极紫外光刻投影光学系统优化设计

论文摘要

光刻技术及其在产业中的开发应用一直是业界最关注的焦点之一。极紫外光刻成为了下一代光刻技术最有力的竞争者。然而,要实现商业化,必须先克服技术上难关。光刻是大规模集成电路的制造过程中最为关键的工艺,光刻物镜是光刻的核心,其性能直接决定了光刻的图形传递能力。本文介绍了极紫外光刻光学系统的设计原理,提出一种五反射镜的设计构思,它在光学质量、自由工作距离方面满足极紫外光刻商业化的要求。为了实现这个设计,文章对精密非球面加工和计算机辅助光学装校也作了一定探讨。此外,论文针对投影光学系统,从光学设计要求出发,分析了影响光学系统成像质量的各种主要误差因素,并使用ZEMAX软件对设计结果进行了检验。

论文目录

• 摘要
• ABSTRACT
• 第一章 绪论
• §1.1 引言
• §1.2 光刻技术的应用和发展
• §1.3 本文的主要内容
• 第二章 极紫外光刻投影光学系统
• §2.1 EUVL投影光学系统
• §2.2 EUVL光学系统的组成及工作原理
• §2.3 EUV光源的工作原理
• §2.4 EUV光源面临的挑战
• §2.5 投影光刻物镜的加工
• §2.6 EUV光刻掩模的结构
• §2.7 曝光过程中的热变形对掩模的影响
• §2.8 粗糙度对掩模的影响
• §2.9 EUV光刻的真空环境
• 第三章 五反射镜式投影光学系统的设计
• §3.1 EUVL投影光学系统的设计参数
• §3.2 EUVL投影光学系统的设计要求
• §3.3 六反射镜系统
• §3.4 五反射镜光学系统的构想
• §3.5 反射物镜的设计和光学性能评价
• §3.6 结论与展望
• 结论
• 致谢
• 参考文献