导读:本文包含了纳米半导体薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:水热法,硫化铋,纳米材料,薄膜
纳米半导体薄膜论文文献综述
唐聪[1]（2016）在《Bi_2S_3纳米半导体材料及薄膜的制备及其光催化性能研究》一文中研究指出近年来,半导体纳米材料由于其对光具有独特的光响应反应可以达到一定效果,使其在光催化领域有着广泛应用。硫化铋是一种层状结构的纳米材料,材料的禁带宽度为1.7eV,硫化铋纳米材料能良好的抑制光生电子空穴对的复合,从而增强纳米粒子的氧化和还原能力,因此其具有优异的光电和催化性能,在电化学和光催化材料等方面有着广泛的应用前景。纳米半导体材料的催化性质和性能与其颗粒的粒径、形貌有关系,本文通过叁种方法制备出不同形貌的硫化铋纳米材料和复合纳米材料,尝试对硫化铋的形貌进行可控合成,并且经过复合改性对其进行修饰,使其光催化性能得以显着提高。本文以五水合硝酸铋为铋源,硫化钠为硫源、尿素为矿化剂,采用简单的水热法成功制备出形貌单一的硫化铋纳米棒。采用热解-沉积和连续离子吸附法制成两种形貌、构型不同的复合型硫化铋纳米薄膜,并详细地研究并对比了各种因素和反应条件对硫化铋纳米棒和纳米薄膜形成的影响,其光催化机理及性能进行了研究。研究得出:实验所制备的Bi_2S_3纳米棒形貌单一且纯相,禁带宽度为1.7e V。反应时间12h,反应温度120°C,ph控制在10-11,过氧化氢作为电子捕获剂时,其光催化降解罗丹明B的效果最好;所制备的Bi2O3/Bi_2S_3薄膜呈现多孔结构。当热解温度550°C,后处理温度为200°C、溶剂为甲醇时,催化剂在140min的降解率较高,可以达到85%以上;以简单的、低温的SILAR法合成Bi_2S_3/Zn O薄膜,当操作周期为20个周期,阴阳离子前驱液的浸入时间分别为60s和30s时,催化剂在140min的降解效率可达到95%,且具有很好的化学稳定性。(本文来源于《江苏科技大学》期刊2016-06-01）
谢云[2]（2016）在《硒化镉纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究》一文中研究指出硒化镉(CdSe)是一种n型半导体材料,因其具有窄的直接跃迁带隙结构(1.76 eV),可以有效吸收可见光的能量,已被广泛应用于光电化学太阳能电池、光电化学检测、光催化剂以及气敏传感器等领域。本文分别采用电化学法、气/液界面组装法和直接浸泡法制备了几种不同形貌的CdSe纳米半导体薄膜,并研究了这几种CdSe薄膜的光电化学性能。主要内容如下:(1)先于KNO_3溶液中,恒电势-0.9 V(vs.Hg|Hg2SO4(s)|K2SO4(饱和))阳极氧化光滑的Cd电极,Cd表面被腐蚀成层状多孔纳米结构,并覆盖有Cd(OH)_2沉淀物;然后再将负载Cd(OH)_2沉积物的Cd电极在Na2SeSO3溶液中浸泡,Se2-与Cd(OH)_2中的OH-交换得到CdSe,CdSe纳米粒子组装得到草莓状纳米CdSe聚集体薄膜;用XRD和Raman表征方法确认了Cd(OH)_2和CdSe薄膜的形成;考察了不同阳极氧化电势、氧化时间及硒化时间对CdSe薄膜光电化学性能的影响,并给出了解释。(2)将滴加表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)的CdCl2溶液放在充满H2Se蒸汽的干燥器中,静置一段时间,溶液表面的Cd2+和H2Se电离出来的Se2-结合生成CdSe纳米粒子,在SDS表面压的作用下,CdSe纳米粒子在气/液界面上自组装形成一层致密的薄膜,将所制备的薄膜转移至洁净的氟掺杂的SnO2透明导电玻璃(FTO)的表面,在马弗炉中热处理得到结晶性良好的纳米CdSe半导体薄膜;用XRD和Raman光谱表征方法确认了CdSe薄膜的形成;考察了不同组装时间对CdSe薄膜光电化学性能的影响,并给出了解释。(3)先抛光、超声清洗Cd电极,Cd电极表面在潮湿的空气中和溶解氧的溶液中可自发氧化生成CdO和/或Cd(OH)_2,表面氧化的Cd电极浸泡在Na2SeSO3溶液中,暗态下密封放置一段时间,Cd电极表面Cd(OH)_2中OH-的与Se2-交换形成一层红色的CdSe纳米粒子半导体薄膜;用XRD和Raman光谱表征方法确认了CdSe薄膜的形成;考察了不同浸泡时间对CdSe薄膜光电化学性能的影响,并给出了解释。(本文来源于《湖南师范大学》期刊2016-05-01）
刘荷花[3]（2015）在《模拟计算优化SnO_2纳米半导体薄膜的光学性能》一文中研究指出针对化学气相沉积法在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜,建立了计算模型,研究了SnO2薄膜的反射光谱性质,计算出相关的光学参数。结果表明:振荡模型结合Drude模型能较好地描述SnO2薄膜光学性能,可通过改变膜层厚度的方法对F掺杂SnO2薄膜光学性能进行模拟优化。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2015年02期）
蒲芳[4]（2014）在《几种Bi基核—壳型纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究》一文中研究指出Ⅱ型核-壳半导体因其特有的交错能带结构,已被广泛应用于光学器件、光电子器件、光电化学太阳能电池、光电化学检测、光催化剂等领域。在本学位论文中,研究了Bi_2O_x@Bi_2S_3,表面硫化的BiOCl (SS-BiOCl)和表面硫化的BiOBr (SS-BiOBr)几种Bi基Ⅱ型核-壳半导体薄膜的制备、表征及其光电化学性能。主要内容如下：(1)先于导电玻璃上通过高温热解一定量的Bi(NO_3)_3得到Bi_2O_x多孔薄膜,然后通过表面硫化处理制得Bi_2O_x@Bi_2S_3核-壳结构多孔半导体薄膜；用XRD和XPS表征方法确认Bi_2O_x@Bi_2S_3核-壳结构薄膜的形成；考察Bi(NO_3)_3溶液原始浓度及不同硫化时间对光电化学性能的影响,并给出解释。(2)先于NaCl溶液中,在一定电势下阳极氧化光滑的Bi电极,制得纳米片状BiOCl薄膜,然后通过在Na2S溶液中S2-和BiOCl层间Cl-的交换合成了表面硫化的纳米片状BiOCl (SS-BiOCl)壳-核结构半导体薄膜；用XRD、XPS和Raman光谱表征方法确认SS-BiOCl壳-核结构薄膜的形成；考察不同阳极化电势、时间及硫化时间对光电化学性能的影响,并给出解释。(3)先于KBr溶液中,在一定电势下阳极氧化光滑的Bi电极,制得纳米片状BiOBr薄膜,然后通过在Na2S溶液中S2-和BiOBr层间Br-的交换合成了表面硫化的纳米片状BiOBr (SS-BiOBr)壳-核结构半导体薄膜；用XRD、 XPS和Raman光谱表征方法确认SS-BiOCl壳-核结构薄膜的形成；考察不同阳极化电势、时间及硫化时间对光电化学性能的影响,并给出解释。(本文来源于《湖南师范大学》期刊2014-05-01）
卢小庆[5]（2014）在《气/液界面反应组装纳米半导体薄膜及其光电化学性能》一文中研究指出近年来,半导体薄膜材料受到广泛的关注,被大量应用于太阳能电池、光电化学分解水制氢、光电子器件、光学器件、生物医药等各个方面。本文发展了气／液界面反应组装法,制备了Bi2O3/Bi2S3复合薄膜、CdS薄膜和TiO2薄膜,并研究了这些纳米组装半导体薄膜在光电化学性能和分解水制氢方面的应用。具体内容如下：1.气／液界面反应组装制备B12O3/Bi2S3纳米复合半导体薄膜。将酸性Bi(NO3)3溶液与氨水和硫化铵溶液的蒸汽接触,在气／液界面快速制备了Bi2O3/Bi2S3纳米复合薄膜；研究了蒸汽接触方式和时间对Bi2O3/Bi2S3复合半导体纳米薄膜的光电化学性能的影响,并与单种Bi203或Bi2S3纳米粒子薄膜的光电性能进行了对比。结果表明,复合薄膜表现出更好的光电化学性能,并对此给出了合理解释。2.气／液界面反应组装制备CdS纳米薄膜。通过在CdCl2溶液表面滴加硫化钠的乙醇水溶液和表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS),快速获得了CdS纳米半导体薄膜。研究了该薄膜在含有不同牺牲剂的溶液中和可见光照射条件下的光电化学性能。我们发现,在碱性甲醇溶液中CdS纳米薄膜在可见光照射下光电化学分解水制氢的过程中转变为黑色的Cd/Cd(OH)2/CdS纳米复合薄膜,有利于增强其光电化学性能。3.气/液界面反应组装制备Ti02纳米半导体薄膜。将配制好的钛酸四异丙酯的乙醇水溶液滴在一定温度的去离子水表面,即可在该溶液表面形成Ti02膜,再滴入十二烷基硫酸钠(SDS),则得到一层更致密的白色Ti02膜。考察了溶液温度和组装膜层数对Ti02纳米半导体薄膜光电化学性能的影响,并进一步研究了阴极处理对其光电化学性能的影响。(本文来源于《湖南师范大学》期刊2014-05-01）
王加贤,林正怀,张培,吴志军[6]（2013）在《纳米半导体复合薄膜的非线性光学性质及其在激光器中的应用》一文中研究指出采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构。通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究了薄膜的非线性光学性质。测试结果显示,在1 064nm激发下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非线性吸收系数分别为-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者为饱和吸收,而后者为双光子吸收。把两种薄膜作为可饱和吸收体均可实现1.06μm激光的被动调Q和被动锁模运转。与Ge-SiO2薄膜比较,采用Ge/Al-SiO2薄膜可以获得较窄的调Q脉冲和锁模脉冲。最后,理论分析和实验比较了两种薄膜实现被动调Q和锁模的机理。(本文来源于《光学精密工程》期刊2013年01期）
郭薇[7]（2013）在《纳米半导体材料对新型薄膜太阳能电池性能影响的研究》一文中研究指出第叁代新型薄膜太阳能电池由于其制作工艺简单、环境友好、成本低廉,因此是最具有发展潜力的太阳能电池之一。经过研究者们的长期研究和探索,其能量转换效率已达到了10-12%。但是为了实现产业化,此类薄膜电池的性能尚待进一步提高。因此,如何提高电池的光电性能仍然是研究的热点和重点。本论文以开发高效氧化物光阳极半导体和无毒、低成本的无机半导体光敏剂材料及电池为目的,制备了一系列高效TiO2及其氮掺杂改性、多壁碳纳米管复合材料和SnO2、Zn2SnO4光阳极材料,将其应用于染料敏化太阳能电池(Dye-sensitized solar cells, DSCs)中,取得了良好的光电性能；采用简易化学法合成了无毒、低成本无机半导体光敏剂SnS,将其应用到量子点敏化太阳能电池(Quantum-dot sentizied solar cells, QDSCs)(?)全固态新型无机-有机异质结太阳能电池(Inorganic-organic heterojunction solar cells, HSCs)中,并对电池进行了性能优化和结构改进。首先对DSCs(?)TiO2基半导体光阳极进行高效化研究,对纳米TiO2进行结构调控、性能优化和氮掺杂改性,研究这些材料在DSCs中的应用、性能和电子传输机理。通过水热法和阳极氧化法制备了纳米晶TiO2、多级介孔TiO2微球和TiO2内米管阵列,将其应用到DSCs光阳极中,最终使DSCs的能量转换效率达到10%以上。其次,通过干法和湿法制备了一系列高性能氮掺杂改性的TiO2-xNx内米晶光阳极,使DSCs的能量转换效率提高了10%以上。同时考察了氮掺杂的起始原料、氮源类型、氮掺杂含量对TiO2-xNx光阳极性能的影响。结果表明,起始原料对氮掺杂含量具有明显影响；不同氮源和合成方法对TiO2-xNx的掺氮方式、比表面积、掺氮量和禁带宽度均有影响。通过强度调制光电流／光电压谱(IMPS/IMVS)和电化学阻抗(EIS)等测试手段,研究了以TiO2-xNx为光阳极DSCs的电子传输行为。研究结果表明,氮掺杂DSCs中电子传输速度加快、电子寿命减小,染料吸附量增大的协同作用使其性能明显提高。最后,利用溶胶-凝胶法合成了一系列多壁碳纳米管(MWCNTs)复合材料,即TiO2/MWCNTs和TiO2-xNx/MWCNTs复合材料,考察了碳纳米管复合光阳极材料对DSCs性能的影响。结果表明,MWCNTs复合材料有助于光生电荷的分离和传输,使电子收集效率增大了20%。制备和研究了两种具有较高电子迁移率的非TiO2半导体材料即SnO2和Zn2SnO4。利用水热法制备了空心球状、海胆状结构SnO2和多级立方体、交联纳米片状Zn2SnO4纳米材料。研究结果显示,不同形貌SnO2勺晶面取向有所差异；具备特殊形貌的SnO2的比表面积远高于普通Sn02纳米粒子,并且这些特殊形貌对长波长区域的光散射效果明显。将它们作为光阳极材料应用到DSCs中,研究了DSCs的光电性能和电子传输机理。研究结果显示,以空心球和海胆结构SnO2为光阳极DSCs勺能量转换效率分别达到了3.93%和3.42%。以多级立方体和交联纳米片状Zn2SnO4为光阳极DSCs的能量转换效率分别达到了5.72%和4.43%。利用阶跃式光致瞬态光电流/光电压谱(SLIM-PCV)对DSCs进行测试和分析,考察了Zn2Sn04-DSCs与TiO2-DSCs在电子传输行为中的差别。研究结果表明,前者的电子扩散系数较大,对光强的依赖性较大。进一步对Zn2SnO4进行表面Ti02修饰,使Zn2Sn04-DSCs勺短路电流密度(JSC)和开路电压(VOC)均得到明显提高,而且使DSCs的电子寿命增大、电子扩散系数降低。对QDSCs进行了新材料的开发,发现了提高QDSCs光电性能的新途径。利用简易化学法制备了低成本、无毒、环境友好、储量丰富的半导体敏化剂SnS,对其晶相结构和物理化学性质进行了表征和分析。将TiC作为新型催化材料引入到QDSCs的对电极。研究结果表明,SnS的晶相结构为锡硫矿,光谱吸收范围为400-550nm。组装了一系列基于SnS敏化光阳极、两种催化材料对电极(Pt, TiC)和叁种氧化还原电对(S2-/Sx2-,I-/I3-,T2/T-)的SnS-QDSCs。利用电化学阻抗和塔菲尔极化测试方法考察了两种对电极催化剂与不同氧化还原电对之间的选择性催化关系。研究结果发现,影响催化剂对I-/I3--和T2/T-氧化还原催化性能的因素分别是氧化还原电对在电极表面的扩散和传荷电阻。同时,利用电荷提取技术考察了不同氧化还原电对对SnS的还原再生能力。结果表明,T2/T-对SnS具有较好的氧化还原再生能力,TT-QDSCs电子密度比TS-QDSCs电子密度高一个数量级。这些研究结果表明过渡金属碳化物对电极与有机氧化还原电对对提高QDSCs性能的潜力。设计和构建了全固态新型无机-有机HSCs,以SnS作为无机光敏剂,增强了HSCs器件的紫外-可见光谱吸收；同时将多级TiO2微球结构引入到HSCs光阳极,解决了聚合物空穴传输材料的渗透性和界面接触问题。研究结果表明,SnS-HSCs的能量转换效率达到了2.81%,开路电压高达0.85V。采用四种具有不同形貌的Ti02薄膜电极考察了薄膜结构对聚合物渗透与SnS沉积量的影响及SnS沉积量、受体、表面修饰等对HSCs光电性能的影响。通过莫特-肖特基测试、考察了SnS对TiO2和HSCs平带电位和开路电压的影响。HSCs器件采用全溶液常温制作工艺,简化了工艺条件,降低了生产成本。(本文来源于《大连理工大学》期刊2013-01-01）
王燕飞[8]（2011）在《纳米半导体薄膜实现Nd：YVO_4激光器单波长和双波长激光被动调Q》一文中研究指出激光二极管泵浦全固态激光器(DPSSL)与传统的灯泵激光器相比具有效率高、稳定性好、结构紧凑、小型化、寿命长等优点,是新一代固体激光器件。本文围绕激光二极管(LD)泵浦Nd:YVO_4激光器的设计和运转特性、半导体薄膜材料被动调Q、Nd:YVO_4叁镜复合腔1064nm/1342nm双波长激光器进行研究,主要有以下几方面内容:1.采用射频磁控反应溅射和热退火方法制备纳米Ge/SiO_2薄膜,测定纳米锗晶粒的平均尺寸、光学带隙等;采用纳米Ge/SiO_2薄膜实现LD泵浦Nd:YVO_4的1342nm激光的被动调Q,当泵浦功率14W时,获得的调Q脉冲平均功率54mW,单个脉冲的能量1.62μJ,重复频率33.3kHz,脉冲宽度为40ns,峰值功率为40.5W。理论分析认为纳米Ge/SiO_2薄膜退火后产生的界面态和缺陷态是产生可饱和吸收的主要原因。2.设计LD泵浦Nd:YVO_4的1064nm/1342nm双波长激光振荡的叁镜复合腔,根据双波长激光振荡阈值相等条件对两个支腔的腔长和透过率进行优化设计。建立采用半导体薄膜对双波长激光被动调Q的速率方程组,数值求解得到双波长激光脉冲时间宽度和延迟时间。3.采用射频磁控反应溅射和热退火方法制备纳米Si/SiNx超晶格薄膜,测定薄膜的微观结构、光学带隙和非线性吸收系数。实验上研究LD泵浦Nd:YVO_4的1064nm/1342nm双波长激光连续运转特性。在泵浦功率为12W时,同时获得0.65W的1342nm和0.65W的1064nm等功率双波长激光输出。在此基础上,采用纳米Si/SiNx超晶格薄膜实现LD泵浦Nd:YVO_4 1064nm/1342nm双波长激光的被动调Q,同时获得20ns的1064nm和19ns的1342nm双波长激光脉冲输出。结合开孔Z扫描结果分析,认为双光子吸收是纳米Si/SiNx超晶格薄膜产生被动调Q的主要原因。本文创新点:(1)首次采用纳米Si/SiNx超晶格薄膜实现对LD泵浦的Nd:YVO_4激光器1064nm/1342nm双波长激光的被动调Q。(2)首次采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备纳米Ge/SiO_2薄膜作为可饱和吸收体,对LD端面泵浦的Nd:YVO_4的1342nm激光进行被动调Q。(本文来源于《华侨大学》期刊2011-04-01）
张欣[9]（2010）在《电化学原子层沉积法（EC-ALD）制备功能性纳米半导体薄膜及其应用研究》一文中研究指出本博士学位论文主要是利用电化学原子层沉积法(EC-ALD)在不同基底上沉积制备了几种功能性半导体纳米薄膜材料,并探讨了这些功能薄膜材料在光电催化和有机物降解等方面的应用。论文主要内容还包括利用循环伏安(CV)、开路电位～时间(OCP-t)、电流-时间(Amperometric i-t)和微分脉冲伏安法(DPV)等电化学技术、以及X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X-射线光电谱(XPS)、电子探针微分析(EPMA)等方法对所制备的材料进行结构、形貌和性能的系统分析和表征。主要内容如下：1.Au基底上ZnSe的EC-ALD沉积及分析采用EC-ALD技术,在多晶金基底上沉积了ZnSe纳米薄膜;用CV法、线性扫描伏安法(LSV)和库伦分析等手段对所制备ZnSe纳米薄膜进行了电化学性能研究；通过调整Zn和Se的沉积电位,及Se的溶出电位优化了沉积程序；结果证明利用该优化的沉积程序可得到单相ZnSe化合物,该化合物具有高度择优取向(220)；由扫描电镜可以看出所沉积的薄膜由平均粒径为100nm的颗粒组成；库伦分析测得Zn和Se的计量比恰好为1：1。2.Au基底上Cu2Se的EC-ALD沉积及分析采用EC-ALD技术,在多晶金基底上沉积了Cu2Se纳米薄膜；使用表面限制反应(属欠电位沉积研究领域)首先在基底材料表面构筑元素的单层结构,通过在前20圈的沉积中调整Cu和Se在Au上的欠电位,可得到Cu2Se稳定的电化学原子层沉积物；XRD研究结果证实,所得Cu2Se具有单晶性质,呈(111)择优取向；电子探针微分析证实样品均一,且计量比精确至Cu/Se为2。3.ITO导电玻璃上CuTe和Cu2Te纳米薄膜的EC-ALD制备及表征采用EC-ALD技术,通过在不同电化学实验参数下交替欠电位沉积Te和Cu,在ITO导电玻璃上沉积了CuTe和Cu2Te纳米薄膜；使用XRD、场发射扫描电镜(FE-SEM)和富力叶红外光谱(FT-IR)等方法研究了所制备薄膜材料的结构和性质。4.太阳能电池用四元Cu2ZnSnS4半导体薄膜的EC-ALD制备及性能表征采用EC-ALD技术,在多晶Ag基底上制备了四元化合物Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜；通过XRD、XPS、FT-IR、OCP-t、原子力显微镜(AFM)和配置能量色散X-射线分析仪的FE-SEM表征了所得CZTS的结构和性能。5.通过无电沉积和EC-ALD相结合的方法在p型Si上制备Cu2Se薄膜通过无电沉积(Electroless deposition)和EC-ALD相结合的方法在p-Si(100)上制备了Cu2Se薄膜,并利用XRD、SEM、FT-IR和开路电位等手段对得到的薄膜进行表征；将结果和纯电化学方法制得的薄膜进行比较,证明由无电沉积和EC-ALD相结合的方法制得的Cu2Se薄膜质量比传统的电沉积方法要高。6.Pt纳米粒在碳纳米管复合的聚酰亚胺材料上的电沉积及其电催化行为研究在碳纳米管(CNTs)/聚酰亚胺(PIs)复合材料上用电化学方法成功制备了Pt纳米粒子,并用场发射扫描电子显微镜(SEM)、XPS)以及XRD表征了这种具有优异稳定性和柔韧性的纳米复合膜；电化学研究发现这种Pt/PI/CNTs薄膜对甲醇和亚硝酸盐的电极反应具有优异的电催化性能。(本文来源于《兰州大学》期刊2010-05-01）
吕国强[10]（2007）在《纳米半导体薄膜的制备——一个中学化学课外实验的设计》一文中研究指出本文将用SILARL的方式制备硫化镉纳米半导体薄膜的实验引入到教学过程中,作为课外实验,可使学生加深理解微观粒子间相互作用力,同时了解科技发展的现状,增加化学学习的兴趣。(本文来源于《现代企业教育》期刊2007年06期）
纳米半导体薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
硒化镉(CdSe)是一种n型半导体材料,因其具有窄的直接跃迁带隙结构(1.76 eV),可以有效吸收可见光的能量,已被广泛应用于光电化学太阳能电池、光电化学检测、光催化剂以及气敏传感器等领域。本文分别采用电化学法、气/液界面组装法和直接浸泡法制备了几种不同形貌的CdSe纳米半导体薄膜,并研究了这几种CdSe薄膜的光电化学性能。主要内容如下:(1)先于KNO_3溶液中,恒电势-0.9 V(vs.Hg|Hg2SO4(s)|K2SO4(饱和))阳极氧化光滑的Cd电极,Cd表面被腐蚀成层状多孔纳米结构,并覆盖有Cd(OH)_2沉淀物;然后再将负载Cd(OH)_2沉积物的Cd电极在Na2SeSO3溶液中浸泡,Se2-与Cd(OH)_2中的OH-交换得到CdSe,CdSe纳米粒子组装得到草莓状纳米CdSe聚集体薄膜;用XRD和Raman表征方法确认了Cd(OH)_2和CdSe薄膜的形成;考察了不同阳极氧化电势、氧化时间及硒化时间对CdSe薄膜光电化学性能的影响,并给出了解释。(2)将滴加表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)的CdCl2溶液放在充满H2Se蒸汽的干燥器中,静置一段时间,溶液表面的Cd2+和H2Se电离出来的Se2-结合生成CdSe纳米粒子,在SDS表面压的作用下,CdSe纳米粒子在气/液界面上自组装形成一层致密的薄膜,将所制备的薄膜转移至洁净的氟掺杂的SnO2透明导电玻璃(FTO)的表面,在马弗炉中热处理得到结晶性良好的纳米CdSe半导体薄膜;用XRD和Raman光谱表征方法确认了CdSe薄膜的形成;考察了不同组装时间对CdSe薄膜光电化学性能的影响,并给出了解释。(3)先抛光、超声清洗Cd电极,Cd电极表面在潮湿的空气中和溶解氧的溶液中可自发氧化生成CdO和/或Cd(OH)_2,表面氧化的Cd电极浸泡在Na2SeSO3溶液中,暗态下密封放置一段时间,Cd电极表面Cd(OH)_2中OH-的与Se2-交换形成一层红色的CdSe纳米粒子半导体薄膜;用XRD和Raman光谱表征方法确认了CdSe薄膜的形成;考察了不同浸泡时间对CdSe薄膜光电化学性能的影响,并给出了解释。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纳米半导体薄膜论文参考文献
[1].唐聪.Bi_2S_3纳米半导体材料及薄膜的制备及其光催化性能研究[D].江苏科技大学.2016
[2].谢云.硒化镉纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究[D].湖南师范大学.2016
[3].刘荷花.模拟计算优化SnO_2纳米半导体薄膜的光学性能[J].电子元件与材料.2015
[4].蒲芳.几种Bi基核—壳型纳米半导体薄膜的制备及其光电化学性能研究[D].湖南师范大学.2014
[5].卢小庆.气/液界面反应组装纳米半导体薄膜及其光电化学性能[D].湖南师范大学.2014
[6].王加贤,林正怀,张培,吴志军.纳米半导体复合薄膜的非线性光学性质及其在激光器中的应用[J].光学精密工程.2013
[7].郭薇.纳米半导体材料对新型薄膜太阳能电池性能影响的研究[D].大连理工大学.2013
[8].王燕飞.纳米半导体薄膜实现Nd：YVO_4激光器单波长和双波长激光被动调Q[D].华侨大学.2011
[9].张欣.电化学原子层沉积法（EC-ALD）制备功能性纳米半导体薄膜及其应用研究[D].兰州大学.2010
[10].吕国强.纳米半导体薄膜的制备——一个中学化学课外实验的设计[J].现代企业教育.2007