导读:本文包含了金属诱导晶化论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:金属诱导,横向晶化,低温,活化能
金属诱导晶化论文文献综述
李冬雪,汪浩,夏委委,刘超然,李天昊[1]（2013）在《金属诱导横向晶化非晶硅薄膜技术及新发展》一文中研究指出金属诱导横向晶化技术(MILC)由于具有晶化温度低、晶化颗粒大等优点而获得了快速发展。阐述了金属诱导横向晶化非晶硅薄膜的晶化机理、晶化效果及影响晶化效果的主要参数,并介绍了基于多种辅助措施,如离子掺杂、电磁场辅助、微波退火、激光退火、氮硅化合物覆盖法和焦耳热升温法等方法,以优化金属诱导横向晶化非晶硅薄膜。辅助措施均有利于增强晶化效果,更易获得大面积无孪晶多晶硅薄膜,并具有较高的载流子迁移率。最后提出采用微纳金属阵列结构调控晶化能量,实现低温、高速、大晶粒直径的多晶硅薄膜制备新方法。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2013年09期）
田跃生[2]（2011）在《非晶硅薄膜的金属诱导晶化研究现状》一文中研究指出概述了非晶硅薄膜的金属诱导晶化原理,介绍了Al,Ni两种金属诱导非晶硅薄膜晶化的一般规律,详细探讨了金属诱导条件下非晶硅薄膜的本质晶化机理,旨在为非晶硅薄膜的低温成核、晶化机理研究和多晶硅薄膜的研发制备提供实验支持与理论参考。(本文来源于《表面技术》期刊2011年05期）
张猛,王明湘[3]（2010）在《金属诱导横向晶化N型多晶硅薄膜晶体管同步交流电应力条件下的退化研究》一文中研究指出用在LCD驱动电路中的多晶硅薄膜晶体的栅漏端通常会遭受动态应力。对于栅端脉冲引起的多晶硅薄膜晶体管退化已经被广泛研究,而对于同步栅端和漏端脉冲应力条件下的器件退化研究极少被报道。本文研究金属诱导横向晶化N型多晶硅薄膜晶体管同步交流电压应力条件下的退化。研究发现器件开态退化在低频同步脉冲条件下,主要由自加热效应主导,该自加热效应和脉冲的高电平相关;而在高频同步脉冲条件下,该热载流子效应主导,并且此时的热载流子效应和脉冲转变时间相关。而器件关态的退化主要由动态热载流子效应主导并且和频率无关。首次发现动态热载流子效应和脉冲下降沿无关而和上升沿相关。在脉冲上升沿期间,耗尽区中的载流子暴露在由栅脉冲调制的耦合电场下获得能量从而形成热载流子。然而在脉冲下降沿期间,热载流子效应被在自加热效应屏蔽。在同步应力下,器件饱和被证实为热载流子效应发生的必要条件。本文提出的器件退化模型在不同实验条件下得到了验证。(本文来源于《苏州市自然科学优秀学术论文汇编(2008-2009)》期刊2010-11-01）
王健,李德杰,万媛,罗毅,查良镇[4]（2010）在《直接形成不连续铜膜的硅金属诱导晶化》一文中研究指出为发展低成本的多晶硅薄膜太阳能电池,采用磁控溅射技术,通过选择不同极性的表面和改变衬底温度,在普通钠钙玻璃衬底上直接形成了不连续的金属铜薄膜。以该薄膜作为诱导金属,在高温真空条件下对磁控溅射的非晶硅薄膜实现了固相金属诱导晶化。根据X射线衍射仪和拉曼位移光谱仪的测试结果,诱导晶化产生硅薄膜的晶粒尺寸约56 nm,晶化率达到84%。(本文来源于《真空》期刊2010年04期）
张良艳,林祖伦,祁康成,韦新颖[5]（2010）在《金属Ni诱导非晶硅薄膜晶化研究》一文中研究指出采用金属镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法制备多晶硅薄膜,研究了不同退火温度和退火时间对晶化效果的影响,使用SEM、EDS和XRD分析了薄膜的晶化效果。实验发现,非晶硅薄膜在460℃以下退火不能晶化,在460℃退火30min已全部晶化;随着退火温度升高或退火时间延长,晶化效果变好;退火2h之后晶体生长近乎饱和。(本文来源于《电子器件》期刊2010年01期）
曾祥斌,曾令驰,王慧娟[6]（2008）在《非晶硅薄膜金属诱导晶化的实时监测系统与晶化效果测量》一文中研究指出设计了用于测量非晶硅薄膜诱导晶化的电阻值的实验装置,通过实时电阻测量方法实现了金属诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控.结果表明薄膜的电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了样品的阻值衰减规律.应用拉曼光谱分析检测实时电阻测量的可靠性,结果表明实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究.(本文来源于《物理实验》期刊2008年07期）
李鹤,李学东,李娟,吴春亚,孟志国[7]（2008）在《表面修饰改善溶液法金属诱导晶化薄膜稳定性与均匀性研究》一文中研究指出提出了一种表面修饰的金属诱导晶化方法,以稳定地获得晶粒尺寸均匀的多晶硅薄膜.为在非晶硅表面获得均匀稳定的Ni源,在晶化前驱物表面浸沾Ni盐溶液之前,先旋涂一层表面亲合剂.通过控制Ni盐溶液的浓度,可以获得均匀性较好、晶粒尺寸分布在20—70μm的多晶硅薄膜.该方法的特点是改善了Ni盐溶液在表面的黏附状态,从而可在比常规Ni盐溶液浓度低1—2个数量级的情况下仍能获得大晶粒的多晶薄膜.(本文来源于《物理学报》期刊2008年04期）
彭尚龙,唐泽国,沈晓彦,王文彬,贺德衍[8]（2007）在《低温金属诱导晶化a-Si_(1-x)Ge_x：H(0．25≤x≤1)薄膜》一文中研究指出采用传统的双室射频电容耦合等离子体增强化学气相沉积方法,以硅烷和锗烷为气源在玻璃上沉积一层 a-Si_(1-x)Ge_x:H 薄膜,薄膜的厚度在800到900nm 之间。用射频溅射的方法在 a-Si_(1-x)Ge_x:H 薄膜表面溅射一层金,其厚度在50到100nm 之间。最后在氮气保护下退火制备出所需要的样品。利用 X 射线衍射、拉曼光谱、原子力显微镜以及扫描电镜等测试方法,研究了不同退火温度,不同锗含量对 a-Si_(1-x)Ge_x:H 薄膜低温晶化的影响。结果表明金层促进了非晶 Si_(1-x)Ge_x:H 薄膜在低温(～400℃) 的晶化。(本文来源于《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》期刊2007-09-01）
郝江波[9]（2007）在《PECVD法制备氢化非晶硅薄膜及其金属诱导晶化研究》一文中研究指出单晶硅和多晶硅太阳能电池存在成本较高的问题，因而硅薄膜及其太阳电池研究已经成为国际光伏领域研究的热点。硅薄膜太阳能电池相对于单晶硅和多晶硅太阳能电池而言，具有所消耗硅材料少，成本低的特点，尤其是廉价衬底的引入，使硅基薄膜太阳能电池在成本控制方面具有更强的市场竞争力。目前硅基薄膜太阳能电池主要包括非晶硅薄膜太阳能电池，微晶硅薄膜／多晶硅薄膜太阳能电池。非晶硅太阳能电池除了有硅基薄膜太阳能电池的优点外，还具有衬底温度低，易于大面积制作，容易采用集成工艺的特点。多晶硅薄膜太阳能电池成本控制的关键是多晶硅薄膜材料制备的成本控制，因此寻找一种低能耗，低成本的制备方法制备多晶硅薄膜一直是光伏领域关注的重点。本论文采用等离子化学气相沉积(PECVD)技术，详细研究了不同硅烷浓度、反应气压、辉光功率和衬底温度对制备非晶硅薄膜沉积速率和光学特性的影响，结果表明：在实验研究的范围内，非晶硅薄膜的沉积速率随硅烷浓度的增加、衬底温度的升高、反应气压和辉光功率的增大而增加。本征非晶硅材料500nm处吸收系数在4.5×10~4cm~(-1)—8.5×10~4 cm~(-1)。论文从理论上对非晶硅薄膜太阳电池结构设计、性能优化和制作工艺进行了探索研究。非晶硅薄膜太阳能电池的理论模型计算表明，氧的污染是影响非晶硅薄膜太阳能电池的重要因素。本论文随后采用金属诱导非晶硅薄膜法对多晶硅薄膜材料的制备进行了研究。深入研究了电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜，研究结果表明，在横向电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜实验中，横向电场的引入有利于非晶硅薄膜的晶化；提高横向电场的强度，晶化效果进一步增强；在电场作用下，提高热处理时间和热处理温度都可以提高晶化率；电场辅助铝诱导晶化的最低晶化温度可以下降到400℃。论文研究了银诱导晶化非晶硅薄膜进行了研究，研究结果表明，银诱导晶化非晶硅薄膜现象在530℃热处理条件下需要60min才会发生；在固定热处理时间为30min时，热处理温度在550℃薄膜才会发生晶化。(本文来源于《武汉理工大学》期刊2007-05-01）
赵淑云,吴春亚,刘召军,李学冬,王中[10]（2006）在《大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究》一文中研究指出用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.(本文来源于《物理学报》期刊2006年11期）
金属诱导晶化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
概述了非晶硅薄膜的金属诱导晶化原理,介绍了Al,Ni两种金属诱导非晶硅薄膜晶化的一般规律,详细探讨了金属诱导条件下非晶硅薄膜的本质晶化机理,旨在为非晶硅薄膜的低温成核、晶化机理研究和多晶硅薄膜的研发制备提供实验支持与理论参考。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属诱导晶化论文参考文献
[1].李冬雪,汪浩,夏委委,刘超然,李天昊.金属诱导横向晶化非晶硅薄膜技术及新发展[J].微纳电子技术.2013
[2].田跃生.非晶硅薄膜的金属诱导晶化研究现状[J].表面技术.2011
[3].张猛,王明湘.金属诱导横向晶化N型多晶硅薄膜晶体管同步交流电应力条件下的退化研究[C].苏州市自然科学优秀学术论文汇编(2008-2009).2010
[4].王健,李德杰,万媛,罗毅,查良镇.直接形成不连续铜膜的硅金属诱导晶化[J].真空.2010
[5].张良艳,林祖伦,祁康成,韦新颖.金属Ni诱导非晶硅薄膜晶化研究[J].电子器件.2010
[6].曾祥斌,曾令驰,王慧娟.非晶硅薄膜金属诱导晶化的实时监测系统与晶化效果测量[J].物理实验.2008
[7].李鹤,李学东,李娟,吴春亚,孟志国.表面修饰改善溶液法金属诱导晶化薄膜稳定性与均匀性研究[J].物理学报.2008
[8].彭尚龙,唐泽国,沈晓彦,王文彬,贺德衍.低温金属诱导晶化a-Si_(1-x)Ge_x：H(0．25≤x≤1)薄膜[C].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007
[9].郝江波.PECVD法制备氢化非晶硅薄膜及其金属诱导晶化研究[D].武汉理工大学.2007
[10].赵淑云,吴春亚,刘召军,李学冬,王中.大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究[J].物理学报.2006