掺杂分布论文-王锴,严丽萍,邵康,张聪,潘再法

掺杂分布论文-王锴,严丽萍,邵康,张聪,潘再法

导读:本文包含了掺杂分布论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:Zn1+xGa2–2xSixO4,Cr3+,长余辉,不等价掺杂,陷阱分布

掺杂分布论文文献综述

王锴,严丽萍,邵康,张聪,潘再法[1](2019)在《硅铬共掺杂尖晶石长余辉材料Zn_(1+x)Ga_(2–2x)Si_xO_4:Cr~(3+)中近红外余辉的增强及陷阱分布分析》一文中研究指出本论文基于硅铬共掺杂,合成得到了一种尖晶石长余辉材料Zn_(1+x)Ga_(2–2x)Si_xO_4:Cr~(3+)。实验采用高温固相法,按照设计的化学计量比精确称量ZnO、Ga_2O_3、SiO_2和Cr_2O_3等原料,制备了一系列硅铬共掺杂的镓酸锌尖晶石长余辉材料,其化学式为Zn_(1+x)Ga_(2–2x)Si_xO_4:Cr~(3+)(x=0, 0.1, 0.15, 0.2, 0.5, 1)。实验结果表明:采用硅铬共掺杂方式后,引入合适浓度的硅离子可有效改善余辉性能。当x=0.2时,样品余辉强度最佳,相比ZnGa_2O_4:Cr~(3+)增强了3倍,并且余辉持续时间长达24 h。进一步的陷阱分布分析表明,在ZnGa_2O_4基质基础上引入硅掺杂,可有效调控不同陷阱深度的分布。即在丰富的反位缺陷基础上,硅的共掺杂可增加不等价替换缺陷和填隙缺陷等,并可调控禁带宽度及缺陷形成,从而实现改善余辉性能的目的。(本文来源于《无机材料学报》期刊2019年09期)

廖瑞金,项敏,袁媛,高步林,朱同年[2](2019)在《纳米Al_2O_3掺杂对绝缘纸的空间电荷及陷阱能级分布特征的影响》一文中研究指出传统纤维素纸在直流电场的作用下易于积聚空间电荷而导致介质内部电场发生畸变引发事故。为改善油浸纤维素绝缘纸在直流电场下的空间电荷特性,使空间电荷难以积聚且易于消散,利用纳米Al2O3对绝缘纸进行改性,采用脉冲电声法(PEA)测试了不同纳米含量的油浸改性纸样在直流电场下的空间电荷密度,并对陷阱参数进行了计算。结果表明:纳米Al2O3掺杂质量分数为1%时对空间电荷行为的抑制效果最佳;纳米氧化铝的掺杂激发了深陷阱的形成,增大了深陷阱的密度,改变了纤维素绝缘纸中的陷阱能级分布;陷阱能级分布的改变解释了改性绝缘纸的体积电阻率和直流击穿场强随纳米氧化铝含量变化的原因。研究结果可为进一步研究纤维素绝缘纸的改性技术和提高纤维素绝缘纸的各项性能提供参考。(本文来源于《高电压技术》期刊2019年03期)

陈慕云[3](2019)在《硼掺杂MFe_2O_4(M=Ni、Mn)尖晶石铁氧体的磁性和阳离子分布研究》一文中研究指出尖晶石结构铁氧体是一种应用范围极广的磁性材料。每个(A)[B]_2O_4型尖晶石铁氧体晶胞中包含8个结构单元,其中32个氧离子呈面心立方密堆积排列,形成两种不同的间隙,64个四面体间隙和32个八面体间隙。有8个阳离子占据四面体间隙,称为(A)位;有16个阳离子占据八面体间隙,称为[B]位。关于元素B掺杂尖晶石铁氧体的研究比较少,其研究者认为B离子更偏向于占据[B]位,但并没有给出有关的磁性能分析。本文利用固相反应法制备了B_(x1)Ni_(x2)Fe_(3-x1-x2)O_4(0.0≤x_1≤0.333)和B_(x1)Mn_(x2)Fe_(3-x1-x2)O_4(0.0≤x_1≤0.176)系列样品,分别简称为硼镍系列样品和硼锰系列样品。测量并分析了硼镍系列中2个样品的X射线光电子能谱,以及两个系列样品的X射线衍射谱和在10K及300K下的磁滞回线。研究了样品的晶体结构、磁性和阳离子分布,得到以下结果:(1)X射线光电子能谱分析结果显示,在经过热处理之后,只有约25%的B元素进入到尖晶石铁氧体结构中。因此,初始配制的B_xNi_(1-x)-x Fe_2O_4和B_xMn_(1-x)Fe_2O_4系列样品,经热处理后的实际化学表达式分别为B_(x1)Ni_(x2)Fe_(3-x1-x2)O_4和B_(x1)Mn_(x2)Fe_(3-x1-x2)O_4。(2)两个系列样品均为单相立方尖晶石结构,空间群为Fd 3 m。硼镍系列样品的晶格常数随B含量x_1的增大而增大,硼锰系列样品的晶格常数随B含量x_1的增大而减小。(3)磁性测量结果表明,在10K温度下,硼镍系列样品的平均分子磁矩实验值?_(obs)随B含量x_1的增加而增大;当x_1>0.026时,硼锰系列样品的?_(obs)值随x_1的增大而减小。(4)利用量子力学势垒模型和O2p巡游电子模型拟合了?_(obs)值随x_1的变化曲线,从而得到两个系列样品中各种离子在尖晶石结构(A)、[B]子晶格的分布情况。在硼镍系列样品中,进入[B]位的B~(2+)离子占B离子总含量的85%以上,进入[B]位的B~(2+)与B~(3+)离子之和占B离子总含量的比例在92%以上。在硼锰系列样品中,随着B含量x_1的增大,占据(A)位和[B]位的B离子含量同时增大,但占据[B]位B离子的含量较多;在(A)位与[B]位的B~(2+)离子之和约占B离子总含量的92%。在两个系列样品中,Mn和Ni离子的分布特点相似。(本文来源于《河北师范大学》期刊2019-03-20)

吴建荣[4](2018)在《HDP-CVD磷硅玻璃特殊磷掺杂分布的机理研究》一文中研究指出研究了HDP-CVD PSG薄膜在栅极周围类似"花朵"状的磷含量分布的机理。实验结果表明,"花朵"状的磷含量分布是HDP-CVD反应腔中Bias RF将栅极间隙顶部的氧化物轰击溅射到间隙底部,掉落在间隙底部拐角处的氧化物再淀积的PSG薄膜中磷含量比其他区域低而形成的。这种"花朵"状的磷含量分布沿着栅极两边间隙底部拐角往上生长,是HDP-CVD PSG薄膜所特有的,它的形成与底部材料以及图形疏密分布无关。(本文来源于《微电子学》期刊2018年03期)

关鸣[5](2018)在《上转换材料中掺杂稀土离子分布行为及其对发光性能的影响》一文中研究指出稀土离子掺杂的上转换材料可实现低能量光子到高能量光子的转化,展现出独特的发光特性,但其存在着发光强度和效率不高的问题。探索稀土离子在上转换材料中的存在形式和分布行为,研究其内部敏化剂与激活剂离子形成的能量传输系统网络,对于提高和优化上转换材料光学性质具有至关重要的作用。本论文系统地研究了上转换稀土离子在铟酸盐氧化物及NaYF_4氟化物体系中的存在形式和分布行为,并开发了一种新型的高性能多色发光上转换纳米晶的制备技术,为其在生物成像、荧光探针、光学传感和防伪等方面应用奠定了基础。具体的研究成果如下:(1)制备了上转换稀土离子(Yb~(3+)、Er~(3+)、Ho~(3+)等)掺杂的SrIn_2O_4和BaIn_2O_4氧化物基质上转换荧光粉,表征了其晶体结构和上转换发光性能。研究发现上转换材料中稀土离子总是更倾向于占据In~(3+)离子的原子占位。结果表明MIn_2O_4(M=Ca~(2+)、Sr~(2+)、Ba~(2+))是一组优秀的上转换发光氧化物基质材料。(2)基于同步辐射光源的X射线光电子能谱(XPS),表征了稀土离子在NaYF_4:Yb~(3+)/Tm~(3+)纳米颗粒中不同深度下的分布行为。研究发现无论上转换纳米颗粒尺寸或Yb~(3+)敏化剂浓度,Yb~(3+)敏化剂离子从核内部到表面呈现逐渐减少的梯度分布,在表面形成主要为Y~(3+)基质离子的近似惰性保护层。这种在核心区域富集Yb~(3+)敏化剂离子的模式,有利于减少表面的敏化剂离子而避免表面猝灭效应,有利于纳米颗粒的上转换发光。(3)开发了一种新型的在有机溶剂中通过阳离子交换制备高性能多色发光纳米颗粒的技术。这种离子交换直接发生在NaGdF_4:Yb~(3+)/Tm~(3+)非核壳结构纳米晶的表面,快速地对初始纳米颗粒进行多色发光的渲染。相比于发光严重淬灭的传统水相离子交换,该技术可以保持初始NaGdF_4:Yb~(3+)/Tm~(3+)颗粒模板90.8%的发光性能,而在具有核壳结构的NaGdF_4:Yb~(3+)/Tm~(3+)@NaGdF_4中,可以增强1.6倍的上转换发光强度。并且,该方法制备的纳米颗粒具有更加多色的发光性能。(本文来源于《中国地质大学(北京)》期刊2018-05-01)

周学宏,刘琳琳,马于光[6](2017)在《共聚焦拉曼光谱深度序列法表征苝酰亚胺自掺杂膜中的共轭离子态及分布》一文中研究指出离子态会对有机半导体器件的电学性能产生重要的影响。在本文里,拉曼光谱法被用于追踪苝酰亚胺(PBI)自掺杂膜内离子态物质在大气环境下的时间演变过程。在共聚焦模式下,对自掺杂膜进行深度序(本文来源于《第十九届全国光散射学术会议摘要集》期刊2017-12-01)

蔡辉剑,樊心民[7](2017)在《玻尔兹曼分布对Yb~(3+)掺杂光纤激光器波长的分析》一文中研究指出Yb~(3+)掺杂光纤激光器输出的激光波长范围很宽,但是获得不同波长激光的难易程度不同。为了在长波长波段获得较强的激光输出,本文分析了激光输出的影响因素。根据Yb~(3+)在玻璃基质中的能级,利用玻尔兹曼分布,计算了Yb~(3+)离子在~2F_(7/2)和~2F_(5/2)各个Stark能级的玻尔兹曼因子的数值。并利用这一结果,绘出了基态~2F_(7/2)各Stark能级上粒子数相对比率随温度变化的曲线。结合Yb~(3+)离子的吸收和发射截面得出结论:在长波长谱段,随着温度的升高,能够获得1 130~1 200nm波长谱段较高功率的激光输出。同时也指出在Yb~(3+)掺杂光纤激光器的常规激光输出波段,输出功率随着温度的升高而降低。(本文来源于《量子光学学报》期刊2017年04期)

刘悠嵘,郑继红,桂坤,王康妮,庄松林[8](2017)在《非均匀分布的纳米银掺杂的聚合物分散液晶全息光栅等效电路建模》一文中研究指出聚合物分散液晶全息光栅具有电场可调的特点,材料中掺杂纳米银颗粒,能够有效降低光栅的驱动电压.由于聚合动力学的影响,会造成纳米银颗粒在光栅中的非均匀分布,即纳米银在聚合物和液晶区分布含量不均匀,表现出不同的电场调控特性.通过等效电路建模的方法研究驱动电压阈值与所施加交流电场的频率之间的关系.根据Maxwell-Wagner效应建立纳米银分别被液晶和聚合物包围的等效电路模型,具体研究在液晶条纹中,纳米银含量占总纳米银比例不同的条件下,纳米银掺杂的聚合物分散液晶全息光栅的介电弛豫时间和弛豫振荡的频率数值变化,进一步调节驱动电场频率,获得更低的驱动电压阈值.通过最优驱动电场频率范围来初步确定纳米银在光栅中的分布结构,并证明纳米银颗粒集中在液晶条纹,少量分布在聚合物条纹中.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2017年05期)

张月,黄玉代,贾殿赠[9](2016)在《多级孔分布氮掺杂类石墨烯碳膜原位包覆LiFePO_4的制备及电化学性能研究》一文中研究指出【引言】碳包覆是一种提高LiFePO_4的导电性最高效、简单的方法~([1]),此外,原位碳包覆法更有利于限制LFP颗粒的生长,提高该正极材料的电化学性能。过结合静电纺丝和低温水热的方法合成多级孔分布氮掺杂类石墨烯碳膜(HPNGM)原位包覆LiFePO_4,加快锂离子、电子的传输,同时有利于电解液通过孔道与活性物质充分接触,改善其(本文来源于《第18届全国固态离子学学术会议暨国际电化学储能技术论坛论文集》期刊2016-11-03)

陈琳,胡凤春,谈浩,段恒利,孙治湖[10](2016)在《共掺杂(Cr,Cu,Li)调控Co原子在Co掺杂的ZnO磁性半导体中的分布》一文中研究指出利用X射线吸收谱(XAFS)和X射线光电子能谱(XPS)等技术研究了共掺杂原子(Li,Cu,Cr)对Co原子在Co掺杂ZnO薄膜中分布形式的影响.在共掺杂前,Co原子以替代Zn原子的替代位和金属Co团簇两种形式存在.共掺杂Cr原子后,样品中的Co团簇消失,掺杂的Co原子只以替代位的形式分布在ZnO基体中.与之相反,共掺杂Cu(Li)原子后,样品中的Co团簇含量显着增加.进一步分析表明,共掺杂的Cr原子与Cu(Li)对Co原子分布形式具有截然不同的调控作用是与共掺杂原子在ZnO基体中的空间占位特点密切相关.(本文来源于《中国科学技术大学学报》期刊2016年10期)

掺杂分布论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

传统纤维素纸在直流电场的作用下易于积聚空间电荷而导致介质内部电场发生畸变引发事故。为改善油浸纤维素绝缘纸在直流电场下的空间电荷特性,使空间电荷难以积聚且易于消散,利用纳米Al2O3对绝缘纸进行改性,采用脉冲电声法(PEA)测试了不同纳米含量的油浸改性纸样在直流电场下的空间电荷密度,并对陷阱参数进行了计算。结果表明:纳米Al2O3掺杂质量分数为1%时对空间电荷行为的抑制效果最佳;纳米氧化铝的掺杂激发了深陷阱的形成,增大了深陷阱的密度,改变了纤维素绝缘纸中的陷阱能级分布;陷阱能级分布的改变解释了改性绝缘纸的体积电阻率和直流击穿场强随纳米氧化铝含量变化的原因。研究结果可为进一步研究纤维素绝缘纸的改性技术和提高纤维素绝缘纸的各项性能提供参考。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

掺杂分布论文参考文献

[1].王锴,严丽萍,邵康,张聪,潘再法.硅铬共掺杂尖晶石长余辉材料Zn_(1+x)Ga_(2–2x)Si_xO_4:Cr~(3+)中近红外余辉的增强及陷阱分布分析[J].无机材料学报.2019

[2].廖瑞金,项敏,袁媛,高步林,朱同年.纳米Al_2O_3掺杂对绝缘纸的空间电荷及陷阱能级分布特征的影响[J].高电压技术.2019

[3].陈慕云.硼掺杂MFe_2O_4(M=Ni、Mn)尖晶石铁氧体的磁性和阳离子分布研究[D].河北师范大学.2019

[4].吴建荣.HDP-CVD磷硅玻璃特殊磷掺杂分布的机理研究[J].微电子学.2018

[5].关鸣.上转换材料中掺杂稀土离子分布行为及其对发光性能的影响[D].中国地质大学(北京).2018

[6].周学宏,刘琳琳,马于光.共聚焦拉曼光谱深度序列法表征苝酰亚胺自掺杂膜中的共轭离子态及分布[C].第十九届全国光散射学术会议摘要集.2017

[7].蔡辉剑,樊心民.玻尔兹曼分布对Yb~(3+)掺杂光纤激光器波长的分析[J].量子光学学报.2017

[8].刘悠嵘,郑继红,桂坤,王康妮,庄松林.非均匀分布的纳米银掺杂的聚合物分散液晶全息光栅等效电路建模[J].红外与毫米波学报.2017

[9].张月,黄玉代,贾殿赠.多级孔分布氮掺杂类石墨烯碳膜原位包覆LiFePO_4的制备及电化学性能研究[C].第18届全国固态离子学学术会议暨国际电化学储能技术论坛论文集.2016

[10].陈琳,胡凤春,谈浩,段恒利,孙治湖.共掺杂(Cr,Cu,Li)调控Co原子在Co掺杂的ZnO磁性半导体中的分布[J].中国科学技术大学学报.2016

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