本文主要研究内容
作者王雪文,吴朝科,高海波,翟春雪,李振杰,张志勇,贺琳（2019）在《Mg掺杂InxGa1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征（英文）》一文中研究指出：采用磁控溅射法,用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地掺入InxGa1-xN薄膜。电学性能分析表明In0.84Ga0.16N和Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为2.65×1018cm-3和3.9 cm2/（V·s）。
Abstract
cai yong ci kong jian she fa ,yong In2O3ba 、Ga2O3ba 、Mgba zai Sipian shang zhi bei chu InxGa1-xNbao mo he Mgcan za de InxGa1-xNbao mo 。bao mo zhong de Inzu fen sui zhao Mgde can za er jian shao ,yin wei Mgde can za yi zhi le In-Njian de xing cheng ,bing zeng jia le Gajin ru bao mo de ji hui 。tong guo EDSdui Mgcan za de InxGa1-xNbao mo de fen xi biao ming ,you 1.4%de Mgzu fen bei cheng gong de can ru InxGa1-xNbao mo 。dian xue xing neng fen xi biao ming In0.84Ga0.16Nhe Mgcan za de In0.1Ga0.9Nbao mo dao dian lei xing you nxing zhuai bian wei pxing ,er ju Mgcan za de In0.1Ga0.9Nbao mo de kong xue nong du he dian zi qian yi lv fen bie wei 2.65×1018cm-3he 3.9 cm2/（V·s）。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自稀有金属材料与工程的王雪文,吴朝科,高海波,翟春雪,李振杰,张志勇,贺琳，发表于刊物稀有金属材料与工程2019年04期论文，是一篇关于薄膜论文,磁控溅射法论文,掺杂论文,电学性能论文,稀有金属材料与工程2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自稀有金属材料与工程2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：薄膜论文; 磁控溅射法论文; 掺杂论文; 电学性能论文; 稀有金属材料与工程2019年04期论文;