论文摘要
全球正处于能源危机和环境污染两大问题的困扰之中,太阳能作为取之不尽、用之不竭的清洁能源越来越受到人类社会的广泛关注。本论文以探索新材料、提高太阳能电池效率为目的,设计并制备了NiOx/a-Si/AZO结构的太阳能电池。主要内容为以下三个方面:1.直流磁控反应溅射沉积NiOx薄膜,研究了氧气/氩气流量比、衬底温度及退火过程对NiOx薄膜的影响。实验和分析表明,随着氧气/氩气流量比的增加,薄膜的透过率呈现出减小趋势、薄膜电阻呈现出先减小后增大趋势,室温条件下,氧气/氩气流量比为1:1时,制备的NiOx薄膜取得最小的薄膜电阻(0.59 kΩ/□);随着制备温度的升高,薄膜的电阻表现出单调增加,透过率表现出单调下降;真空退火有助于降低薄膜的电阻,但是同时降低了薄膜的透过率。2. RF溅射沉积AZO薄膜。通过EDS和XRD相关分析,表明铝(Al)被有效的掺入ZnO晶格中形成AZO薄膜;随着氩气压强增大,AZO薄膜表面的粗糙度增加,薄膜的沉积速率随之下降;AZO薄膜电阻随着氩气压强增大表现出先减小后增大的规律,当压强为0.6Pa时,AZO薄膜的电阻率为5×10-4Ω.cm,可见光的透过率高于90%;RF功率为150W时,薄膜有最小的电阻率:4.0×10-4Ω.cm;不同功率下,AZO薄膜的平均透过率高于80%,随着功率增加,透过率也表现出增加的趋势;AZO薄膜的光学带隙宽度(Eg)随着RF功率增加而减小,当功率为200W时,禁带宽度约为3.43eV。3.制备了NiOx/a-Si/AZO结构的太阳能电池,通过半导体特性分析系统(4200-SCS)对其测试,电池的开路电压( VOC)达到0.4V,短路电流(ISC)为0.16 mA,填充因子(FF )和转换效率(η)分别为0.64和1.1%。
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摘要ABSTRACT第一章 绪论1.1 课题研究背景1.2 课题研究意义1.3 本论文研究的主要内容第二章 太阳能电池原理及薄膜制备与表征方法2.1 太阳能电池基本原理2.1.1 半导体光吸收2.1.2 半导体PN 结基础2.1.3 光生伏特效应2.2 太阳能电池的重要参数2.2.1 开路电压与短路电流2.2.2 光电转换效率和填充因子2.3 薄膜制备设备2.3.1 磁控溅射2.3.2 PECVD2.4 主要测试手段2.4.1 薄膜厚度测试2.4.2 薄膜方块电阻测试2.4.3 光伏电流电压测试2.4.4 其它表征方法x薄膜'>第三章 直流磁控反应溅射制备NiOx薄膜x 薄膜'>3.1 P-NiOx薄膜3.2 基片准备x 薄膜制备的主要参数及实验步骤'>3.3 NiOx薄膜制备的主要参数及实验步骤x 薄膜的影响'>3.4 氧/氩比对NiOx薄膜的影响x 薄膜光电特性的影响'>3.5 衬底温度对NiOx薄膜光电特性的影响x 薄膜的影响'>3.6 退火温度对NiOx薄膜的影响3.7 本章小结第四章 射频磁控溅射制备AZO 薄膜4.1 AZO 薄膜导电机制及运用4.2 材料及主要参数4.3 Ar 气压强对AZO 薄膜的影响4.3.1 Ar 气压强对AZO 薄膜形貌的影响4.3.2 Ar 气压强对AZO 薄膜电学特性的影响4.3.3 Ar 气压强对AZO 薄膜光学特性的影响4.4 RF 功率对AZO 薄膜的影响4.4.1 RF 功率对AZO 薄膜的结构、形貌影响4.4.2 RF 功率对AZO 薄膜电学特性的影响4.4.3 RF 功率对AZO 薄膜光学特性的影响4.5 本章小结x/a-Si/AZO 太阳能电池初步制备与测试'>第五章 NiOx/a-Si/AZO 太阳能电池初步制备与测试5.1 非晶硅薄膜x/a-Si/AZO 太阳能电池制备'>5.2 NiOx/a-Si/AZO 太阳能电池制备x/a-Si/AZO 太阳能电池制备'>5.2.1 NiOx/a-Si/AZO 太阳能电池制备5.2.2 AZO/Al 欧姆接触x 与电极接触'>5.2.3 NiOx与电极接触x/a-Si/AZO 太阳能电池测试'>5.3 NiOx/a-Si/AZO 太阳能电池测试5.4 本章小结第六章 结论6.1 结论6.2 存在的问题及建议致谢参考文献攻硕期间取得的研究成果
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