~(71)Ga(n,γ)~(72)Ga反应截面的测量

~(71)Ga(n,γ)~(72)Ga反应截面的测量

论文摘要

以197Au(n,γ)的截面为标准截面,用活化法测量了71Ga在0.6-3MeV能区内四个能量点的71Ga(n,γ)截面值。并用MCNP程序模拟了在高压倍加器的实验条件下的散射中子能谱,进而计算了低能散射中子引起的修正量。同时,还模拟了不同的实验条件下的中子能谱,证明本工作的实验方案是现有条件下的最佳选择。

论文目录

  • 摘要
  • ABSTRACT
  • 第一章 前言
  • 第二章 实验方案选择
  • 第三章 实验
  • 第四章 数据处理
  • 第五章 现有数据情况分析与评述
  • 致谢
  • 参考文献
  • 附录一 M-C模拟输入文件
  • 附录二 高纯锗探测器效率刻度
  • 附录三 样品自吸收系数测定
  • 附录四 高低位效率过渡系数测量
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