅶ族元素,体系的形成能均随杂质半径的增加而增加.Ⅴ族元素掺杂体系的跃迁能级随杂质原子半径的增加而降低,而Ⅶ元素掺杂的体系却随杂质原子半径的增加而增加.其中,F、Cl、Br和I的掺杂为n型施主浅能级杂质,而N、P和As掺杂为p型受体深能级杂质.为相关的实验研究提供了理论参考.(本文来源于《计算物理》期刊2019年06期）
张浩,侯瑞祥[2]（2018）在《等离子体掺杂中杂质进入半导体方式的讨论》一文中研究指出在等离子体掺杂过程中,等离子体中的杂质,既可能通过扩散也可能通过离子注入的方式进入半导体。本文首先假设杂质以离子注入的形式进入半导体,基于杂质的浓度分布,借助LSS理论推出该情况下杂质的注入深度的表达式并计算出杂质的注入深度,然后与实验结果对比,发现计算值远小于实验值,得出假设不成立,进而推出杂质进入半导体的主要方式是扩散而不是离子注入。(本文来源于《科技创新导报》期刊2018年21期）
王凯[3]（2018）在《深能级杂质超掺杂硅的制备与性能研究》一文中研究指出深能级杂质超掺杂硅是制备中间带太阳能电池材料的关键技术,是发展新一代太阳能电池技术的重要研究方向之一。然而,目前传统的超掺杂工艺如离子注入结合脉冲激光处理等,存在掺杂层厚度较低,杂质分布不均匀,制备成本较高等缺点。因此,发展一种能够有效的进行不同的深能级杂质在硅中超掺杂,并且掺杂层厚度更高,制备工艺更简便的新方法将会有助于新型中间带太阳能电池的研究。本论文中,通过真空磁控溅射系统交替镀硅与钛、银、铁等深能级杂质元素的夹层结构的多层非晶薄膜并进行热退火处理,再结合532 nm波长纳秒脉冲激光熔融处理的方式制备出了具有较高的红外吸收性能的深能级杂质超掺杂的多晶硅薄膜材料。X射线光电子能谱分析表明,钛、银、铁掺杂硅材料具有很高的杂质掺杂浓度,实现了超掺杂,同时超掺杂层的厚度较高(高于200 nm),掺杂效果相对于传统的超掺杂工艺具有比较明显的提升。小角度X射线衍射分析表明,经过脉冲激光处理后的掺杂硅薄膜部分结晶,最高结晶率为25%左右,具有多晶结构。红外波段光吸收测试表明掺杂的硅薄膜材料在大于1200 nm波长区域具有显着的红外增强吸收,薄膜的整体红外吸收系数在1×10~3cm~(-1)以上,部分波长最高红外吸收系数接近5×10~3cm~(-1)左右,远高于未掺杂的单晶硅材料,并且呈现出较为明显的亚能带吸收特点。霍尔效应测试显示掺杂的硅薄膜层具有较高的载流子浓度,达到5×10~(1 8)cm~(-3)以上,超过了硅中超掺杂所对应的载流子浓度,且方块电阻有明显的降低。红外吸收系数的高低与薄膜的结晶率及载流子浓度大小之间呈现正相关性。该方法相较于传统的掺杂方法可以较为方便的制备出适用于多种不同的深能级杂质元素的超掺杂硅光电薄膜材料,且实现较为明显的红外增强吸收。(本文来源于《西南科技大学》期刊2018-04-11）
邓岳锋,宋艳华,陈继,刘川楹,李德谦[4]（2018）在《氧化镥中杂质对铈掺杂硅酸镥多晶粉体光谱性质影响》一文中研究指出氧化镥中杂质元素对其分离制备工艺、生产成本及镥基硅酸盐闪烁晶体的性能有很大影响,但杂质元素对晶体的性质影响研究较为有限,有待进一步完善。本文采用高温固相法制备了Lu_2O_3分离过程中关键杂质元素Yb~(3+)和Ca~(2+)共掺杂Lu_2Si O_5∶Ce多晶粉体,研究了Yb~(3+)或Ca~(2+)含量对多晶粉体光谱性质的影响,结果表明:Yb~(3+)或Ca~(2+)共掺并未改变发射光谱的形状和位置,随着杂质元素摩尔分数的增加,光谱强度和荧光寿命逐渐降低。(本文来源于《应用化学》期刊2018年04期）
吴海江[5]（2018）在《如何防范主题教育掺杂形式主义杂质》一文中研究指出形式主义的特质决定了力戒形式主义绝非毕其功于一役,而是一项持久性的系统工程,需要久久为功,发扬钉钉子的精神。因此,力戒形式主义,就必须坚定马克思主义的科学理想信念,加强党统领一切的领导力,始终坚持以人民为中心的思想,加强党的制度建设,充分发挥好党员干部中坚力量的作用。(本文来源于《人民论坛》期刊2018年01期）
白晓婉[6]（2017）在《基于杂质原子掺杂缺陷石墨烯的氧还原反应电催化剂的理论研究》一文中研究指出质子交换膜燃料电池(PEMFC)可以通过电化学反应将化学能直接转化成电能,并且因其转换效率高,无污染等特点,在过去的几十年里引起了广泛的关注。目前,贵金属铂(Pt)基催化剂为PEMFC的主要催化剂。但因其储量低,成本高,耐久性差等问题严重阻碍了PEMFC广泛的商业应用。因此,开发廉价高效的非贵金属或非金属电催化剂来催化氧还原反应(Oxygen Reduction Reaction:ORR)已成为PEMFC实现商业化的关键。近几年,由于掺杂石墨烯以及碳纳米管等sp~2纳米碳材料具有优异的导电性和高的比表面积等优点,已经成为了非贵金属或非金属ORR电催化剂的重要选项和研究热点。本论文结合量子化学计算和电化学热力学模型分析,系统地研究了不同非贵金属或非金属掺杂缺陷石墨烯构成的ORR电催化剂的催化性能,以及探讨了掺杂含缺陷石墨烯具有催化活性的内在机制。论文主要内容和研究结果如下:1.磷(P)掺杂缺陷石墨烯作为氧还原反应电催化剂的理论研究。通过形成能的计算,P掺杂双缺陷石墨烯要比P掺杂单缺陷和Stone Wales缺陷石墨烯更易形成。针对P掺杂双空位缺陷石墨烯,展开ORR反应机理和自由能曲线的研究。研究结果表明,O_2分子可以有效的吸附在电催化剂表面,满足了ORR发生的前提。随后,在ORR机理研究中发现活化O_2分子可以通过叁个ORR竞争反应路径完成4e-过程且转化为最终产物H_2O分子。其中动力学最佳的路径是O_2分子氢化形成OOH,OOH氢化形成O+H_2O的过程。这个路径的决速步骤是最后一步,即OH氢化生成H_2O的过程。从ORR自由能曲线图中可以得出,每一步基元反应的吉布斯自由能都是负值,说明反应是自发进行的放热过程。结合外电势的影响,预测该体系的工作电压是0.27 V。2.硅(Si)掺杂缺陷石墨烯作为氧还原反应电催化剂的理论研究。研究结果表明,对于Si掺杂双缺陷石墨烯,O_2分解和OOH氢化成O+H_2O是反应的最佳路径,O原子氢化生成OH是最佳路径中的决速步骤。而对于Si掺杂单缺陷石墨烯,同一路径下,决速步骤为第二个H_2O分子生成且需要克服相当高的势垒。这说明相同非金属掺杂不同缺陷石墨烯构型会导致不同的ORR催化活性发生。对于双缺陷石墨烯,反应的主要活性位点是Si以及与Si成键的四个C原子,这一点从电荷转移和差分电荷密度可以得到证明。3.锰(Mn)和磷(P)共掺杂缺陷石墨烯作为氧还原反应电催化剂的理论研究。结果表明,对于MnP_x(x=1-4)共掺双缺陷石墨烯,MnP_2是最稳定的结构。针对MnP_2共掺双缺陷石墨烯,反应机理研究表明MnP_2和它相邻的六个C原子构成了催化活性中心,且在酸性介质中以4e-转移过程完成ORR催化反应。动力学最佳反应路径是O_2分子氢化形成OOH,然后OOH氢化形成O+H_2O的过程。决速步骤是第二个H_2O分子的形成。(本文来源于《内蒙古工业大学》期刊2017-06-01）
郑青松,李仲秋,冯立峰,李华,尹海涛[7]（2016）在《铜掺杂氧化锌半导体杂质能级的理论研究》一文中研究指出采用密度泛函理论,利用MBJ-CPA方法计算了Cu掺杂ZnO的电子结构,理论解释Cu掺杂ZnO材料后出现发光特性,为今后Cu掺杂ZnO实验研究提供一定的理论依据.(本文来源于《哈尔滨师范大学自然科学学报》期刊2016年04期）
曹军红[8]（2016）在《不同杂质离子掺杂YBCO薄膜性能的研究》一文中研究指出YBCO高温超导薄膜由于其自身的优良性能及潜在的价格优势,一直受到很大的关注。近年来,YBCO高温超导薄膜在工业生产等领域具有非常广泛的应用前景。然而外加磁场下较低的临界电流密度严重限制了其在某些领域方面的应用。本课题的研究目的是提高YBCO薄膜的有场性能。本论文中采用无氟的高分子辅助金属有机物沉积法制备了YBa2Cu3-xRxO7-δ(R=Li、 Ni, x=0、0.0005、0.001、0.0015、0.002)的高温超导薄膜。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、物性综合测量系统(PPMS)和磁学测量系统(MPMS)对它们的晶体结构、表面形貌及性能进行了研究。研究结果表明：微量杂质离子Li+和Ni2+掺杂,都不会引起YBCO薄膜晶体结构及表面形貌的明显改变；随着Li+和Ni2+名义掺杂量的增加,YBCO超导薄膜的超导转变温度逐渐降低；适量Li+和Ni2+掺杂都可以明显增强YBCO薄膜在低温高场下和高温整个磁场范围内的磁通钉扎性能,有效地提高了其在外加磁场下的载流性能。与微量Ni2+掺杂的YBCO薄膜相比,微量Li+掺杂的YBCO薄膜在高场下表现出更强的磁通钉扎性能,具有更高的临界电流密度。另外,对未掺杂和Li+和Ni2+掺杂YBCO薄膜的磁通钉扎机制进行了分析。可以得出,在未掺杂的YBCO薄膜中,正常相的面钉扎是主要的钉扎来源；而在Li+和Ni2+掺杂的YBCO薄膜中,除了正常相的面钉扎之外,还存在正常相的点钉扎。本论文中紧接着采用上述工艺制备了微量Ca2+掺杂Y位、微量Cr3+掺杂Cu位及微量Ca2+和Cr3+复合掺杂Y位和Cu位的YBCO薄膜。分别采用XRD、SEM、和MPMS对它们的晶体结构、表面形貌及性能进行了研究。研究结果表明：Y位、Cu位的单相及复合掺杂,也都不会引起YBCO薄膜晶体结构和表面形貌的明显改变；Y位、Cu位的复合掺杂对YBCO薄膜超导转变温度的抑制作用更大；与Y位、Cu位单相掺杂的YBCO薄膜相比,复合掺杂的YBCO薄膜在外加磁场下表现出更强的磁通钉扎性能,具有更高的临界电流密度。另外,对Y位、Cu位单相及复合掺杂YBCO薄膜的磁通钉扎机制进行了分析。可以得出,在Y位、Cu位单相掺杂的YBCO薄膜中,正常相的点缺陷是呈均匀分布的；而在Y位、Cu位复合掺杂的YBCO薄膜中,由于正常相点缺陷间的相互作用,自发地形成一种柱状缺陷,从而使得体系的钉扎强度大大增强。(本文来源于《西南交通大学》期刊2016-05-01）
宋庆功,秦国顺,杨宝宝,蒋清杰,胡雪兰[9]（2016）在《杂质浓度对Zr替位掺杂γ-TiAl合金的结构延性和电子性质的影响》一文中研究指出以Zr替代Ti(或Al)掺杂γ-Ti Al体系为研究对象,掺杂浓度(摩尔比)分别为1/54,1/36,1/24和1/16.采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了Zr掺杂γ-TiAl体系的晶体结构及其稳定性、延性和电子性质等.结果显示,Zr替位掺杂,可以改变γ-TiAl基合金的结构对称性.计算的形成能表明,Zr替代Ti原子会使体系的形成能降低,而Zr替代Al原子会使体系的形成能增加.因而,在掺入γ-TiAl时,Zr更倾向于替代Ti原子,但是Zr替代Al原子也具有一定的可能性,从而会产生多样的掺杂体系,对于改善合金的性质具有重要意义.对各个体系轴比的计算与分析表明,当掺杂浓度为1.85 at%—6.25 at%时,Zr替代Al原子会使体系的轴比减小、接近于1,从而改善合金的延性效果明显.能带结构显示各个Zr掺杂γ-TiAl体系均具有金属导电性.对电子态密度和布居数的分析表明,Zr替代Al原子后,Zr与其邻近Ti原子的共价键结合强度大为降低,导致合金体系中的Ti—Al(Zr)键的平均强度明显减弱,金属键增强,这是改善γ-TiAl合金延性的重要因素.(本文来源于《物理学报》期刊2016年04期）
陈匆[10]（2015）在《低维ZnO杂质缺陷行为及p型掺杂研究》一文中研究指出作为一种新型Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体材料,ZnO具有禁带宽度大(3.37 eV)、激子束缚能高(60 meV)等优点,非常适用于制备短波长光电器件。近年来研究者们对ZnO在p型掺杂和光电领域做了大量研究,目前已成功制备出p型ZnO薄膜并实现电致发光。但要实现ZnO光电应用,仍需解决p型稳定性和提高发光效率等问题。ZnO缺陷工程,即ZnO中杂质缺陷调控和机理研究,有助于解决p型掺杂等科学问题,对器件物理研究和ZnO在各个领域的应用都有一定的物理指导意义和推进作用。在本文中,我们将以缺陷工程为背景,对ZnO中常见缺陷态如表面态、H、Cu、Na杂质缺陷进行研究,最后采用激光脉冲沉积(PLD)技术制备出p型ZnMgO掺Na薄膜并获得Na受主能级。本论文主要研究内容包括：1.采用Al2O3包覆和H等离子体处理两种方式对ZnO纳米棒进行改性,发现Al2O3包覆仅仅抑制了缺陷峰强度,而H等离子体处理使带边发光峰增强了200倍以上。结果证明缺陷峰和表面态相关,而A1203包覆钝化了表面态,从而抑制了缺陷峰发光；H等离子体处理不仅钝化表面态,还钝化了非辐射复合中心,减少了非辐射复合的竞争机制,导致了带边发光效率大大提升。该结果对提高ZnO发光效率和理解表面态行为有指导作用。2.采用高能H等离子体处理对ZnO纳米棒进行H掺杂,发现超强紫光峰主导的低温光致发光(PL)谱。结合时间分辨PL和变激发测试,发现这个紫光峰至少存在两种发射机制。退火实验验证上述观点,同时证实紫光峰和H相关。研究了不同H处理功率对紫光峰的影响,发现当功率低于30W,紫光峰并不会出现。我们认为,H等离子体达到一定能量后才会和ZnO中本征缺陷形成缺陷复合体,导致紫光峰出现,而在400℃退火后,由于H的逸出使得缺陷复合体分解,最终使得紫光峰消失。该结果对理解ZnO中H缺陷态的行为有物理指导意义。3.参考选择性静电吸附模型,采用水热法结合后续热退火制备出p型ZnO掺Cu薄膜。霍尔测试和p-ZnO:Cu/ n-ZnO同质pn结的Ⅰ-Ⅴ整流特性,均验证了p型的可靠性。变温PL结果证实Cu+的存在,并计算出Cu_Zn受主能级为326 meV。我们认为,326 meV的受主能级使得大部分空穴不能电离,造成样品的弱p型；而Cu热扩散会诱生ZnO本征缺陷以及Cu复合体缺陷,会进一步影响样品电学性能,使得p型调控的难度大大增加。4.采用PLD法制备出p型ZnMgO:Na薄膜。通过Mg合金化缓解Na掺杂引起的较大晶格失配,极大地改善样品表面形貌。结合变温Hall测试和变温PL测试,分析Na受主缺陷态行为,并得到Na受主在ZnMgO：Na中的能级深度约为460 meV,这也是 ZnMgO:Na薄膜中受主能级的首次报道。(本文来源于《浙江大学》期刊2015-06-09）
杂质掺杂论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在等离子体掺杂过程中,等离子体中的杂质,既可能通过扩散也可能通过离子注入的方式进入半导体。本文首先假设杂质以离子注入的形式进入半导体,基于杂质的浓度分布,借助LSS理论推出该情况下杂质的注入深度的表达式并计算出杂质的注入深度,然后与实验结果对比,发现计算值远小于实验值,得出假设不成立,进而推出杂质进入半导体的主要方式是扩散而不是离子注入。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
杂质掺杂论文参考文献
[1].熊宗刚,杜娟,张现周.二维GeSe纳米片五族和七族原子掺杂的受主和施主杂质态（英文）[J].计算物理.2019
[2].张浩,侯瑞祥.等离子体掺杂中杂质进入半导体方式的讨论[J].科技创新导报.2018
[3].王凯.深能级杂质超掺杂硅的制备与性能研究[D].西南科技大学.2018
[4].邓岳锋,宋艳华,陈继,刘川楹,李德谦.氧化镥中杂质对铈掺杂硅酸镥多晶粉体光谱性质影响[J].应用化学.2018
[5].吴海江.如何防范主题教育掺杂形式主义杂质[J].人民论坛.2018
[6].白晓婉.基于杂质原子掺杂缺陷石墨烯的氧还原反应电催化剂的理论研究[D].内蒙古工业大学.2017
[7].郑青松,李仲秋,冯立峰,李华,尹海涛.铜掺杂氧化锌半导体杂质能级的理论研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报.2016
[8].曹军红.不同杂质离子掺杂YBCO薄膜性能的研究[D].西南交通大学.2016
[9].宋庆功,秦国顺,杨宝宝,蒋清杰,胡雪兰.杂质浓度对Zr替位掺杂γ-TiAl合金的结构延性和电子性质的影响[J].物理学报.2016
[10].陈匆.低维ZnO杂质缺陷行为及p型掺杂研究[D].浙江大学.2015