导读:本文包含了雾化汽相沉积论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:ZnO薄膜,超声雾化,退火,Al掺杂
雾化汽相沉积论文文献综述
温媛[1]（2007）在《超声雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究》一文中研究指出ZnO材料是一种具有六角纤锌矿结构的半导体材料,作为一种具有宽带隙、低介电常数,高化学稳定性及优异的光电、压电特性的多功能材料应用领域十分广泛。传统上,ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等领域。近年来,ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比,ZnO薄膜具有生长温度低,激子复合能高(ZnO:60meV,GaN:21～25meV),受激辐射阈值较低,能量转换效率很高等优点。有可能实现室温下较强的紫外受激发射,制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。另外,ZnO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短,对增加光记录密度具有重要意义。论文系统的阐述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理,并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。利用自制的超声雾化热解沉积技术生长了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试手段,对ZnO薄膜的结构和性能进行了表征。研究了各生长条件,如前驱体溶液浓度、衬底温度、载气流量、衬底到端口的距离、退火处理对ZnO薄膜的结构和性能的影响。实验结果表明,适当的生长条件有利于制备C轴取向生长的ZnO薄膜:当前驱体溶液浓度为0.1 mol/L,衬底温度为320℃,载气流量为5L/min,衬底到端口的距离为60 cm,沉积出高度C轴择优取向的ZnO薄膜,且在氧气气氛下退火温度为600℃时,得到的薄膜结晶状况较好。用AlCl_3·6H_2O作为掺杂剂制备了掺Al的ZnO薄膜,掺杂浓度的增加不利于ZnO薄膜的取向生长。(本文来源于《电子科技大学》期刊2007-06-30）
杨成兴[2]（2003）在《雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究》一文中研究指出氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等领域。近年来，ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比，ZnO薄膜具有生长温度低，激子复合能高(ZnO：60meV，GaN：21～25meV)，受激辐射阈值较低，能量转换效率很高等优点。有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。另外，ZnO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短，对增加光记录密度具有重要意义； 本论文综述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理，并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。利用自制的雾化汽相沉积技术生长了高度C轴择优取向的ZnO晶体薄膜，并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光光谱仪(UV-Vis absorption Spectrometer)、Hall效应测试仪等方法对ZnO薄膜的结构和性能进行了表征。研究了各生长条件如衬底温度、前驱体溶液浓度、衬底类型等参数对ZnO薄膜性能的影响。 在国际上首先实现了用氨水作为掺杂剂掺杂制备P型ZnO薄膜，并研究了其掺杂机理及光学、电学性能。利用雾化汽相沉积的P型导电ZnO薄膜，载流子浓度可达2.5×10~(17)cm~(-3)，且具有较好的光学性能。 另外，制备了Al／n-ZnO／p-Si异质结，测试了不同环境下该异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线。并在实验中首次发现在经过真空处理后的Al／n-ZnO／p-Si异质结中表现出了类似GaInP／AlGaInP量子阱等结构的S型负阻(NDR)现象。此现象具有应用前景。 上述具有创新性的工作内容已经申请国家发明专利，相关内容已经被国外刊物录用。(本文来源于《浙江大学》期刊2003-03-08）
雾化汽相沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等领域。近年来，ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比，ZnO薄膜具有生长温度低，激子复合能高(ZnO：60meV，GaN：21～25meV)，受激辐射阈值较低，能量转换效率很高等优点。有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。另外，ZnO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短，对增加光记录密度具有重要意义； 本论文综述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理，并概括了ZnO薄膜研究的最新进展。利用自制的雾化汽相沉积技术生长了高度C轴择优取向的ZnO晶体薄膜，并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光光谱仪(UV-Vis absorption Spectrometer)、Hall效应测试仪等方法对ZnO薄膜的结构和性能进行了表征。研究了各生长条件如衬底温度、前驱体溶液浓度、衬底类型等参数对ZnO薄膜性能的影响。 在国际上首先实现了用氨水作为掺杂剂掺杂制备P型ZnO薄膜，并研究了其掺杂机理及光学、电学性能。利用雾化汽相沉积的P型导电ZnO薄膜，载流子浓度可达2.5×10~(17)cm~(-3)，且具有较好的光学性能。 另外，制备了Al／n-ZnO／p-Si异质结，测试了不同环境下该异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线。并在实验中首次发现在经过真空处理后的Al／n-ZnO／p-Si异质结中表现出了类似GaInP／AlGaInP量子阱等结构的S型负阻(NDR)现象。此现象具有应用前景。 上述具有创新性的工作内容已经申请国家发明专利，相关内容已经被国外刊物录用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
雾化汽相沉积论文参考文献
[1].温媛.超声雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究[D].电子科技大学.2007
[2].杨成兴.雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究[D].浙江大学.2003