本文主要研究内容
作者余煜玺,夏范森,黄奇凡（2019）在《石墨烯改性PDC-SiCNO陶瓷的制备及其介电性能》一文中研究指出：以聚乙烯基硅氮烷(PVSZ)为原料,氧化石墨烯(GO)为碳源,无水乙醇(ETOH)为分散剂,制备石墨烯球增强SiCNO陶瓷(SiCNO-GO)。利用拉曼光谱(Raman)、电子自旋共振(EPR)和扫描电子显微镜(SEM)等表征手段,研究SiCNO-GO陶瓷结构对其介电性能的影响。结果表明:SiCNO-GO陶瓷的微球密度和粒径的大小与GO的含量有关;随着SiCNO-GO陶瓷中GO含量的增加,SiCNO-GO陶瓷的介电常数和介电损耗也随之增大,在GO含量为0.1%(质量分数)时达到最大值,而当GO质量分数为0.3%时,SiCNO-GO陶瓷的介电常数和介电损耗降低。
Abstract
yi ju yi xi ji gui dan wan (PVSZ)wei yuan liao ,yang hua dan mo xi (GO)wei tan yuan ,mo shui yi chun (ETOH)wei fen san ji ,zhi bei dan mo xi qiu zeng jiang SiCNOtao ci (SiCNO-GO)。li yong la man guang pu (Raman)、dian zi zi xuan gong zhen (EPR)he sao miao dian zi xian wei jing (SEM)deng biao zheng shou duan ,yan jiu SiCNO-GOtao ci jie gou dui ji jie dian xing neng de ying xiang 。jie guo biao ming :SiCNO-GOtao ci de wei qiu mi du he li jing de da xiao yu GOde han liang you guan ;sui zhao SiCNO-GOtao ci zhong GOhan liang de zeng jia ,SiCNO-GOtao ci de jie dian chang shu he jie dian sun hao ye sui zhi zeng da ,zai GOhan liang wei 0.1%(zhi liang fen shu )shi da dao zui da zhi ,er dang GOzhi liang fen shu wei 0.3%shi ,SiCNO-GOtao ci de jie dian chang shu he jie dian sun hao jiang di 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自材料工程的余煜玺,夏范森,黄奇凡，发表于刊物材料工程2019年03期论文，是一篇关于聚合物先驱体陶瓷论文,石墨烯论文,电学性能论文,制备论文,材料工程2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自材料工程2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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