导读:本文包含了射频模拟前端论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:MOTFT,模拟前端,射频识别
射频模拟前端论文文献综述
占凡[1]（2019）在《基于金属氧化物TFT的射频识别（RFID）模拟前端研究》一文中研究指出射频识别(RFID)是一种通过射频信号来完成阅读器和电子标签之间信息交互的技术。物联网的发展离不开RFID,随着万物互联这个概念的提出,RFID的应用前景更加广阔。金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)和非晶硅TFT(a-Si TFT)以及多晶硅TFT(poly-Si TFT)相比,具有生产工艺简单,成本低,场效应迁移率高等优点,被大量应用在面板显示领域的驱动电路和像素电路设计方面。利用MOTFT来设计电子标签可实现电子标签的低成本,柔性和透明,可进一步推动柔性穿戴设备的发展,对相关研究领域具有重要意义。本文首先介绍了电子标签模拟前端的主要电路模块组成,然后结合顶栅工艺下MOTFT的电学特性设计了基于MOTFT的整流电路,解调调制电路,电荷泵电路,并对时钟提取电路,复位电路,限压电路的设计思路进行了探讨。利用MOTFT设计了全N型的整流电路,流片测试结果显示,该电路在输入信号为1 MHz,电压幅值从4 V变化到14 V时,输出直流电压从0.8 V变化到7 V。在输入信号为5 MHz,电压幅值从4 V变化到14 V时,输出直流电压从0.8 V变化到6 V。该结果表明输入信号为5 MHz下的整流电路输出小于1 MHz下的。通过在传统的ASK解调电路中增加辅助电路,仿真结果表明,改进的电路提高了包络信号边沿的下降速度。对设计的ASK解调电路进行流片测试,测试结果显示,在5V工作电压下,当载波频率为1 MHz,幅值为5 V,数据传输速率为2 kbps,解调出来的信号高电平是1.44 V。当载波频率为2 MHz,幅值为5 V,数据传输速率为1 kbps,解调出来的信号高电平是1.51V。两种测试条件下输出波形边沿下降和上升缓慢,这可能是实际制作的电路寄生电容过大,导致时间常数大于设计值。设计了电阻负载调制电路,给出了仿真波形图。对传统的四相位时钟电荷泵电路输出级做了改进,通过额外增加两个晶体管、两个电容,消除了输出级用二极管接法所带来的阈值电压损失。仿真结果表明,输入电压为5 V,时钟频率为100 kHz,改进的四相位时钟电荷泵较传统的输出电压增加约1 V。最后本文还对时钟提取电路,复位电路,限压电路的设计思路进行了详细的讨论。本文的各电路模块的设计与实现为后续设计TFT全集成的电子标签打下了基础。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-01）
廖陆威[2]（2018）在《超高频射频识别标签模拟前端设计》一文中研究指出物联网技术巨大地改变了人们的生产生活方式,被称之为第四次工业革命,这也为物联网核心技术之一的射频识别技术(RFID)的发展提供了的优越的平台。其中超高频射频识别技术(UHF RFID)因其识别距离远(1m~10m)、信息存储量大、抗干扰能力强、耐用等优良特性被广泛应用于诸如金融支付、电子商务、智能识别、物流管理、公共交通等物联网应用中,在世界范围内都具有广大的市场。其中高性能、低成本的标签芯片技术是超高频射频识别技术发展的瓶颈,而国内的标签芯片技术发展相对滞后,主要依靠进口,因此对标签芯片的研究成为各大高校和研究机构的重要命题。本文旨在为超高频射频识别标签芯片设计低压低功耗的模拟前端电路,包括亚阈值基准电压源和低功耗的环形振荡器。对MOS器件的电压电流特性进行分析研究,并借鉴传统的模拟电路设计思路设计电路,具体的设计思路和创新点如下:(1)亚阈值基准电压源设计。应用MOS管的亚阈值特性进行基准电压源产生电路的设计以实现低压低功耗的特性;应用MOS器件的深线性区特性,取代无源电阻。整个电路为全MOS器件搭建,无电阻和叁极管,大大降低版图面积。应过新型的预稳压电路来提高电源抑制比、降低线性调整率。本设计为无运放设计,低压低功耗的同时有很高的PSRR特性。(2)低温漂环形振荡器设计。环形振荡器包括了稳压器和基准电流模块。稳压器采用零阈值电压MOS器件搭建电路,舍弃了传统电阻分压结构,在不损失电路性能的同时版图面积降低。基准电流模块也为无电阻设计,并且应用不同阈值电压MOS器件的栅源电压差实现CTAT电压的输出,达到低压低功耗的目的。基准电流模块中的运算放大器为低压低功耗的PMOS差分输入跨导放大器,加入了推挽输出级,对电源电压的依赖性很小,全摆幅的电压跟随特性。仿真结果表明,亚阈值基准可以在最低0.75V的供电电压下工作,TT工艺角下输出425mV基准电压,在-25℃~+45℃的标称温度范围内的温度系数为35μV/℃,1.0V的典型静态功耗仅为0.25μW,低频时的电源抑制比为-85dB,在0.75V~2.0V的供电范围内线性调整率仅为5.6μV/V。所设计的稳压器输出0.8V的电压,线性调整率为6.7mV/V,典型条件下的静态电流为1.36μA;环形振荡器中心频率为1.52MHz,在-20℃~+45℃标称温度范围内的漂移率为5%,工艺漂移率为15%,整体功耗小于1μW。(本文来源于《西南交通大学》期刊2018-05-07）
万小磊[3]（2016）在《无源UHF RFID标签芯片射频模拟前端关键技术研究》一文中研究指出近些年,物联网的兴起和蓬勃发展带动了RFID技术的快速发展,作为物联网的核心技术之一,因其具有多目标非接触精确识别、信息存数量大、安全性高、读取距离远、可重复读写等优点而受到广泛关注。对于RFID系统而言,其标签芯片射频前端电路性能直接决定了该标签的性能,因而是研究的热点。本文的主要工作是对无源UHF RFID标签芯片射频模拟前端关键技术进行研究和相关电路设计实现。文章采取正向设计方法,由标签芯片模型分析引出关键技术,并由此进行参数分析和电路设计,为标签芯片的优化提供参考和借鉴。关键技术方面,由能量模型分析得到读写灵敏度与距离成正比;由信号模型分析引出满足协议标准的反向散射技术的研究;由防碰撞实际应用背景引出真随机数发生器在射频模拟前端中的研究和设计实现。这叁个关键技术中,第一个读写灵敏度研究主要从叁个方面入手:拓展工作带宽、提高能量转换效率和降低内部能量损耗。基于以上,本文进行了自动阻抗匹配电路设计与实现、整流器设计与实现以及低功耗设计分析。第二个关键技术是反向散射技术,首先对基于国军标的标签反向散射原理进行了详细剖析,即ASK调制和PSK调制,根据上述原理设计了两款调制电路,并进行了仿真分析和版图设计。第叁个关键技术是防碰撞技术。我们知道,多目标识别是RFID系统的主要特点,这就避免不了对标签进行防碰撞设计。本文设计了一款真随机数发生器,并进行了仿真分析和功能测试,用以提供防碰撞算法的随机时钟信号采集。本文设计的标签芯片采用TSMC 0.18 um工艺,测试结果表明,该款无源UHF RFID标签芯片平均读灵敏度超过了-17dBm,平均写灵敏度则超过-15dBm,并且其整流效率高达60%左右,整体性能达到国内一流水平。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2016-10-01）
刘茂旭[4]（2016）在《无源UHF RFID加速度传感芯片射频模拟前端设计》一文中研究指出射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)具有体积小、功耗低、无接触传输信息等特点。基于物联网的射频识别(RFID)系统和各种传感器相结合,在智能化识别、定位、监控、远程自动测试等领域得到越来越多的应用。本文研究一种超高频(UHF) RFID加速度传感芯片射频模拟前端电路。本文的主要工作包括以下几个方面：1、根据ISO18000-6 Type C协议规范,对无源UHF RFID加速度传感器的系统结构进行了研究,确定了各个子模块的电学性能指标参数。2、研究加速度传感器的设计,介绍加速度传感器的工作原理,以及基于深反应离子干法刻蚀的体硅正面加工工艺。3、采用SMIC 0.18um CMOS工艺,设计了集成加速度传感器的无源UHF RFID标签射频模拟前端电路。该电路由整流电路、基准电压产生电路、稳压及保护电路、上电复位电路、调制电路、解调电路、时钟电路以及加速度接口电路组成。为实现低功耗,整流电路输出高低压两种电压,分别给上电复位电路和数字基带(1.8V)以及其他模拟电路(1.0V)；并在基准电压产生电路中采用亚阈值区MOS管降低功耗；RFID标签输出采用反向散射工作机制的ASK调制,通过调节标签天线输入阻抗匹配的程度,使天线反向辐射载波信号,向阅读器发送标签的输出信号,避免了射频载波的有源发射,功耗极低。仿真结果表明,射频模拟前端系统在数据率为40Kbps-160Kbps时均可正常工作,总功耗约为7uW,满足低功耗设计指标。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2016-04-01）
鲁润道[5]（2016）在《应用于模拟射频前端中的N相滤波器的研究》一文中研究指出随着个人无线终端设备的推广,越来越多的基于无线通信协的多模式射频系统被集成在一个设备中,对射频系统提出了集成度提高、功耗和面积减少、可靠性增加等要求。传统上,解决射频系统中多标准、多模式共存互扰的办法是在射频接收机前部加入声表面波滤波器滤波器,但是声表面波滤波器增加了手持终端设备的成本和体积。为了替代笨重而昂贵的声表面波滤波器,可以采用周期时变机理来实现阻抗变频,将低中心频率、低Q值的片上低通电容滤波器变换为高中心频率、高Q值、可调谐的N相滤波器。然而,N相滤波器存在着诸多非理想因素限制了其应用,本文通过理论推导和仿真,得出影响N相滤波器性能的谐波抑制不足、谐波混迭和中心频率偏移等关键问题。为了解决这些关键问题,本文介绍了复数阻抗对谐波的抑制效果和有源Gm-C的结构对中心频率偏移的纠正作用,通过仿真验证了采用有源Gm-C结构的N相滤波器,最后提出了采用有源Gm-C结构的复数阻抗N相滤波器,达到同时抑制谐波和纠正中心频率偏移的效果。由于N相滤波器的周期时变机理是通过N相不重迭的时钟驱动开关来实现的,时钟的相位重迭程度和上升/下降时间对N相滤波器的增益有着直接的影响。产生N相不重迭时钟主要有CML逻辑触发器分频和CMOS逻辑D触发器分频两种方法,本文对这两种时钟发生电路进行了仿真,分别比较了它们各自的优劣。(本文来源于《上海交通大学》期刊2016-01-01）
毛文彪[6]（2015）在《一种用于13.56MHz射频电子标签芯片模拟前端电路的设计》一文中研究指出射频识别技术(RFID:Radio Frequency Identification)是一种非接触式自动识别技术。射频电子标签在智能识别和自动化管理方面具有非常大的应用前景,与传统的条码识别技术、磁卡识别技术、和IC卡识别技术等相比,射频识别技术具有无接触、抗干扰能力强、智能化、寿命长、速度快、识别距离远、可同时识别多个物品等特点。目前,RFID已逐渐成为自动识别技术中应用领域最广的技术之一,主要用于交通运输、物流管理、门禁系统等众多自动化管理领域。本论文基于ISO/IEC15693标准,设计了13.56MHz无源射频电子标签芯片的模拟前端电路。主要内容包括国际标准ISO/IEC15693协议的简介,射频识别技术理论基础和基本工作原理,整个标签芯片模拟前端电路的设计,并详细介绍了关键电路的原理和工作过程。设计的电路包括整流滤波电路、限幅电路、电源产生电路、ASK解调电路、电阻负载调制电路,时钟提取电路、复位电路和电荷泵电路。本文通过对整流滤波电路优化和改进,减小了芯片的面积;实现了结构简单、功耗低的电源产生电路,消耗的总电流小于18uA;利用有源电阻取代了取包络中的无源电阻,优化了解调电路的面积,分别设计了10%ASK解调电路和100%ASK解调,降低了功耗;设计了高可靠性的负载调制电路等。整个设计符合ISO/IEC15693标准,并实现低功耗的设计。整个射频标签模拟前端电路的设计采用宏力半导体公司的0.18μm工艺。分别利用spectre和Virtuoso工具进行电路的设计和仿真、电路版图的设计,使用Calibre工具对版图DRC和LVS检查,通过Calibre-PEX工具提取寄生参数,完成整个模拟前端进行后仿,仿真结果满足设定的指标,电路正常工作。然后导出版图文件提交制造厂商加工流片。最后确定射频电子标签模拟前端芯片的测试方案,完成芯片的测试验证,测试结果与仿真结果基本一致,表明本文设计的电路实现了预定的指标和功能。(本文来源于《电子科技大学》期刊2015-03-28）
李颿[7]（2014）在《13.56MHz无源射频识别芯片模拟前端设计》一文中研究指出射频识别(Radio Frequency Identification)技术,是一种通过射频信号耦合实现无接触识别的技术。与传统磁卡及IC卡相比,RFID具有存储容量大、识别距离远、穿透力强、寿命长等优点,在交通物流、制造业、零售业等众多领域得到了广泛的应用。本文研究设计了符合ISO14443协议标准的13.56MHz高频无源电子标签芯片模拟前端电路,并针对RFID芯片低成本、低功耗的要求对电路进行了优化。针对标签芯片需要高效AC/DC整流电路,在传统NMOS交叉耦合整流电路的基础上提出了一种阈值补偿型整流电路,补偿了电路中二级管连接的MOS管造成的阈值电压损失,从而提高电路的能量转换效率。当整流电路输入射频信号载波振幅为3V时,输出电平达到2.46V,能量转换效率达83.6%。针对标签芯片需要能够产生连续稳定的时钟信号的时钟电路,提出了一种基于锁相环和锁相环使能控制电路的时钟电路,电路能够在外界射频信号存在信号凹槽的情况下产生连续的低频率偏差时钟信号。当射频信号载波频率为13.56MHz时,时钟电路输出为相同频率的连续时钟信号,频率偏差<100kHz。针对标签芯片模拟前端其他关键电路进行了研究。首先,介绍了一种超级源跟随器,在其基础上设计了一种瞬态增强型LDO,电路具有良好的瞬态响应特性和电源抑制比特性;然后,根据亚阈值MOS管的温度特性设计了一种低功耗亚阈值区基准电路,该电路能够输出与温度和电源电压无关的基准电压和基准电流;随后,设计了一种上电复位电路;最后,分析了采用时钟电路中的信号凹槽检测电路做解调电路的可行性,避免使用包络检波电路引入大电阻电容占用芯片面积。以上电路采用SMIC 0.13μmCMOS工艺进行仿真验证,仿真结果显示本文设计的模拟前端关键电路工作状况良好,满足设计预期要求。论文中对所设计的电路只进行了仿真验证,在接下来的工作中可以对所设计电路进行流片测试,进一步验证电路的工作情况。论文中仅对模拟前端中各模块进行了设计和优化,没有从整体模拟前端构架上进行优化,这一点也可以在今后的工作中完善。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2014-12-01）
杜永乾,庄奕琪,李小明,刘伟峰[8]（2014）在《低功耗UHFRFID射频/模拟前端解决方案》一文中研究指出提出了用于无源超高频射频识别(UHF RFID)芯片的射频/模拟前端.该射频/模拟前端通过系统分区和分时供电优化了系统功耗,子电路包括整流电路、基准电路、叁轨稳压电路、解调/调制电路、上电复位电路以及时钟电路.通过引入阈值补偿,将全CMOS整流电路的整流效率提升至不低于48%;电流求和型亚阈值基准电路在保证基准精度的同时,有效降低了功耗和芯片面积;无需大尺寸无源器件的解调电路,并从系统架构层面解决了解调失真的问题.该射频/模拟前端电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺库仿真并投片验证,测试结果表明:直流功耗为3.6μA,芯片有效面积为0.27mm2.将该射频/模拟前端电路集成至一款UHF RFID标签芯片中,采用商用阅读器进行测试,其读取距离>6m,平均读取速率达到89.9个/s.(本文来源于《华中科技大学学报(自然科学版)》期刊2014年09期）
杜永乾[9]（2014）在《超高频射频识别标签芯片的射频/模拟前端及微功耗EEPROM设计实现》一文中研究指出国际电信联盟于2005年提出了―物联网‖这一概念，自此，物联网迅速获得世界各国的广泛认同，并被提升至国家经济和科技发展的战略高度。而RFID由于其基础性作用以及能为物体提供物联网入口的基本能力，成为了物联网各项核心技术的最关键点之一。在RFID的各种分类中，由于UHF频段的无源RFID标签具有可远距离读写等优点，其又成为研究的重点。本文即以此为背景，在对低功耗设计技术归纳总结的基础上，针对工作于无源状态、UHF频段的RFID标签芯片的相关设计技术进行了研究，相应研究成果最终转化为完整的无源UHF RFID标签芯片,并成功测试验证。研究内容包括：首先，提出了一种亚阈值UHF RFID射频/模拟前端电路。该射频/模拟前端电路通过全局能量管理的方式从系统架构层次实现了芯片功耗优化；同时，本文提出了射频/模拟前端子电路的完整解决方案，并着重研究了基准电路和时钟电路，其中：提出的一种亚阈值基准电路折中解决了其功耗、精度和芯片面积问题，并通过―虚拟二极管‖技术解决了衬底偏置效应引起的精度偏差；提出的时钟校准方案有效控制了时钟校准测试成本，实现了时钟频率实时、实地校准。基于以上设计技术的射频/模拟前端其工作电流为3.6μA，满足无源UHF RFID应用需求。其次，微功耗存储器已经成为RFID走向实际应用的最严重制约因素之一，而国内外的研究相对很少。基于此，本文从工艺成本以及工艺成熟度考虑，采用EEPROM作为RFID的存储器，并针对其低功耗和可靠性设计技术进行了相应的研究。其中：从EEPROM数据检测机理出发，提出了一种新的预充电——自适应数据检测机制，该机制切断了从电源到地的直流通路，因此有效降低了EEPROM的读功耗。同时，为提高EEPROM的抗数据误读能力，通过全局时序控制和反馈两种机制，使读电路获得了工艺参数自适应能力，提高了读电路的可靠性；本文还提出了一种低上电峰值电流时分高压电荷泵电路，该电荷泵通过合理时序控制，实现了电荷泵pipeline上电，在几乎不增加功耗和芯片成本开销，不损失泵浦效率和驱动能力的情况下，有效降低了电荷泵上电阶段高峰值电流。基于以上设计技术的EEPROM作为一个单独的IP进行流片测试，测试结果显示，其读、写电流分别为1.18μA和33μA。该微功耗EEPROM IP的测试成功，对解决便携式应用通用存储器的设计难题具有同样重要的现实意义。最后，采用以上设计技术的射频/模拟前端和EEPROM与所开发的数字基带构成了一款完整的无源UHF RFID标签芯片。该标签芯片最终流片并通过商用阅读器测试成功，其读距离>6m，写距离不低于1.8m。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2014-06-01）
张宝军,高原,张博,贺刚[10]（2014）在《低功耗2.45GHz射频识别模拟前端》一文中研究指出采用台湾积体电路制造股份有限公司的0.18μm互补金属氧化物半导体混合信号工艺,设计出一种应用于2.45GHz的射频识别模拟前端芯片,并对射频识别芯片前端电路的关键性模块进行分析和改进,提出一种运用负温度系数电阻构成的带隙基准电路和一种运用延时电路来消除脉冲干扰的复位电路。仿真结果表明,所设计的射频前端芯片能够满足ISO 18000-4协议所提出的系统要求并且整体电路功耗小于1.5μW。(本文来源于《西安邮电大学学报》期刊2014年03期）
射频模拟前端论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
物联网技术巨大地改变了人们的生产生活方式,被称之为第四次工业革命,这也为物联网核心技术之一的射频识别技术(RFID)的发展提供了的优越的平台。其中超高频射频识别技术(UHF RFID)因其识别距离远(1m~10m)、信息存储量大、抗干扰能力强、耐用等优良特性被广泛应用于诸如金融支付、电子商务、智能识别、物流管理、公共交通等物联网应用中,在世界范围内都具有广大的市场。其中高性能、低成本的标签芯片技术是超高频射频识别技术发展的瓶颈,而国内的标签芯片技术发展相对滞后,主要依靠进口,因此对标签芯片的研究成为各大高校和研究机构的重要命题。本文旨在为超高频射频识别标签芯片设计低压低功耗的模拟前端电路,包括亚阈值基准电压源和低功耗的环形振荡器。对MOS器件的电压电流特性进行分析研究,并借鉴传统的模拟电路设计思路设计电路,具体的设计思路和创新点如下:(1)亚阈值基准电压源设计。应用MOS管的亚阈值特性进行基准电压源产生电路的设计以实现低压低功耗的特性;应用MOS器件的深线性区特性,取代无源电阻。整个电路为全MOS器件搭建,无电阻和叁极管,大大降低版图面积。应过新型的预稳压电路来提高电源抑制比、降低线性调整率。本设计为无运放设计,低压低功耗的同时有很高的PSRR特性。(2)低温漂环形振荡器设计。环形振荡器包括了稳压器和基准电流模块。稳压器采用零阈值电压MOS器件搭建电路,舍弃了传统电阻分压结构,在不损失电路性能的同时版图面积降低。基准电流模块也为无电阻设计,并且应用不同阈值电压MOS器件的栅源电压差实现CTAT电压的输出,达到低压低功耗的目的。基准电流模块中的运算放大器为低压低功耗的PMOS差分输入跨导放大器,加入了推挽输出级,对电源电压的依赖性很小,全摆幅的电压跟随特性。仿真结果表明,亚阈值基准可以在最低0.75V的供电电压下工作,TT工艺角下输出425mV基准电压,在-25℃~+45℃的标称温度范围内的温度系数为35μV/℃,1.0V的典型静态功耗仅为0.25μW,低频时的电源抑制比为-85dB,在0.75V~2.0V的供电范围内线性调整率仅为5.6μV/V。所设计的稳压器输出0.8V的电压,线性调整率为6.7mV/V,典型条件下的静态电流为1.36μA;环形振荡器中心频率为1.52MHz,在-20℃~+45℃标称温度范围内的漂移率为5%,工艺漂移率为15%,整体功耗小于1μW。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
射频模拟前端论文参考文献
[1].占凡.基于金属氧化物TFT的射频识别（RFID）模拟前端研究[D].华南理工大学.2019
[2].廖陆威.超高频射频识别标签模拟前端设计[D].西南交通大学.2018
[3].万小磊.无源UHFRFID标签芯片射频模拟前端关键技术研究[D].国防科学技术大学.2016
[4].刘茂旭.无源UHFRFID加速度传感芯片射频模拟前端设计[D].合肥工业大学.2016
[5].鲁润道.应用于模拟射频前端中的N相滤波器的研究[D].上海交通大学.2016
[6].毛文彪.一种用于13.56MHz射频电子标签芯片模拟前端电路的设计[D].电子科技大学.2015
[7].李颿.13.56MHz无源射频识别芯片模拟前端设计[D].西安电子科技大学.2014
[8].杜永乾,庄奕琪,李小明,刘伟峰.低功耗UHFRFID射频/模拟前端解决方案[J].华中科技大学学报(自然科学版).2014
[9].杜永乾.超高频射频识别标签芯片的射频/模拟前端及微功耗EEPROM设计实现[D].西安电子科技大学.2014
[10].张宝军,高原,张博,贺刚.低功耗2.45GHz射频识别模拟前端[J].西安邮电大学学报.2014