导读:本文包含了牺牲层技术论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:薄膜电路,光刻胶,牺牲层
牺牲层技术论文文献综述
陈帅,赵文忠,赵志平,张飞[1]（2019）在《采用光刻胶牺牲层技术改善薄膜电路制备工艺》一文中研究指出通过对薄膜电路制备工艺系统的研究,将传统的薄膜电路制备工艺与牺牲层技术相结合,提出了一种新型的薄膜电路制备方法。克服了对反应离子刻蚀及离子束刻蚀等干法刻蚀设备的依赖,同时取消了湿法刻蚀,避免了其对图形精度的影响。通过优化光刻胶配比,调节喷胶速率和采用溅射后退火等手段解决了牺牲层线条模糊、孔洞出现和膜基结合力差等问题。采用光刻胶牺牲层技术可以制备出高精度薄膜电路。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2019年03期）
郭庆,李妍,高尚,张培玉[2]（2018）在《采用牺牲层技术的电容式微机械超声传感器的仿真与分析》一文中研究指出电容式超声传感器有可能取代压电式超声传感器,在超声成像领域受到极大的关注。目前,对采用牺牲层释放技术加工而成的电容式微机械超声传感器(CMUT)的分析,均较少将释放工艺对其结构参数的影响进行详细的分析,故拟将牺牲层释放工艺对CMUT参数的影响进行分析。采用大型工程有限元分析软件ANSYS进行有限元分析的方法,分析释放方法对CMUT性能的影响。采用激光测振仪对超声传感器的共振频率为2.5 MHz的结构进行初步测试,实验结果和仿真结果的误差为3.9%。由仿真分析可知,CMUT振动膜的长宽比对4种CMUT的分析误差变动较大,一般情况下,当振动薄膜的长宽比大于4时,CMUT的振动频率变化不大,且4种模型的相对误差变化趋于平缓。此外,CMUT薄膜的厚度越薄,百分比差异越小。由此得知,牺牲层释放工艺对CMUT的性能有较大的影响,CMUT中支撑振动薄膜的侧墙和牺牲层的释放孔及释放通道对模型仿真有较大的影响。对采用牺牲层技术制造的CMUT,在设计和构建CMUT结构时,应考虑牺牲层释放工艺对CMUT性能的影响。实验结果和仿真结果具有很好的一致性,验证所提模型的有效性。(本文来源于《中国生物医学工程学报》期刊2018年06期）
关若飞[3]（2017）在《基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片研究》一文中研究指出压力传感器是微机电系统领域的重要器件之一,通过分析对比国内外MEMS压力传感器的发展现状,设计了基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片。并针对汽车电子领域,对器件的结构及参数进行了优化。首先,由于SOI材料是制作高温压力传感器的良好材料,所以本文利用SOI技术完成压力传感器的设计。其次,基于压力敏感结构的有限元仿真结果,得知随着膜片尺寸的改变,过载能力会有显着的变化;过载能力的提升幅度和传感器的量程有关,量程越小,过载能力的提升幅度越大。结合敏感结构的尺寸参数与过载能力之间的关系,可在保证传感器灵敏度不变小的前提下,通过合理选择敏感结构尺寸提高过载能力。为使芯片体积小的同时电阻条所受的平均应力尽可能大,根据单晶硅灵敏度高,重复性和稳定性好的特点,设计单晶硅材料的应变电阻,通过计算确定了采用弯折型电阻,每1/2电阻的长宽都为8μm。本文所设计的传感器量程为0.5MPa,根据膜片尺寸和过载能力之间的关系,并结合电阻尺寸确定弹性膜片的长宽,弹性膜片的长度为200μm,宽度为100μm。经线性静力分析,确定了压阻的布局,经几何非线性和接触非线性分析,得到了膜片厚度的确定方法,并将膜厚设计为4μm。于是将腔体高度设计为0.3μm,最后采用1mA恒流源供电时,所设计的压力敏感芯片灵敏度为178.74mV/Mpa,满量程输出为89.37mV,过载能力为12.21MPa。本文对基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片进行了设计和优化,结构尺寸的设计和电阻布局等使传感器的各类参数均达到了预期的设计指标。此外,本文基于牺牲层技术和SOI技术,给出了压力敏感芯片的工艺流程,并对工艺中的关键技术进行了分析总结,最后给出了本文传感器的版图设计,为传感器的生产制造提供了设计方案。(本文来源于《沈阳工业大学》期刊2017-05-20）
王健[4]（2015）在《基于牺牲层技术的多晶硅纳米膜压力传感器芯片》一文中研究指出硅基压阻式压力传感器应用广泛,在传感器中具有十分重要的地位。该传感器的发展方向是小型化、高灵敏度、良好温度特性和集成化,为此学者们对半导体力敏材料和传感器结构进行了深入研究。研究表明多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻特性,并较好地应用于体硅压力传感器。但该材料现有的的压阻系数算法理论推导存在一定欠缺,且该材料的应用范围亟待扩大。为了改进多晶硅的压阻系数算法,本文提出了一种p型多晶硅纳米薄膜压阻系数算法,该算法计算的应变因子(GF)与测试结果具有良好的一致性。并且,为了有效利用多晶硅纳米薄膜的优良压阻特性,设计研制了一种以多晶硅纳米薄膜为力敏电阻的牺牲层压阻式压力传感器芯片,该传感器芯片具有体积小、满量程输出高、过载能力强和易集成的优点,应用前景良好。隧道压阻理论利用量子隧道效应和能带退耦分裂理论,阐明了隧道压阻效应的形成机理,在此基础上建立了多晶硅压阻特性的新模型——隧道压阻模型(TPM),该理论较好解释了重掺杂p型多晶硅纳米薄膜应变因子较高的现象。但是,现有的基于该理论的压阻系数算法以p型单晶硅压阻实测数据拟合曲线为基础求取压阻系数与掺杂杂质浓度关系模型,且只给出压阻系数π44模型。因此,该算法需要改进。本文根据硅价带和空穴电导有效质量随应力改变的机理,采用多晶硅隧道压阻模型,提出了一种多晶硅纳米薄膜压阻系数算法。该算法给出了p型多晶硅纳米薄膜压阻系数与掺杂浓度关系式,其中包括基础压阻系数π11、π12和π44,并可以依此求取任意比例晶向排列的多晶硅应变因子。依据该算法绘制了多晶硅纳米薄膜应变因子与掺杂浓度关系曲线,与测试数据对比具有较好的一致性。表明提出的压阻系数算法合理地解释了多晶硅纳米薄膜应变因子与掺杂浓度关系,丰富了压阻理论。为了充分发挥多晶硅纳米薄膜压阻特性,以及牺牲层传感器的体积小、易集成的优点,本文研制了一种以p型多晶硅纳米薄膜为力敏电阻的牺牲层压阻式压力传感器芯片,该传感器芯片以硅为衬底,一个台阶型多晶硅膜片与衬底构成真空腔,密封的刻蚀孔排列在膜片四周,膜片上的四个力敏电阻用金属连接构成惠斯通电桥,将压力转换为电压输出。采用有限元分析软件,使用大变形和非线性接触方法对结构进行优化设计。利用多晶硅具有较高的抗拉强度的特点,给出了根据量程设计多晶硅膜片尺寸的方法,通过调整腔体高度提高了传感器的过载能力。依据传感器结构设计了传感器的工艺步骤。在工艺步骤中,使用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术淀积二氧化硅,采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术淀积多晶硅,使用湿法腐蚀技术去掉牺牲层,采用等离子体刻蚀技术制备腐蚀孔,采用离子注入技术掺杂硼杂质,采用溅射技术淀积金属,采用退火工艺减少多晶硅膜片内应力和激活杂质,采用叔丁醇冷却干燥方法防止膜片与腔体底部黏附。依据设计结构和工艺步骤,本文试制了四批传感器样片,其中第一批样片因漏气而失效,通过改进工艺第二批样片解决了漏气问题,但由于无压力时膜片与衬底黏附,传感器灵敏度很低。调整工艺方法试制了第叁批样片,但由于使用低浓度腐蚀液导致牺牲层没有腐蚀干净。在调整腐蚀液浓度后试制的第四批样品达到设计要求。量程为2.5MPa的传感器样片测试结果表明:在25℃,5V电压源供电的满量程输出为362mV,非线性为0.21%FS,重复性为0.22%FS,迟滞为0.22%FS,过载压力为18MPa;在-55℃~150℃范围内,热零点漂移为﹣0.01%FS/℃,热灵敏度漂移为﹣0.1%FS/℃。与已报道的牺牲层压阻式压力传感器比较,研制的传感器量程和工作温度范围宽,满量程输出高,线性和迟滞性能好,但热灵敏度漂移稍差。与当前着名传感器企业生产的相近量程硅基压力传感器比较,研制的传感器具有体积小、满量程输出高和过载能力强的优点。具体地说,试制传感器样品实现了满量程输出扩大3倍以上,且具有良好的线性性能;试制传感器实现了过载能力是满量程的7倍以上,与典型的2~5倍满量程过载能力相比,过载能力明显提高;但重复性和热灵敏度漂移性能稍差,需要在进一步研究中改进。(本文来源于《沈阳工业大学》期刊2015-06-02）
揣荣岩,王健,代全,杨理践[5]（2014）在《基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片》一文中研究指出提出了一种基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片。这种传感器充分利用了多晶硅机械特性和多晶硅纳米膜的压阻特性优势,提高了传感器满量程输出和过载能力。利用有限元方法设计了仿真模型,通过对弹性膜片应力分布的静态分析和非线性接触分析,给出了提高这种压力传感器满量程输出和过载能力的设计方法。并试制了量程为2.5 MPa的传感器芯片样品。测试结果表明样品的过载压力超过7倍量程,5 V供电条件下,满量程输出达到362 m V。(本文来源于《传感技术学报》期刊2014年12期）
娄利飞,李跃进,杨银堂,汪家友[6]（2008）在《微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究》一文中研究指出采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨了多孔硅外貌与硅衬底晶向之间的关系。(本文来源于《压电与声光》期刊2008年02期）
吴晓,周星元[7]（2007）在《基于MEMS牺牲层技术的发展现状》一文中研究指出综述目前比较前沿的几种牺牲层技术的最新进展,简要阐述硅基牺牲层、光刻胶牺牲层、沉积锌牺牲层以及锗化硅(SiGe)牺牲层技术的基本原理和研究现状;同时对这些牺牲层技术的发展趋势以及应用前景进行展望,指出牺牲层技术是微机电系统推广和应用的关键性问题之一。(本文来源于《现代制造工程》期刊2007年09期）
汪继芳[8]（2006）在《非硅MEMS聚酰亚胺牺牲层技术研究》一文中研究指出MEMS作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展,牺牲层是MEMS应用中的关键技术,该技术可实现结构悬空和机械移动。目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。本文介绍了非硅MEMS聚酰亚胺牺牲层技术,通过实验解决了聚酰亚胺固化、金属膜溅射及释放问题。(本文来源于《集成电路通讯》期刊2006年04期）
张永华,丁桂甫,姜政,蔡炳初,赖宗声[9]（2006）在《用于MEMS的迭层光刻胶牺牲层技术(英文)》一文中研究指出研究了用于制备悬空结构的迭层光刻胶牺牲层工艺.讨论了工艺中常遇到的烘胶汽泡、龟裂、起皱、刻蚀电镀种子层时产生的絮状物和悬空结构释放时的粘附等问题,并提出了相应的解决办法.借助于分层刻蚀法和逐步替换法,用迭层光刻胶作牺牲层并利用湿法释放技术,制备得到了长1400μm、厚6μm、宽40μm、悬空高为10μm的完好的悬臂梁结构.(本文来源于《传感技术学报》期刊2006年05期）
李永海,丁桂甫,张永华,曹莹[10]（2005）在《电化学选择性刻蚀Cu/Ni牺牲层技术的研究》一文中研究指出牺牲层腐蚀技术结合MEMS技术是制作叁维可动微机构的一个重要加工手段。采用电位控制的电化学释放牺牲层技术,对2种不同刻蚀液下的Cu/Ni迭层结构分别进行了电化学腐蚀,并测量了其伏安特性,结果表明:电位控制的电化学腐蚀能很好地进行有选择性刻蚀Cu/Ni牺牲层。(本文来源于《传感器技术》期刊2005年04期）
牺牲层技术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
电容式超声传感器有可能取代压电式超声传感器,在超声成像领域受到极大的关注。目前,对采用牺牲层释放技术加工而成的电容式微机械超声传感器(CMUT)的分析,均较少将释放工艺对其结构参数的影响进行详细的分析,故拟将牺牲层释放工艺对CMUT参数的影响进行分析。采用大型工程有限元分析软件ANSYS进行有限元分析的方法,分析释放方法对CMUT性能的影响。采用激光测振仪对超声传感器的共振频率为2.5 MHz的结构进行初步测试,实验结果和仿真结果的误差为3.9%。由仿真分析可知,CMUT振动膜的长宽比对4种CMUT的分析误差变动较大,一般情况下,当振动薄膜的长宽比大于4时,CMUT的振动频率变化不大,且4种模型的相对误差变化趋于平缓。此外,CMUT薄膜的厚度越薄,百分比差异越小。由此得知,牺牲层释放工艺对CMUT的性能有较大的影响,CMUT中支撑振动薄膜的侧墙和牺牲层的释放孔及释放通道对模型仿真有较大的影响。对采用牺牲层技术制造的CMUT,在设计和构建CMUT结构时,应考虑牺牲层释放工艺对CMUT性能的影响。实验结果和仿真结果具有很好的一致性,验证所提模型的有效性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
牺牲层技术论文参考文献
[1].陈帅,赵文忠,赵志平,张飞.采用光刻胶牺牲层技术改善薄膜电路制备工艺[J].电子工艺技术.2019
[2].郭庆,李妍,高尚,张培玉.采用牺牲层技术的电容式微机械超声传感器的仿真与分析[J].中国生物医学工程学报.2018
[3].关若飞.基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片研究[D].沈阳工业大学.2017
[4].王健.基于牺牲层技术的多晶硅纳米膜压力传感器芯片[D].沈阳工业大学.2015
[5].揣荣岩,王健,代全,杨理践.基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片[J].传感技术学报.2014
[6].娄利飞,李跃进,杨银堂,汪家友.微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究[J].压电与声光.2008
[7].吴晓,周星元.基于MEMS牺牲层技术的发展现状[J].现代制造工程.2007
[8].汪继芳.非硅MEMS聚酰亚胺牺牲层技术研究[J].集成电路通讯.2006
[9].张永华,丁桂甫,姜政,蔡炳初,赖宗声.用于MEMS的迭层光刻胶牺牲层技术(英文)[J].传感技术学报.2006
[10].李永海,丁桂甫,张永华,曹莹.电化学选择性刻蚀Cu/Ni牺牲层技术的研究[J].传感器技术.2005