氮化铌HEB混频器的研究

氮化铌HEB混频器的研究

论文摘要

由于在天文方面的应用,基于HEB混频器的太赫兹探测器经历了二十余年的不断发展。HEB是一种平面波导,它具有极小的寄生电抗。2003年成功部署在南极的TREND光谱仪就是基于HEB技术制成的。基于氮化铌(NbN)超导材料的外差太赫兹波探测器有着极其高的灵敏度,它的双边带噪声温度可接近于量子极限的数量级。这种探测器可用于宇宙辐射的微弱的亚毫米波、太赫兹波的接收与分析,对于宇宙辐射的研究有着非常重大的意义。探测器采用的是一种叫作HEB的外差光混频技术,而HEB混频器可分为电子-声子相互作用冷却型(p-HEB)和电子扩散冷却型(d-HEB)。由于在实际应用中,对于d-HEB的微桥长度很短(使电子扩散时间小于电子声子作用时间),产生的约瑟夫森噪声很大,可完全湮没信号电流,故只有p-HEB才是可行的,我们这里研究的是前一种。它的噪声温度、转换增益、IV曲线、尺寸效应、稳定性、中频特性等各种性质还没有一种好的理论能全面地解释。现在最为常用的模型是Hot-Spot Model,它能很好的符合以上各种特性,但当本地振荡器的频率超过能隙频率以上时,由于热点结构不再出现规律的调制,理论和实验数据出现较大的偏差,并且随着频率增加而变大。我们的研究重点是建立一种用效的理论模型来解释其表现特性,如本论文中所做的是加强入Andreev反射项,以期全面的符合实验数据,进而为其组成焦平面阵列提供理论预测。最后我们利用太赫兹时域光谱仪(TDS)与傅立叶红外光谱仪对NbN HEB混频器系统中所用到的Zitex滤波器进行了透过率的光谱分析。

论文目录

  • 摘要
  • Abstract
  • 1 绪论
  • 1.1 太赫兹波简介
  • 1.2 太赫兹外差探测与成像介绍
  • 1.3 研究内容与意义
  • 2 超导NbN HEB 的结构
  • 2.1 准光耦合器件
  • 2.2 冷却设备与本地振荡器
  • 2.3 混频器件
  • 2.4 低噪声放大器
  • 2.5 本章小结
  • 3 HEB 混频器的理论
  • 3.1 HEB 混频器原理及噪声特性
  • 3.2 标准模型
  • 3.3 KE 模型
  • 3.4 NSGR 模型
  • 3.5 含有Andreev 反射的Hot-spot 模型
  • 3.6 本章小结
  • 4 数值模拟分析
  • 4.1 电子温度的分布曲线、I-V 曲线
  • 4.2 中频阻抗
  • 4.3 混频增益曲线
  • 4.4 噪声温度
  • 4.5 本章小结
  • 5 Zitex 滤波器的实验光谱分析
  • 5.1 PTFE 材料
  • 5.2 Zitex
  • 5.3 本章小结
  • 6 总结与展望
  • 致谢
  • 参考文献
  • 相关论文文献

    • [1].一种2.8~6GHz单片双平衡无源混频器[J]. 微波学报 2019(06)
    • [2].肖特基二极管太赫兹混频器研究进展[J]. 传感器与微系统 2020(05)
    • [3].应用于信道产品中混频器的简单分析[J]. 数字通信世界 2020(05)
    • [4].基于放大器的新型混频器设计[J]. 吉首大学学报(自然科学版) 2018(02)
    • [5].宽带微波单片正交混频器的设计[J]. 微波学报 2016(S1)
    • [6].一种0.5~5GHz改进型折叠混频器[J]. 微电子学 2017(03)
    • [7].一种高线性低噪声CMOS混频器设计[J]. 信息技术 2017(09)
    • [8].3mm波段宽带混频器的设计[J]. 国外电子测量技术 2017(09)
    • [9].一种改进的高线性CMOS混频器的分析与设计[J]. 微电子学 2016(02)
    • [10].太赫兹准光混频器的设计与实现[J]. 太赫兹科学与电子信息学报 2016(05)
    • [11].基于CMOS工艺的低噪声、高增益混频器[J]. 信息技术 2013(11)
    • [12].C波段镜像抑制混频器的设计[J]. 电子元件与材料 2020(09)
    • [13].一种空间光输入90°混频器[J]. 光通信研究 2016(01)
    • [14].基于吉尔伯特型的CMOS射频混频器的设计[J]. 吉首大学学报(自然科学版) 2011(03)
    • [15].一种1V 2.4G CMOS高线性度混频器[J]. 微计算机信息 2009(05)
    • [16].一种低电压、低噪声、高增益CMOS折叠式混频器[J]. 微电子学与计算机 2009(05)
    • [17].基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器[J]. 微电子学 2009(06)
    • [18].5.8GHz CMOS混频器设计[J]. 半导体技术 2008(03)
    • [19].6~18GHz宽带正交混频器[J]. 电子信息对抗技术 2008(02)
    • [20].一种新的CMOS混频器电路优化设计方法[J]. 电路与系统学报 2008(02)
    • [21].基于动态电流注入技术的高线性混频器设计[J]. 电子器件 2019(06)
    • [22].基于双驱动调制的低噪声微波光子混频器[J]. 空间电子技术 2020(04)
    • [23].凌力尔特推出具可编程增益放大器的300MHz至6GHz双通道宽带混频器可实现5G无线接入[J]. 半导体信息 2017(01)
    • [24].一种无电感高线性有源混频器的设计[J]. 半导体技术 2017(05)
    • [25].数字边带分离混频器的优化与仿真[J]. 天文研究与技术 2014(03)
    • [26].基于相干激光通信的空间光混频器光机结构设计[J]. 光学学报 2013(09)
    • [27].超宽带高线性度混频器[J]. 今日电子 2013(09)
    • [28].混频器线性度的测试方法研究[J]. 硅谷 2012(05)
    • [29].一种电流注入式零中频正交混频器[J]. 固体电子学研究与进展 2012(03)
    • [30].吉尔伯特型CMOS零中频混频器的设计[J]. 吉首大学学报(自然科学版) 2012(04)

    标签:;  ;  ;  ;  

    氮化铌HEB混频器的研究
    下载Doc文档

    猜你喜欢