夏昌其:纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电学性能的影响论文

夏昌其:纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电学性能的影响论文

本文主要研究内容

作者夏昌其,钟春燕,李自立(2019)在《纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电学性能的影响》一文中研究指出:为获得电学性能优异、生产成本低的ZnO压敏电阻片,本文采用传统陶瓷烧结技术制备ZnO压敏电阻片,研究不同含量纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片的电位梯度、漏电流、非线性系数等电性能的影响。采用压敏电阻直流参数仪对ZnO压敏电阻片的电学性能进行表征。实验结果表明,随着纳米Bi2O3含量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度先升高后降低,漏电流变化不显著,非线性系数先增大后减小。当掺杂纳米Bi2O3摩尔分数为0.80%时,ZnO压敏电阻片的电学性能最佳。

Abstract

wei huo de dian xue xing neng you yi 、sheng chan cheng ben di de ZnOya min dian zu pian ,ben wen cai yong chuan tong tao ci shao jie ji shu zhi bei ZnOya min dian zu pian ,yan jiu bu tong han liang na mi Bi2O3can za dui ZnOya min dian zu pian de dian wei ti du 、lou dian liu 、fei xian xing ji shu deng dian xing neng de ying xiang 。cai yong ya min dian zu zhi liu can shu yi dui ZnOya min dian zu pian de dian xue xing neng jin hang biao zheng 。shi yan jie guo biao ming ,sui zhao na mi Bi2O3han liang de zeng jia ,ZnOya min dian zu pian de dian wei ti du xian sheng gao hou jiang di ,lou dian liu bian hua bu xian zhe ,fei xian xing ji shu xian zeng da hou jian xiao 。dang can za na mi Bi2O3ma er fen shu wei 0.80%shi ,ZnOya min dian zu pian de dian xue xing neng zui jia 。

论文参考文献

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自山东化工的夏昌其,钟春燕,李自立,发表于刊物山东化工2019年16期论文,是一篇关于压敏电阻片论文,电位梯度论文,漏电流论文,非线性系数论文,山东化工2019年16期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自山东化工2019年16期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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