导读:本文包含了电化学刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电化学刻蚀,硝酸钾,GaN纳米孔,横向刻蚀
电化学刻蚀论文文献综述
李昂,王伟凡,周桃飞,王建峰,徐科[1]（2019）在《基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术》一文中研究指出采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构。通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面和截面进行了对比表征。结果表明,由于在刻蚀过程中氧气的产生,相比于稳定性很好的SiO_2,易于氧化剥落的光刻胶在大电压刻蚀下存在着明显的缺陷;在刻蚀电压为12～22 V时牺牲层可以被刻蚀出纳米孔结构,且随着电压的增加刻蚀孔也会增大;在刻蚀电压为23 V及以上电压时牺牲层被完全去除;刻蚀过程中刻蚀速率逐渐降低,100μm的纳米薄膜可在270 s时制作完成。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年10期）
张梦杨[2]（2019）在《刻蚀法制备硅基负极材料及其电化学性能研究》一文中研究指出新能源汽车产业的迅猛发展推动了动力电池技术快速进步,高能量密度的动力电池需要更高容量的负极材料,硅负极材料具有高的理论嵌锂容量(4200 mAh·g-1)成为重要的发展方向。但是,硅与锂合金化反应体积膨胀达到400%,巨大的体积效应使得硅颗粒破碎粉化,在电解液中难以形成稳定的固体电解质界面膜(SEI),进而降低电池的循环性能。研究表明合理的纳微结构可以有效提高材料性能。本论文采用Al-Si合金材料为原料刻蚀制备多孔纳微硅负极材料,探究了刻蚀温度和盐酸用量对材料性能的影响,此外也探讨了纳微结构多孔硅/石墨烯复合材料的制备工艺和电化学性能。主要研究内容及结果如下:(1)采用微米级Al60Si40合金材料为原料,以盐酸为刻蚀剂在0℃、20℃、40℃、60℃条件下制备硅负极材料,通过X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体发射光谱(ICP)、扫描电子显微镜(SEM)和比表面仪等对制备材料进行结构和形貌表征。研究表明,采用该方法可以制得硅材料为纳微结构,所制得的硅材料为晶体硅;随反应温度的提高,纳米硅颗粒的直径增加;当反应温度为20℃时,所制备的材料中剩余铝含量为0.95%,具有较低的比表面积,为15 m2/g。对所制备的硅材料进行电化学性能测试,结果表明,温度为20℃制备的多孔硅性能最优,首次脱嵌锂容量分别达到3311 mAh·g-1和3783 mAh·g-1,首次库伦效率(ICE)为87.52%,100周循环后剩余容量为769.2 mAh·g-1。(2)采用铝和盐酸摩尔比为1:1.6、1:2.2、1:3.0、1:3.8、1:4.4条件下制备硅负极材料,通过XRD、ICP、SEM、透射电镜(TEM)和比表面仪等对材料进行结构和形貌表征。研究表明,不同摩尔比条件下制备纳微结构硅材料的粒度D50均在3.0～9.0 μm范围内;随着盐酸用量的增加,Si材料的残留铝含量不断降低;孔隙率随着盐酸用量逐渐增大,比表面积也不断提高;其中摩尔比为1:4.4时制备的纳微结构多孔硅铝含量最低为0.02%,比表面积最大32.01 m2/g。对几种材料电化学性能测试,结果表明,摩尔比为1:2.2制备的纳微结构多孔硅性能最优,首次脱嵌锂容量分别为3342 mAh·g-1和 3771 mAh·g-1,ICE 为 88.63%,100 周循环后剩余容量为825 mA·g-1。通过改变铝和盐酸摩尔比可以调控纳微结构多孔硅的铝含量和材料的孔隙率,适量的铝和恰当的比表面积,可以提高硅材料的导电性和循环性能。(3)在前两章的基础上,我们选定温度20℃,铝和盐酸摩尔比分别为1:4.4和1:2.2,利用盐酸刻蚀法原位制备纳微结构多孔硅/石墨烯复合材料。研究发现,石墨烯的加入并没有提高硅材料的容量和循环性能,即当石墨烯含量为5%时,1:2.2-Si+5%G首次脱嵌锂容量分别为2704 mAh·g-1和3202 mA·g-1,ICE为84.46%,100周循环后剩余容量为504.9 mA·g-1。但是该原位制备硅复合物的方法工艺简单便捷,为今后制备硅碳复合材料的研究积累了经验。(本文来源于《北京有色金属研究总院》期刊2019-05-05）
安欢,伍建春,张仲,王欢,孙华[3]（2019）在《电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响》一文中研究指出采用光电化学刻蚀方法,在电阻率为4～5 kΩ·cm的n-型[100]单晶硅片上制备了厚壁有序宏孔硅阵列。通过对比有限元法模拟诱导坑周围的电场分布,研究了刻蚀参数(电解液、光照、电压)对阵列表面形貌的影响。在刻蚀成孔的过程中,诱导坑对孔的限制受电场分布和实验条件的共同影响,出现刻蚀偏离的现象。模拟结果显示,诱导坑上的电场强度沿着单晶硅的[100]和[110]晶向的分布。这种分布的结果是,随着光照强度的提高和刻蚀溶液表面自由能的降低刻蚀由原光刻图形的(110)面向(100)面偏离。提高刻蚀电压可抑制刻蚀偏离,有利于诱导坑快速刻蚀成孔,从而形成规整的厚壁宏孔硅阵列。(本文来源于《材料研究学报》期刊2019年03期）
张阳[4]（2018）在《电化学刻蚀制备仿生复眼结构》一文中研究指出本文主要研究了外界干扰对磷化铟多孔层的影响,利用电子束曝光技术辅助电化学刻蚀技术和激光干涉技术辅助电化学刻蚀技术,分别制备出了基于磷化铟材料的半球形径向多孔结构,这种半球形径向多孔结构对仿生复眼结构的研究提供了新的思路。通过研究在电化学刻蚀过程中施加外界干扰对磷化铟多孔层的影响,阐述了剥离的多孔层、外界干扰和振荡曲线之间的相关性,阐述了施加外界干扰能够有助于转移InP的多孔层,并且外界干扰的方法也为磷化铟的半球形径向多孔结构的转移提供了依据。利用电子束曝光技术在InP上制备了具有孔阵的掩膜,在此基础上实现了电化学刻蚀制备半球形径向多孔结构,并且讨论了刻蚀时间与刻蚀电流密度对半球形径向多孔结构形成的影响。在激光干涉技术和电化学刻蚀技术相结合方面,基于激光干涉的原理,搭建了激光干涉的双光束光路系统,在InP衬底上实现了线栅掩膜,经电化学刻蚀后,发现在InP表面存在少量的半球形径向多孔结构。利用扫描电子显微镜观测半球形径向多孔结构的表面及截面形貌,发现基于InP的仿生复眼结构的尺寸在几微米的量级。利用角分辨光谱显微镜测试半球形径向多孔结构的反射率,结果表明其对特定波段的可见光具有低反射率的光学特性。(本文来源于《长春理工大学》期刊2018-06-01）
赵连富[5]（2018）在《电化学刻蚀4H-SiC纳米阵列及其光电催化性能》一文中研究指出Si C是第叁代半导体材料,具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率以及良好的化学稳定性等,在研发高温高压大功率等苛刻环境下服役的光电器件具有显着优势。SiC低维材料具有独特的表面效应和尺寸效应,展现出了远优于传统材料的物性,且能够推动其器件的微型化和集成化,为新颖高效的新一代光电器件研发提供了契机。本论文通过电化学刻蚀SiC晶片,在常温常压下实现了高定向、透明的4H-SiC纳米结构阵列制备及其结构调控,以此为基础,探索了其在光电催化剂领域的应用。综合本论文工作,取得主要研究成果如下:(1)采用电化学刻蚀法,在常温常压下实现了SiC纳米阵列的可控制备。通过调控刻蚀时间,能够实现纳米孔的直径、壁厚和深度的有效调控。(2)探索了Si C纳米阵列在光电催化领域的应用。研究表明,SiC纳米阵列在1 mol/L Na_2SO_4的溶液中、1 V(参比电极Ag/Ag Cl)偏压和光照激发(模拟太阳光和光功率100 mW cm~(-2))下,光电流密度可达1 mA cm~(-2),2000 s持续光照电流密度始终保持不变,表现出良好的光电催化稳定性。(3)进一步采用原子层沉积(ALD)技术对Si C纳米阵列进行表面修饰构建异质结(Si C@TiO_2)。研究表明,在1 mol/L Na_2SO_4的电解液中,SiC@TiO_2纳米阵列在1 V(参比电极Ag/Ag Cl)的偏压下电流密度为1.7 mA cm~(-2),相比SiC纳米阵列电极的光电流密度提高了70%。暗态电流几乎为零,再次光照时电极的光电流密度迅速恢复到1.7 mA cm~(-2),表明SiC@TiO_2纳米阵列具有快速的响应速度。同时相比SiC纳米阵列,SiC@TiO_2异质结纳米阵列展现出更小的阻抗,说明表明通过异质结的构筑能够强化SiC光阳极载流子的分离与输运。(本文来源于《太原理工大学》期刊2018-04-01）
赵树国,陈阳,马宁,李景春,单宝峰[6]（2018）在《电化学刻蚀法制备铝合金超疏水表面及其润湿性转变》一文中研究指出目的通过简易环保的方法在铝合金基体上制备超疏水表面。方法采用电化学刻蚀和空气中保存法在铝合金基体上制备超疏水表面,用扫描电子显微镜、粗糙度测量仪和光学接触角测量仪对所得样品的微观形貌、表面粗糙度和润湿性进行分析。结果水滴在铝合金表面的接触角随着保存时间的增加而增大,电化学刻蚀所得超亲水表面逐渐表现出超疏水特性。12 d后表面趋于稳定,水滴在铝合金表面的接触角和滚动角分别为(152.3±4.5)°和(6.4±2.2)°。随着电化学刻蚀时间的增加,铝合金表面的润湿性减小。热处理可以使超疏水表面转为超亲水表面,在空气中保存后表面又恢复疏水性。结论试验所用中性环保的NaCl溶液作为电解液,极大地降低了试验对人体和环境的危害。并未使用有害的二次化学涂层作为表面能修饰材料,提高了试验的安全性和超疏水表面的稳定性。通过此简单环保的电化学刻蚀和空气中保存的方法成功地在铝合金基体上制备出了超疏水表面,所得表面展现出良好的疏水特性。(本文来源于《表面技术》期刊2018年03期）
吴争光[7]（2017）在《钛合金TC11的“电解—约束刻蚀”复合电化学加工研究》一文中研究指出钛合金具有比强度高,耐蚀性强等良好的综合性能,被广泛应用到航空航天、化工、汽车等领域。但由于其切削性能差,对刀具磨损严重,因此,如何解决钛合金加工问题便成为我们研究的重点。通过电化学加工方法解决上述问题是一种理想的选择,电解加工具有较高的加工效率,但是加工精度较差。约束刻蚀剂层技术是一种新型的微纳米结构加工技术,能够加工出高精度的复杂叁维微结构。本文提出将电解加工技术与约束刻蚀剂层技术相结合,形成一种精密的复合加工技术,即“电解—约束刻蚀”复合电化学加工技术,以实现既有高精度,又有高速度的精密加工技术。论文论述与分析了当前几种复合电解加工技术、电化学微加工技术的原理与发展现状,着重探讨了电解加工技术与约束刻蚀剂层技术的特点,讨论了两种加工技术复合的可能性及必要性。根据二者的原理,论文设计了电解加工技术与约束刻蚀剂层技术的复合方式。当模板电极处于阴极,工件处于阳极时,进行电解加工;当模板电极处于阳极,工件处于阴极时,进行约束刻蚀加工。本文通过双极性电源实现电解加工与约束刻蚀加工的交替进行。论文通过腐蚀失重法,塔菲尔曲线法,循环伏安法确定了钛合金的刻蚀体系。通过循环伏安法研究了F-对NaNO2氧化还原的影响,分析了OH-对H+的捕捉效果。实验首先对钛合金进行了约束刻蚀加工,验证了刻蚀体系的合理性,在刻蚀加工下得到了加工深度为12.659μm的刻蚀孔,加工速率为22.68μm/h。通过正交及单因素实验对复合电解液体系进行了优化,确定了适合复合加工的电解液体系:0.3mol/L NaCl+0.3mol/L NaNO3+0.6 mol/L NaNO2+0.3 mol/L NaF+0.4 mol/L NaOH+0.4g/L苹果酸+0.2g/L十六烷基叁甲基溴化铵。在复合加工条件下下,试样的加工精度为1μm,加工深度为45.396μm,加工速率为81.71μm/h。相比约束刻蚀加工,“电解—约束刻蚀”复合加工技术的加工速率有了很大的提高。论文通过响应曲面研究了电解液温度,加工电压,加工间隙对加工精度的影响,分析了各因素之间的交互作用,确定了较优的参数组合,最佳工艺参数为:电压为1.7v,进给速度为0.17μm/100s,温度为22?C。在该参数组合下加工出精度为0.46μm的刻蚀凹坑,加工深度为55.475μm,加工速率为99.876μm/h。显示了“电解—约束刻蚀”复合加工技术精度高,速率快的特点。论文最后采用约束刻蚀剂层技术对钛合金进行了叁维微结构加工,在钛合金上加工出与模板高度互补的微结构,在高度上的加工精度为0.383μm,相对误差为3.59%;在直径方向上的加工精度为0.912μm,相对误差为0.88%,加工精度达到了亚微米,验证了约束刻蚀剂层技术高分辨率的优点。本文初步对“电解—约束刻蚀”复合加工技术进行了研究,相信经过后期的完善,“电解—约束刻蚀”复合加工技术能够在微结构加工领域得到广泛应用。(本文来源于《南昌航空大学》期刊2017-11-01）
杜立群,李庆峰,李爰琪,赵文君[8]（2017）在《基于电化学刻蚀与微电铸工艺的微流控芯片模具制作》一文中研究指出为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题,在光刻工艺的基础上,采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法,制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具。针对掩膜电化学刻蚀的工艺参数进行了试验研究,选定了制作微流控芯片模具的最佳工艺参数,解决了酸洗引起胶膜脱落失效、刻蚀引起侧蚀等问题。使用剪切强度表征界面结合强度,运用剪切法测量了微电铸层与基底的剪切强度,定量分析了酸洗工艺和刻蚀工艺的参数对界面结合强度的影响。试验结果表明,酸洗20s后电铸层与基底的剪切强度相对于直接电铸提高了98.5%,刻蚀5min后剪切强度提高了203.6%。刻蚀5min后的剪切强度相对于酸洗20s后电铸的剪切强度提高了53.0%。本文提出的方法能够有效提高铸层与基底的界面结合强度,延长微流控芯片模具的使用寿命。(本文来源于《航空制造技术》期刊2017年17期）
张苓,冯庆,蔡继东,张玉萍,贺斌[9]（2017）在《电化学刻蚀对钛基IrO_2-Ta_2O_5电极性能的影响》一文中研究指出采用电化学刻蚀处理钛基材,再通过涂覆、烧结的方法制备出钛基IrO_2-Ta_2O_5电极。与喷砂处理相比,经电化学刻蚀处理后,钛基材表面的凹坑分布更均匀,涂覆涂层后的钛基IrO_2-Ta_2O_5电极的表面凹坑深浅均匀,呈规则分布。强化寿命测试结果表明,经电化学刻蚀处理后制备的钛电极强化寿命平均值达到20 d,比喷砂处理后制备的电极寿命(16 d)显着提高20%;电化学刻蚀处理后制成的钛电极析氧电位为1.62~1.73 V,明显低于喷砂后制备的钛电极(1.92 V),电解时可降低电耗。(本文来源于《钛工业进展》期刊2017年03期）
李庆峰[10]（2017）在《基于电化学刻蚀的微流控芯片模具制作》一文中研究指出随着MEMS技术的发展,微流控芯片分析技术在生物学、医学、环境学等方面的应用越来越广泛。金属模具作为微流控芯片制作过程中的核心器件,在微流控芯片的产业化过程中起着重要的作用。基于无背板生长工艺的金属微流控芯片模具由于具有精度高、制作相对简单、寿命相对较高的优点,在注塑、热压等批量生产领域应用越来越广泛。但是,基于微电铸工艺制作的模具存在铸层与基底结合力差的问题,会影响模具的制作成功率和使用寿命。本文以双十字微流控芯片模具为研究对象,探究了通过掩膜电化学刻蚀与微电铸工艺相结合制作模具的可行性。本文主要成果有以下几个方面:(1)铸层与基底的剪切强度测量。根据剪切法测量原理搭建了铸层与基底剪切力测量平台,设计制作了金属夹具。选用直接电铸、酸洗20s后电铸、电化学刻蚀5min后电铸和电化学刻蚀10min后电铸四组参数进行实验,测量了各参数下铸层与基底的剪切强度。实验结果表明,各参数下铸层与基底的剪切强度平均值分别为52.1MPa、103.4MPa、158.2MPa和229.7MPa,酸洗20s、刻蚀5min和10min分别将铸层与基底的剪切强度提高了98.5%、203.6%和340.9%。(2)分析了酸洗和电化学刻蚀工艺提高铸层与基底结合强度的机理。酸洗工艺主要通过酸的溶解、清洗和化学腐蚀作用,改善金属基底的表面质量,从而提高铸层与基底的界面结合强度。电化学刻蚀工艺主要通过刻蚀一定深度形成“桩基”和侧蚀增大基底的实际裸露面积来提高铸层与基底的界面结合强度。(3)分析了电流密度参数和刻蚀时间对刻蚀深度均匀性和侧蚀量的影响。结果表明,随着电流密度增大和刻蚀时间延长,刻蚀深度均匀性逐渐变好,侧蚀量变大。刻蚀深度与单侧侧蚀量的比值大约为1:1。但当在10A/dm2的电流密度下进行刻蚀时,局部发生了较为严重的侧蚀现象,导致了胶膜翘起脱落。而在5A/dm2电流密度下进行刻蚀能够得到良好的刻蚀形貌。(4)在直接电铸、刻蚀5min后电铸和刻蚀10min后电铸叁组工艺参数下进行了双十字微流控芯片模具的制作。直接电铸的实验片在后处理过程中发生了铸层脱落,去胶后十字铸层完全脱落,铸层与基底结合力差。刻蚀10min后电铸的实验片十字部分胶膜在刻蚀时脱落,造成电铸中产生了大量多余铸层,电铸线条不完整。在刻蚀5min后电铸的参数下获得了结合性能好、符合使用要求的双十字微流控芯片模具,证明可以通过掩膜电化学刻蚀工艺和微电铸工艺相结合制作微流控芯片模具。(本文来源于《大连理工大学》期刊2017-06-01）
电化学刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
新能源汽车产业的迅猛发展推动了动力电池技术快速进步,高能量密度的动力电池需要更高容量的负极材料,硅负极材料具有高的理论嵌锂容量(4200 mAh·g-1)成为重要的发展方向。但是,硅与锂合金化反应体积膨胀达到400%,巨大的体积效应使得硅颗粒破碎粉化,在电解液中难以形成稳定的固体电解质界面膜(SEI),进而降低电池的循环性能。研究表明合理的纳微结构可以有效提高材料性能。本论文采用Al-Si合金材料为原料刻蚀制备多孔纳微硅负极材料,探究了刻蚀温度和盐酸用量对材料性能的影响,此外也探讨了纳微结构多孔硅/石墨烯复合材料的制备工艺和电化学性能。主要研究内容及结果如下:(1)采用微米级Al60Si40合金材料为原料,以盐酸为刻蚀剂在0℃、20℃、40℃、60℃条件下制备硅负极材料,通过X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体发射光谱(ICP)、扫描电子显微镜(SEM)和比表面仪等对制备材料进行结构和形貌表征。研究表明,采用该方法可以制得硅材料为纳微结构,所制得的硅材料为晶体硅;随反应温度的提高,纳米硅颗粒的直径增加;当反应温度为20℃时,所制备的材料中剩余铝含量为0.95%,具有较低的比表面积,为15 m2/g。对所制备的硅材料进行电化学性能测试,结果表明,温度为20℃制备的多孔硅性能最优,首次脱嵌锂容量分别达到3311 mAh·g-1和3783 mAh·g-1,首次库伦效率(ICE)为87.52%,100周循环后剩余容量为769.2 mAh·g-1。(2)采用铝和盐酸摩尔比为1:1.6、1:2.2、1:3.0、1:3.8、1:4.4条件下制备硅负极材料,通过XRD、ICP、SEM、透射电镜(TEM)和比表面仪等对材料进行结构和形貌表征。研究表明,不同摩尔比条件下制备纳微结构硅材料的粒度D50均在3.0～9.0 μm范围内;随着盐酸用量的增加,Si材料的残留铝含量不断降低;孔隙率随着盐酸用量逐渐增大,比表面积也不断提高;其中摩尔比为1:4.4时制备的纳微结构多孔硅铝含量最低为0.02%,比表面积最大32.01 m2/g。对几种材料电化学性能测试,结果表明,摩尔比为1:2.2制备的纳微结构多孔硅性能最优,首次脱嵌锂容量分别为3342 mAh·g-1和 3771 mAh·g-1,ICE 为 88.63%,100 周循环后剩余容量为825 mA·g-1。通过改变铝和盐酸摩尔比可以调控纳微结构多孔硅的铝含量和材料的孔隙率,适量的铝和恰当的比表面积,可以提高硅材料的导电性和循环性能。(3)在前两章的基础上,我们选定温度20℃,铝和盐酸摩尔比分别为1:4.4和1:2.2,利用盐酸刻蚀法原位制备纳微结构多孔硅/石墨烯复合材料。研究发现,石墨烯的加入并没有提高硅材料的容量和循环性能,即当石墨烯含量为5%时,1:2.2-Si+5%G首次脱嵌锂容量分别为2704 mAh·g-1和3202 mA·g-1,ICE为84.46%,100周循环后剩余容量为504.9 mA·g-1。但是该原位制备硅复合物的方法工艺简单便捷,为今后制备硅碳复合材料的研究积累了经验。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电化学刻蚀论文参考文献
[1].李昂,王伟凡,周桃飞,王建峰,徐科.基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术[J].半导体技术.2019
[2].张梦杨.刻蚀法制备硅基负极材料及其电化学性能研究[D].北京有色金属研究总院.2019
[3].安欢,伍建春,张仲,王欢,孙华.电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响[J].材料研究学报.2019
[4].张阳.电化学刻蚀制备仿生复眼结构[D].长春理工大学.2018
[5].赵连富.电化学刻蚀4H-SiC纳米阵列及其光电催化性能[D].太原理工大学.2018
[6].赵树国,陈阳,马宁,李景春,单宝峰.电化学刻蚀法制备铝合金超疏水表面及其润湿性转变[J].表面技术.2018
[7].吴争光.钛合金TC11的“电解—约束刻蚀”复合电化学加工研究[D].南昌航空大学.2017
[8].杜立群,李庆峰,李爰琪,赵文君.基于电化学刻蚀与微电铸工艺的微流控芯片模具制作[J].航空制造技术.2017
[9].张苓,冯庆,蔡继东,张玉萍,贺斌.电化学刻蚀对钛基IrO_2-Ta_2O_5电极性能的影响[J].钛工业进展.2017
[10].李庆峰.基于电化学刻蚀的微流控芯片模具制作[D].大连理工大学.2017