导读:本文包含了氮化铟薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氮化铟,p型掺杂,铁磁性,薄膜制备
氮化铟薄膜论文文献综述
李允怡,王伟,刘志军,龚威,解其云[1]（2017）在《氮化铟薄膜的p型掺杂和铁磁性研究进展》一文中研究指出Ⅲ族氮化物半导体材料(InN、GaN、AlN)由于能带结构的特殊性,使其在光电器件与微波等领域得到广泛应用。其中,研究和发展InN材料及器件已被公认是占领光电信息技术领域战略至高点的重要途径,InN材料的p型导电以及室温铁磁性研究更是成为Ⅲ族氮化物中新颖的研究课题。首先简单介绍InN的晶体结构和制备方法,并分析其目前所遇到的挑战,然后重点阐述国际上关于InN在p型掺杂以及铁磁性领域的研究进展,同时介绍本课题组在该方面的研究,最后进行了简要总结和展望。(本文来源于《材料导报》期刊2017年07期）
俞慧强,修向前,张荣,华雪梅,谢自力[2]（2014）在《用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究》一文中研究指出在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al_2O_3以及GaN/α-Al_2O_3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究。重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质。x射线衍射的结果表明,直接在α-Al_2O_3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al_2O_3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在。综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN薄膜,而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量。(本文来源于《高技术通讯》期刊2014年09期）
王竹平[3]（2010）在《半导体氮化铟薄膜非线性光学吸收性质的研究》一文中研究指出半导体材料的非线性光学吸收性质已经持续多年成为光学以及新功能材料领域的研究热点并被不断挖掘应用到实际器件中。例如,饱和吸收性质已经被广泛应用在激光物理中,如锁模、光学双稳器件等。双光子吸收和反饱和吸收也被应用在光开关以及光限幅器件等。因此,本文对半导体材料氮化铟薄膜的非线性吸收性质的研究有着实际的意义。在各种不同的研究非线性材料光学性质的实验方法中,Z扫描被认为是一种测量非线性参数最简单并且最准确的手段之一。通过这种技术我们既可以得到非线性吸收系数以及非线性折射率的符号又可以同时得到其数值大小。它已经被广泛应用与研究半导体的非线性光学性质。文章中,我们首先简介了介质中的基本叁阶非线性光学过程,然后介绍了Z扫描测量技术的实验装置及仪器。通过结合氮化铟薄膜的基本光学参数,利用Z扫描技术研究了氮化铟薄膜在不同脉宽以及波长激光下的非线性光学吸收性质。本文主要利用开孔透射式Z扫描实验系统,研究了氮化铟薄膜在纳秒、皮秒以及飞秒激光脉冲作用下的非线性吸收性质并分析研究了不同的吸收机制,发现在不同激光脉宽作用下,氮化铟薄膜呈现了不同的吸收过程。532 nm波长下脉宽为6纳秒以及38皮秒的实验中直接观测到了由线性吸收引起的饱和吸收效应。1064 nm波长下的脉宽为38皮秒脉冲Z扫描中,结果呈现出由双光子吸收引起的饱和吸收效应。而800 nm波长的100飞秒脉冲实验中双光子吸收是主导的吸收机制,随着入射光功率的增大,出现了饱和吸收的趋势。这些结果充分说明InN薄膜是一种很好的饱和吸收材料。同时,InN薄膜在纳秒以及皮秒时间域中强的饱和吸收性质是的InN薄膜在激光脉冲压缩方面有潜在的应用价值,而飞秒时间域中的双光子吸收也说明InN薄膜在光限幅器件方面有很好的应用前景。以上研究得到了国家自然科学基金(10734020)的资助,特此感谢!(本文来源于《上海交通大学》期刊2010-06-01）
雷明初[4]（2009）在《Cu基底上氮化铟外延薄膜的制备》一文中研究指出InN是一种性能优异的半导体材料,具有高的电子迁移率和小的直接带隙(0.7eV),在高速电子器件、红外光电器件方面有着巨大的应用前景。本文首次以单晶Cu为衬底,探索采用常规的真空蒸发反应法制备InN外延薄膜。为了制备合适的Cu单晶衬底,利用自制的蒸发源,采用真空蒸发沉积法系统研究了Cu在Si(100)和Mica(001)两种不同衬底上的的外延生长。对于Cu(100)/Si(100)体系而言,衬底的温度是Cu(100)薄膜在Si(100)上外延生长的关键影响因素,在沉积的开始阶段需要保持衬底温度接近室温,采用先快后慢的沉积方式能得到理想的Cu(100)外延表面,但Cu(100)外延薄膜在衬底温度高于200℃时因与衬底发生化学反应而不稳定;对于Cu(111)/Mica(001)外延体系而言,在200-400℃温度范围内Cu(111)均能在Mica(001)衬底上外延,且随着衬底温度的升高,Cu(111)薄膜的表面质量得到改善。最终选择Cu(111)/Mica(001)作为InN薄膜的外延衬底。采用常规的真空蒸发反应法,以NH3为N源,以热蒸发的In为In源,在In沉积速率极低的情况下,衬底温度为400℃左右时,于Cu(111)衬底上生长了一层外延薄膜,但由于NH3的热分解效率低,导致薄膜的平均生长速率极低。利用自制的高温钨丝催化附件,能明显提高NH3的分解效率,当衬底温度为400℃,NH3压力为1.0×10-3Pa,钨丝加热电流为7.0A,In的加热电流为2.9A时,在Cu(111)衬底上成功地制备出了InN外延薄膜,薄膜的生长速率明显提高,说明利用该法制备InN外延薄膜是完全可行的。根据XRD和RHEED的表征结果,所制备的InN薄膜为六方纤锌矿结构,并提出了InN/Cu(111)之间的外延关系模型。受限于NH3的分解效率, InN薄膜的生长速率较慢。为显着提高InN的生长速率,需要进一步提高NH3的分解效率。(本文来源于《华中科技大学》期刊2009-05-01）
张卓群[5]（2008）在《半导体氮化铟薄膜非线性光学及发光特性研究》一文中研究指出新型半导体薄膜材料的光学特性已经持续多年是新功能材料等研究领域的热点课题。半导体的非线性光学和发光性质在光电通信领域,例如全光开关、光学限幅器、光耦合器等方面有着良好的潜在应用价值。本文所研究的新型半导体材料氮化铟薄膜在光电子和微电子器件上有着广阔的应用前景,被认为是高效率低成本太阳能电池、光学掩膜及多种传感器的优选材料,所以氮化铟薄膜非线性光学和发光特性研究十分重要。Z扫描技术作为一种高灵敏度、实验装置简单的测量手段,被广泛应用于研究半导体材料的非线性光学特性。本文首先简述了材料介质中的基本叁阶以及五阶非线性光学过程。继而引入并且讨论了Z扫描技术这一测量材料非线性光学特性的重要方法和Z扫描实验装置及仪器的编程与搭建。通过结合氮化铟薄膜的发光以及透射光谱特性的计算得到的材料基本光学参数,主要利用Z扫描技术,着重研究了半导体氮化铟薄膜的非线性光学特性。本文结合使用了波长在800 nm下的飞秒脉冲激光透射式Z扫描技术和反射式Z扫描技术,研究了氮化铟薄膜的叁阶非线性折射率n_2,五阶非线性折射率n_4以及非线性吸收系数β。首先,利用反射式Z扫描技术,通过对氮化铟样品中非线性折射率随入射激光光强的变化关系的研究,表明氮化铟薄膜样品中的非线性折射率存在强烈的饱和效应,揭示了氮化铟薄膜中存在五阶非线性效应。实验中所获得的相对较小的饱和光强I_进一步说明氮化铟薄膜是一个非常强的饱和吸收介质。而后,借助透射式Z扫描技术,增加了激光与氮化铟薄膜材料介质的相互作用长度,从而增强了氮化铟薄膜材料中的级联非线性效应贡献,进而增强了氮化铟薄膜的五阶非线性效。由此,基于高斯分解理论,测量并计算得到了氮化铟薄膜叁阶非线性折射率n_2为-2.5×10~(-11) cm~2/W,五阶非线性折射率n_4为2.1×10~(-19) cm~4/W~2。变功率的透射式Z扫描实验进一步证实了五阶非线性效应的存在。此外,本文对氮化铟薄膜进行了正入射和截面入射的发光实验,详细研究了发光随深度和生长条件的关系。发现随深度的增加,发光峰位蓝移,随生长温度的升高,发光峰位红移。并将其物理机制归结为热应力和冷却应力的共同作用。(本文来源于《上海交通大学》期刊2008-01-01）
贾照伟[6]（2007）在《新型半导体氮化铟薄膜的电学输运特性》一文中研究指出本文研究的主要内容是新型半导体氮化铟(InN)的电学输运性质。InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景。然而它的一些基本性质到目前为止还不很清楚。因此很有必要对氮化铟的电学输运性质作一个详细的研究。首先介绍了半导体电学输运性质的研究方法和实验仪器,还简要介绍了拉曼光谱仪和空间相干模型作为电学研究的补充。接着对氮化铟薄膜的经典输运性质进行了研究。用迁移率谱分析方法研究了InN的表面和体载流子的对体系输运的贡献。并且通过深入研究了这两种载流子的迁移率和浓度随温度变化的性质,发现载流子的浓度在10-300K的范围内Ne≈ND-NA,基本上不随温度变化;而在所研究的温度范围内氮化铟中的电离中心散射引起的载流子的变化被LO声子散射抵消掉了,因此迁移率也基本上不随温度变化。还研究了较高温度下的样品晶界势垒模型的研究,发现晶界势垒的高度随着磁场升高而线性增加。本文另一个重点是对MOVPE生长的氮化铟薄膜量子输运特性的研究。因为氮化铟有较强的自旋-轨道耦合作用,它在低温和小磁场下的磁致电导行为表现出明显的“反弱局域化效应”的特点。根据弱局域化理论的分析我们得出下面的结果:MOVPE生长的InN薄膜的量子退(本文来源于《上海交通大学》期刊2007-01-01）
氮化铟薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al_2O_3以及GaN/α-Al_2O_3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究。重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质。x射线衍射的结果表明,直接在α-Al_2O_3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al_2O_3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在。综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN薄膜,而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氮化铟薄膜论文参考文献
[1].李允怡,王伟,刘志军,龚威,解其云.氮化铟薄膜的p型掺杂和铁磁性研究进展[J].材料导报.2017
[2].俞慧强,修向前,张荣,华雪梅,谢自力.用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究[J].高技术通讯.2014
[3].王竹平.半导体氮化铟薄膜非线性光学吸收性质的研究[D].上海交通大学.2010
[4].雷明初.Cu基底上氮化铟外延薄膜的制备[D].华中科技大学.2009
[5].张卓群.半导体氮化铟薄膜非线性光学及发光特性研究[D].上海交通大学.2008
[6].贾照伟.新型半导体氮化铟薄膜的电学输运特性[D].上海交通大学.2007