论文摘要
L沸石是一种人工合成沸石,具有一维孔道结构。它是一种SiO2/Al2O3比值较高的沸石,不仅具有独特的吸附性和催化性能,还具有良好的热稳定性,在700℃焙烧后,仍保持原来的晶体结构,是一种热稳定性优良的有前途的催化剂,可用作裂化、重整、异构化、芳构化、烷基化等炭氢化合物转化过程中的催化剂。因此,对L沸石的开发研究,日益受到人们的重视。本论文以高岭土为原料,进行了高岭土微球合成L沸石的研究。采用原位晶化技术在高岭土微球中直接合成L沸石,沸石生长于微球的内部表面,分散性好,在反应过程中能更好的发挥作用。并且,采用原位晶化工艺制备的分子筛晶粒小,这增加了活性中心数量,降低了扩散阻力,有利于渣油的裂解。同时分子筛与载体以化学键相连,具有很好的结构稳定性,而载体本身的热容大,防止高温下催化剂的结构坍塌,延长催化剂的寿命。先将高岭土在不同的温度下焙烧活化,分别得到偏土和高土,并分析焙烧后的高岭土中活性硅和活性铝的含量。以高土为原料时,高土中的硅铝比超过了合成L沸石所需的硅铝比,通过加入偏铝酸钾溶液向体系中补加铝,但是没有得到L沸石。这是因为合成一种特定的沸石,需要形成一定组成的硅铝凝胶前驱体,以高土为原料合成L沸石时,所补加的铝源是活性高的偏铝酸钾,所形成的凝胶前驱体中的硅铝比小于合成L沸石时所需的硅铝比。因而没有L沸石生成。将高土和偏土微球按一定比例混合,加入计算量的KOH,H2O,白炭黑,导向剂在碱性体系下水热晶化得到了L沸石。系统地考察了晶化温度、晶化时间、n(SiO2)/n(Al2O3)比值、陈化时间等因素对合成L沸石的影响。其中晶化温度、时间和加水量是影响L沸石合成的主要因素。温度较低没有L沸石生成,过高的温度又会生成杂晶。晶化时间太短,产物中L沸石的含量很少,当结晶18个小时可以得到结晶度较高的L沸石。加水过少,不利于各反应组分的混合和移动,而加水过多会造成两方面不利的影响,一是合成体系的碱度降低,影响了高岭土中活性硅和活性铝的溶解,进而影响到凝胶的组成及重排;另一方面,加水过多,达到形成L沸石晶核所需要的过饱和度变得相对困难,影响了L沸石的成核与成长。确定了高岭土原位晶化合成L沸石的适宜工艺条件:反应体系中n(SiO2)/n(Al2O3)=15,陈化30h,晶化温度为130℃,晶化18h可得到高结晶度的L沸石。在小型实验的基础上,在实验室进行了高岭土微球上原位合成L沸石放大实验,合成出了结晶度较好的L沸石。为高岭土原位晶化合成L沸石的工业化生产提供一定的技术依据和理论基础。
论文目录
相关论文文献
- [1].低成本原位晶化型催化裂化催化剂的制备及性能研究[J]. 炼油技术与工程 2019(12)
- [2].金属诱导晶化基础与应用研究进展[J]. 金属学报 2020(01)
- [3].铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜[J]. 现代显示 2008(Z1)
- [4].铝层厚度对铝诱导氢化非晶硅晶化的影响[J]. 当代化工研究 2020(06)
- [5].前进中的青岛海晶化工[J]. 走向世界 2016(02)
- [6].海晶化工全线停产搬迁提速[J]. 江苏氯碱 2013(06)
- [7].原位晶化材料的发展现状及应用前景[J]. 化学与黏合 2013(01)
- [8].基于能量守恒原理的块体非晶合金热加工条件下晶化机制的研究[J]. 热加工工艺 2012(20)
- [9].用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜[J]. 物理学报 2010(04)
- [10].电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜[J]. 人工晶体学报 2010(04)
- [11].自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管[J]. 半导体学报 2008(10)
- [12].氢等离子体辅助固相晶化多晶硅薄膜的初步研究[J]. 功能材料 2014(19)
- [13].晶化釜机械密封失效原因分析及改进方法[J]. 石油和化工设备 2012(01)
- [14].场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜[J]. 建材世界 2010(02)
- [15].非晶合金晶化曲线的研究[J]. 稀有金属材料与工程 2009(03)
- [16].溶液法铝诱导晶化制备多晶硅薄膜[J]. 物理学报 2009(09)
- [17].非晶硅薄膜连续激光晶化结构研究[J]. 微纳电子技术 2015(08)
- [18].激光晶化能量对多晶硅薄膜晶体管特性影响的研究[J]. 电子技术与软件工程 2016(13)
- [19].晶化分数对钛基非晶复合材料热塑性成形能力的影响[J]. 精密成形工程 2020(06)
- [20].原位晶化催化剂制备技术的进展和应用[J]. 甘肃科技纵横 2014(04)
- [21].等离子体增强化学气相沉积法制备氢化硅膜的自晶化倾向性[J]. 硅酸盐学报 2014(10)
- [22].高岭土原位晶化合成Y型分子筛的研究进展[J]. 精细石油化工 2009(01)
- [23].在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响[J]. 材料导报 2008(S3)
- [24].激光波长对非晶硅薄膜晶化效果的影响[J]. 光电子.激光 2013(10)
- [25].细晶化技术在钢铁领域中的应用与发展[J]. 鞍钢技术 2008(02)
- [26].溶液法铝诱导晶化多晶硅薄膜[J]. 物理化学学报 2008(09)
- [27].非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究[J]. 红外与激光工程 2015(03)
- [28].高岭土原位晶化合成高结晶度Y型分子筛[J]. 现代化工 2015(03)
- [29].海晶变奏[J]. 商周刊 2014(01)
- [30].非晶硅薄膜制备及其晶化特性研究[J]. 人工晶体学报 2008(05)