本文主要研究内容
作者李正,吴健,白忠雄,吴锟霖,范义奎,蒋勇,尹延朋,谢奇林,雷家荣（2019）在《4H-SiC探测器的γ辐照影响研究》一文中研究指出：为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60 Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1MGy（Si）,并在辐照后对4H-SiC的性能进行了测试。随着累积辐照剂量增加,4H-SiC探测器的正向电流增大,而反向电流恰好相反;根据4H-SiC探测器的正向I-V曲线可提取理想因子和肖特基势垒,理想因子从1.87增加到2.18,肖特基势垒从1.93V减小至1.69V;4H-SiC探测器对241 Am源产生的α粒子进行探测时,探测器的电荷收集率从95.65%退化到93.55%,测得能谱的能量分辨率由1.81%退化到2.32%。4H-SiC探测器在受到1MGy（Si）的γ辐照后,与未受到辐照时相比,在探测能量为5.486MeV的α粒子时能量分辨率和电荷收集率仅退化了28.18%和2.2%,仍具备优良的探测性能。
Abstract
wei yan jiu 4H-SiCtan ce qi de kang γfu zhao xing neng ,shi yong 40mo Ciji de 60 Coyuan dui 4H-SiCtan ce qi jin hang le shu ci fu zhao ,lei ji fu zhao ji liang zui da wei 1MGy（Si）,bing zai fu zhao hou dui 4H-SiCde xing neng jin hang le ce shi 。sui zhao lei ji fu zhao ji liang zeng jia ,4H-SiCtan ce qi de zheng xiang dian liu zeng da ,er fan xiang dian liu qia hao xiang fan ;gen ju 4H-SiCtan ce qi de zheng xiang I-Vqu xian ke di qu li xiang yin zi he xiao te ji shi lei ,li xiang yin zi cong 1.87zeng jia dao 2.18,xiao te ji shi lei cong 1.93Vjian xiao zhi 1.69V;4H-SiCtan ce qi dui 241 Amyuan chan sheng de αli zi jin hang tan ce shi ,tan ce qi de dian he shou ji lv cong 95.65%tui hua dao 93.55%,ce de neng pu de neng liang fen bian lv you 1.81%tui hua dao 2.32%。4H-SiCtan ce qi zai shou dao 1MGy（Si）de γfu zhao hou ,yu wei shou dao fu zhao shi xiang bi ,zai tan ce neng liang wei 5.486MeVde αli zi shi neng liang fen bian lv he dian he shou ji lv jin tui hua le 28.18%he 2.2%,reng ju bei you liang de tan ce xing neng 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自强激光与粒子束的李正,吴健,白忠雄,吴锟霖,范义奎,蒋勇,尹延朋,谢奇林,雷家荣，发表于刊物强激光与粒子束2019年08期论文，是一篇关于探测器论文,辐照论文,特性论文,探测器论文,强激光与粒子束2019年08期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自强激光与粒子束2019年08期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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