Ka波段硅基分布式MEMS传输线移相器射频特性研究

论文摘要

作为一种新型的射频微机电系统(RF MEMS:Radio Frequency MicroElectroMechanical Systems)器件,分布式MEMS传输线(DMTL: Distributed MEMS Transmission Line)移相器因其具有损耗低、体积小、重量轻、以及与集成电路加工工艺相兼容等特点,已经越来越广泛地应用在相控阵雷达、微波通信、卫星通信以及微波测量等领域,其工作稳定性、可靠性以及射频性能在应用系统中起着关键作用。伴随着DMTL移相器的广泛应用,其射频性能问题一直是人们关注的焦点之一。特别是近年来,DMTL移相器朝多位数字式结构、更高频通信系统应用以及集成化方向发展,从而对DMTL移相器的机械性能、射频性能以及封装结构提出了新的要求。为此,本文对硅基DMTL移相器MEMS电容开关的下拉电压、响应时间和动态特性进行了理论分析和数值计算,并针对传统毫米波段DMTL移相器的射频性能、分析方法和封装结构在实际应用中存在的问题进行了深入系统地研究。鉴于DMTL移相器含有可动机械部件,其机械性能和射频特性等理论分析方法还不够完善,因此,本文首先针对静电驱动分布式MEMS传输线移相器的下拉电压和响应时间展开研究。采用理论模型和仿真验证相结合的方法从多个角度对DMTL移相器的MEMS电容开关进行机械性能分析,探讨和总结MEMS桥几何尺寸、材料性能等因素与下拉电压和响应时间之间的基本规律,目的是为RF MEMS器件的分析、设计和应用提供一定的理论依据。其次,本文针对DMTL移相器的MEMS桥动态特性展开研究,在考虑多种物理因素情况下建立MEMS桥的二维分布动态方程,并采用有限元多物理耦合场方法研究静态加载和动态加载下MEMS桥的动态特性,从而获得了在静态和动态加载情况下残余应力、伸长效应、加载电压、外界机械力的加载模式以及加载模式的振幅、周期和频率对MEMS桥的非线性动态特性影响的基本规律,为分布式MEMS传输线移相器MEMS桥设计和可靠性研究提供了理论基础。第三,本文针对传统毫米波段DMTL移相器射频性能改进展开研究,设计出一种硅基锯齿形DMTL移相器匹配电路结构。该锯齿形DMTL移相器结构特点是把加载MEMS金属桥处共面波导信号线设计成不连续,在传输线上引入串联电感抵消并联MEMS桥所产生的电容,从而有效实现传输线阻抗匹配和降低器件损耗。采用等效电路理论和软件仿真相结合的方法对器件的射频性能进行分析和仿真优化,结果表明:与传统DMTL移相器相比,所设计的硅基锯齿形DMTL移相器的射频性能和可靠性获得明显改进。第四,本文根据毫米波段DMTL移相器结构特点,设计出封装RF MEMS器件的芯片级微封装结构,该微封装结构采用相兼容的MEMS工艺直接在器件衬底上制备微封装结构,而不是在器件衬底键合上采用陶瓷材料、合金材料、金属、玻璃或硅等材料制成的封装帽。通过应用三维电磁仿真工具分析了器件衬底厚度、垂直互连线半径和微空腔高度对器件射频性能的影响,仿真结果表明:优化的微封装结构对器件射频性能影响非常小。最后,根据硅基锯齿形DMTL移相器MEMS电容开关的结构特点,设计了制备MEMS电容开关的表面微机械加工工艺流程以及相应的版图,且该工艺流程只需4块掩模板。测试结果表明:器件射频性能的模拟值和测试结果吻合很好,证明了等效电路理论与仿真工具相结合的方法分析RF MEMS器件的可行性;器件的微结构已完全成型,立体感强,与介质层无粘连,桥本身也非常挺直。

论文目录

• 摘要
• Abstract
• 第1章 绪论
• 1.1 课题研究目的和意义
• 1.2 传统移相器研究现状
• 1.2.1 移相器原理
• 1.2.2 移相器主要技术指标
• 1.2.3 传统移相器研究现状
• 1.3 新型移相器研究现状
• 1.3.1 MEMS 技术概述
• 1.3.2 射频MEMS 技术
• 1.3.3 开关线型MEMS 移相器
• 1.3.4 反射型MEMS 移相器
• 1.3.5 分布式MEMS 传输线移相器.
• 1.4 DMTL 移相器国内外研究现状
• 1.4.1 国外研究现状.
• 1.4.2 国内研究现状.
• 1.5 本课题的主要研究内容
• 第2章 DMTL 移相器下拉电压和响应时间研究
• 2.1 引言
• 2.2 DMTL 移相器下拉电压模型和集总模型
• 2.2.1 MEMS 电容开关下拉电压模型建立
• 2.2.2 MEMS 电容开关集总模型建立.
• 2.3 MEMS 电容开关下拉电压分析
• 2.4 MEMS 电容开关响应时间分析
• 2.5 MEMS 电容开关设计与分析
• 2.6 本章小结
• 第3章 DMTL 移相器MEMS 桥动态特性研究
• 3.1 引言
• 3.2 影响MEMS 桥二维分布动态方程物理因素
• 3.2.1 MEMS 桥大挠度
• 3.2.2 MEMS 桥残余应力
• 3.2.3 MEMS 桥边缘效应
• 3.2.4 MEMS 桥阻尼效应
• 3.3 MEMS 桥二维分布动态方程建立
• 3.4 MEMS 桥静态加载分析
• 3.5 MEMS 桥动态加载分析
• 3.6 本章小结
• 第4章 硅基锯齿形DMTL 移相器的研究
• 4.1 引言
• 4.2 硅基锯齿形DMTL 移相器等效电路模型
• 4.2.1 硅基锯齿形DMTL 移相器结构
• 4.2.2 硅基锯齿形DMTL 移相器相移分析
• 4.3 硅基锯齿形DMTL 移相器等效电路参数提取.
• 4.3.1 锯齿形共面波导等效电路特征阻抗计算.
• 4.3.2 MEMS 桥up 和down 态等效电容计算
• 4.3.3 MEMS 桥down 态等效电感计算
• 4.3.4 锯齿形共面波导不连续处等效串联电感和并联电容计算
• 4.4 硅基锯齿形DMTL 移相器结构参数优化
• 4.4.1 锯齿形DMTL 移相器S 参数提取
• 4.4.2 锯齿形DMTL 移相器射频性能分析
• 4.5 三维电磁仿真分析
• 4.6 本章小结
• 第5章 硅基DMTL 移相器封装结构研究
• 5.1 引言
• 5.2 MEMS 器件芯片级封装模式射频性能分析
• 5.3 芯片微封装结构与其制备工艺设计
• 5.3.1 芯片微封装结构设计
• 5.3.2 薄硅衬底制备
• 5.3.3 垂直互连线制备
• 5.3.4 微封装结构制备工艺设计
• 5.4 结构参数对器件射频性能影响分析
• 5.4.1 衬底厚度对器件射频性能影响
• 5.4.2 圆柱状垂直互连线半径对器件射频性能影响
• 5.4.3 微空腔高度对器件射频性能影响
• 5.5 芯片微封装分布式MEMS 传输线移相器射频性能
• 5.6 本章小结
• 第6章 硅基锯齿形DMTL 移相器电容开关制备与测试
• 6.1 引言
• 6.1.1 加工工艺设计
• 6.1.2 加工工艺重点要求
• 6.1.3 版图设计
• 6.1.4 加工样品实物图
• 6.2 射频性能参数测试
• 6.2.1 样品在片测试及系统校准
• 6.2.2 测试结果分析
• 6.3 本章小结
• 结论
• 参考文献
• 附录
• 攻读学位期间发表的学术论文
• 致谢
• 个人简历