论文摘要
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了稀土Dy、Nd掺杂的ZnSe薄膜,在氮气气氛中,T=350℃, t=20min下对薄膜进行热处理,并采用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、紫外可见分光光度计以及原子力显微镜对薄膜的性能进行了测试。通过测试结果,分析并优化了ZnSe薄膜的制备工业,同时研究了稀土Dy、Nd掺杂对ZnSe薄膜特性的影响。实验结果表明:高纯单质锌与硒按照原子配比Zn:Se=0.9:1混合蒸发,可制备较理想的纯ZnSe薄膜。在氮气保护下,热处理温度T≥250℃, t=20min时,可获得完全为ZnSe物相的多晶薄膜,薄膜中未出现单质Zn或单质Se的物相。稀土掺杂对ZnSe薄膜的晶体学、光学性质产生了明显影响。掺杂Dy并未改变薄膜的晶体结构及导电类型,但影响了薄膜表面形貌,抑制了ZnSe的结晶,还使得薄膜的晶粒尺寸和内应力减小,晶格常数及晶胞体积变大,薄膜的光学带隙有所减小,光透射性得到改善。掺杂Nd与掺杂Dy对ZnSe薄膜有相似的影响,未改变样品的晶体结构及导电类型,但影响了表面形貌,抑制了ZnSe的结晶,使得薄膜内应力及晶粒尺寸减小,晶格常数及晶胞体积变大,光透射性得到改善,但缩小了ZnSe薄膜的光学带隙。
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